SDRAM （ Rev.1.2 ）
四月'99
64M位同步DRAM
三菱的LSI
M2V64S20BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行4194304 -字×4位）
M2V64S30BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行2097152 -字×8位）
M2V64S40BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行1048576 -字×16位）
描述
该M2V64S20BTP组织为4 - X银行4194304字×4位， M2V64S30BTP是
组织为4 - X银行2097152字×8位，而M2V64S40BTP组织成4 X银行
1048576字×16位的同步DRAM与LVTTL接口。所有的输入和输出
参考CLK的上升沿。该M2V64S20BTP ， M2V64S30BTP ， M2V64S40BTP
实现非常高速的数据速率高达125MHz ，并适用于主存储器或
图形存储器中的计算机系统。
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 时钟频率为125MHz / 100MHz的
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4个银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 /全页（可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 列存取 - 随机
- 突发写入/单个写（可编程）
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动刷新和自刷新
- 4096刷新周期/ 64ms的
- 列地址A0 -A9 （ X4） ， A0 - A8 （ X8 ） ， A0 - A7 （ X16 ）
- LVTTL接口
- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
马克斯。
频率
-7, -7L
M2V64S20BTP
M2V64S30BTP
M2V64S40BTP
-8, -8L
-8A
-10, -10L
100MHz(CL2)
100MHz(CL3)
125MHz
100MHz
CLK访问
时间
6ns
6ns
6ns
8ns
三菱电机
1
SDRAM （ Rev.1.2 ）
四月'99
64M位同步DRAM
三菱的LSI
M2V64S20BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行4194304 -字×4位）
M2V64S30BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行2097152 -字×8位）
M2V64S40BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行1048576 -字×16位）
引脚配置（顶视图）
M2V64S20BTP
M2V64S30BTP
M2V64S40BTP
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-3 （ X4 ） ， DQ0-7 （ X8 ） ， DQ0-15 （ X16 ）
DQM （ X4，X8 ） ， DQML / U （ X16 ）
A0-11
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
三菱电机
2
SDRAM （ Rev.1.2 ）
四月'99
64M位同步DRAM
三菱的LSI
M2V64S20BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行4194304 -字×4位）
M2V64S30BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行2097152 -字×8位）
M2V64S40BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行1048576 -字×16位）
DQ0-3 （ X4 ）
DQ0-7 （ X8 ）
DQ0-15 （ X16 ）
框图
I / O缓冲器
内存阵列内存阵列内存阵列内存阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11 BA0,1
/ CS / RAS / CAS / WE DQM
CLK
CKE
型号代码
此规则仅适用于同步DRAM家庭以外64M B版。
M2 V 64 S 2 0 B TP - 7
访问项目
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能0 ：随机列
组织的2n 2： 4倍，3： ×8 ，4： x16的
同步DRAM
密度64 ： 64M位
接口S： SSTL ，V ： LVTTL
三菱半导体存储器
三菱电机
3
SDRAM （ Rev.1.2 ）
四月'99
64M位同步DRAM
三菱的LSI
M2V64S20BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行4194304 -字×4位）
M2V64S30BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行2097152 -字×8位）
M2V64S40BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行1048576 -字×16位）
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自
刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-11规定。该列地址被指定
A0 -A9 （ X4） ， A0 - A8 （ X8 ） ， A0-7 （ X16 ） 。 A10也被用于指示预充电
选项。当A10是高在一个读/写命令时，自动预充电
被执行。当A10为高电平时预充电命令，所有银行都
预充电。
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
CKE
输入
A0-11
输入
BA0,1
DQ0-3(x4),
DQ0-7(x8),
DQ0-15(x16)
DQM(x4,x8),
DQMU/L(x16)
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
输入
嚣面膜/输出禁止：当DQMU / L是高突发写入，DIN为
当前周期被屏蔽。当DQMU / L为高，突发读取，
Dout的下一个，但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
电源
电源
三菱电机
4
SDRAM （ Rev.1.2 ）
四月'99
64M位同步DRAM
三菱的LSI
M2V64S20BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行4194304 -字×4位）
M2V64S30BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行2097152 -字×8位）
M2V64S40BTP - 7 ， -7L ， -8 ， -8L ， -8A ， -10 ， -10L （ 4 - X银行1048576 -字×16位）
基本功能
该M2V64S20 （ 30,40 ） BTP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，
银行（行）预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号在CLK上升沿定义和/ WE 。在
除了3个信号， / CS ， CKE和A10作为片选，刷新选项，
预充电的选项，分别。要知道命令的详细定义请参阅
命令真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一输出数据
后/ CAS延迟出现。当A10 = H在此命令中，该行后停用
突发读取（自动预充电， READA ） 。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度为
笔试由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，该行后停用
突发写入（自动预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止
突发读/写操作。当A10 = H在此命令中，两家银行被停用
（全部预充电，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址
产生相互应受。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
