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ON Semiconductort
双肖特基势垒二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件在一个小的板级空间缩小
六引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵，如
便携式产品。
表面贴装比较：
SOT–363
面积（mm2）
最大包装PD （MW ）
设备数量
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
安森美半导体首选设备
6
5
4
1
2
3
CASE 419B -01 ，类型6
SOT–363
节省空间：
包
SOT–363
1

SOT–23
40%
2

SOT–23
70%
阳极1
N / C 2
阴极3
6阴极
5 N / C
4阳极
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备
分拆大受欢迎的MMBD101LT1 ， MMBD301LT1 ，并
MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计为
高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。容易
可用于许多其它快速开关的射频和数字应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
符号
VR
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
VDC
前向功率耗散
TA = 25°C
结温
存储温度范围
PF
TJ
TSTG
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 订正
出版订单号：
MBD110DWT1/D
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
CT
MBD110DWT1
CT
MBD330DWT1
MBD770DWT1
IR
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
VF
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
A
NADC
NADC
dB
—
0.88
1.0
pF
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
http://onsemi.com
2
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = -40°C
1.0
TA = 25°C
MBD110DWT1
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
0.02
MBD110DWT1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
MBD110DWT1
2
4.0
1
0.1
0.2
MBD110DWT1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - CC和CT使用的是电容测量
桥（ Boonton的电子型号75A或等价
借出） 。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和本地振荡器
（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率调整
1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 - LS上测量具有短的，而不是一个包
模具，使用阻抗桥（ Boonton的广播
型号250A RX计） 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
http://onsemi.com
3
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD330DWT1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD330DWT1
500
400
克拉考尔法
300
200
100
0
MBD330DWT1
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MBD330DWT1
IR ，反向漏电流（
m
A)
1.0
TA = 100℃
TA = 75℃
100
IF ，正向电流（mA ）
MBD330DWT1
TA = -40°C
TA = 85°C
10
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
http://onsemi.com
4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD770DWT1
2.0
CT ，总电容（PF ）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
MBD770DWT1
500
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD770DWT1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
50
0
10
20
30
50
70
40
60
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MBD770DWT1
TA = 100℃
TA = 75℃
100
IF ，正向电流（mA ）
MBD770DWT1
IR ，反向漏电流（
m
A)
1.0
10
TA = 85°C
TA = -40°C
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
http://onsemi.com
5
乐山无线电公司， LTD 。
双肖特基势垒二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件于一体的小六减小电路板空间
引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵，如便携式
产品。
6
5
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
4
表面贴装比较：
面积（mm）
最大包P
D
（ mW）的
2
SOT–363
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
1
2
3
设备数量
SOT–363
CASE 419B -01 ，类型6
节省空间：
包
SOT–363
1 × SOT -23
40%
2 × SOT -23
70%
阴极
6
N / C
5
阳极
4
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备分拆我们的流行
MMBD101LT1 ， MMBD301LT1和MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计
对于高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。随时提供给其他很多
快速切换的RF和数字应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
·低反向漏
1
阳极
2
N / C
3
阴极
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
前向功率耗散
T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
VDC
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
MBD110–1/5
乐山无线电公司， LTD 。
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
C
T
MBD110DWT1
C
T
MBD330DWT1
MBD770DWT1
I
R
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
V
F
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
A
NADC
NADC
dB
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
—
0.88
1.0
pF
符号
V
（ BR ）R
民
7.0
30
70
典型值
10
—
—
最大
—
—
—
pF
单位
伏
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
MBD110–2/5
乐山无线电公司， LTD 。
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征 - MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
100
0.2
I
F
，正向电流（mA ）
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
I
R
，反向漏电流（ μ A）
10
0.1
0.07
0.05
1.0
0.02
0.01
30
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
A
，环境温度（ ° C）
V
F
，正向电压（伏）
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
9
C，电容（pF ）
0.9
NF ，噪声系数（dB ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0.8
0.7
0.6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
V
R
，反向电压（伏）
P
LO
，本振功率（mW ）
图3.电容
图4.噪声系数
注意测试和规格
注1 - C
C
和C
T
使用电容测量
tance桥（ Boonton的电子型号75A
或同等学历） 。
注2 - 噪声系数下测得二极管
使用超高频噪声测试中调整贴装二极管
源和本地振荡器（LO）频率的
1.0 GHz的。本振功率调整为1.0
毫瓦。我
F
放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 L -
S
测量上具有一个包
图5.噪声系数测试电路
短，而不是一个模具中，用一个阻抗
桥（ Boonton的无线电型号250A RX计） 。
MBD110–3/5
乐山无线电公司， LTD 。
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征MBD330DWT1
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
τ
，少数载流子寿命（ PS ）
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
2.8
500
C
T
，总电容（PF ）
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
I
F
，正向电流（mA ）
图6.总电容
图7.少子寿命
10
100
I
R
，反向漏电流（ μA ）
1.0
I
F
，正向电流（mA ）
10
0.1
1.0
0.01
0.001
0
0.1
6.0
12
18
24
30
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
R
，反向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图8.反向漏
图9.正向电压
MBD110–4/5
乐山无线电公司， LTD 。
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征MBD770DWT1
1.6
τ
，少数载流子寿命（ PS ）
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
2.0
500
C
T
，总电容（PF ）
400
1.2
300
0.8
200
0.4
100
0
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
I
F
，正向电流（mA ）
图10 。总电容
图11.少数载流子寿命
10
100
I
R
，反向漏电流（ μA ）
1.0
I
F
，正向电流（mA ）
10
0.1
1.0
0.01
0.001
0
0.1
10
20
30
40
50
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
R
，反向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图12.反向漏
图13.正向电压
MBD110–5/5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBD110DWT1 / D
双肖特基势垒二极管
应用电路设计走向的器件数量的巩固和
成更小的封装。新的SOT- 363包是一个解决方案，它简化了
电路设计，减少了器件数量，并通过将两个独立的电路板空间减少
设备于一体的小六引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗
表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵，如便携式
产品。
表面贴装比较：
SOT–363
面积（mm2）
最大包装PD （MW ）
设备数量
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
摩托罗拉的首选设备
6
5
4
1
2
3
CASE 419B -01 ，类型6
SOT–363
节省空间：
包
SOT–363
1

SOT–23
40%
2

SOT–23
70%
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备分拆我们
流行MMBD101LT1 ， MMBD301LT1和MMBD701LT1 SOT- 23器件。他们
被设计用于高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。容易
可用于许多其它快速开关的射频和数字应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
符号
VR
价值
7.0
30
70
120
- 55 + 125
- 55 + 150
单位
VDC
前向功率耗散
TA = 25°C
结温
存储温度范围
PF
TJ
TSTG
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
公司1996年
1
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
CT
MBD110DWT1
CT
MBD330DWT1
MBD770DWT1
IR
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
VF
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
A
NADC
NADC
dB
—
0.88
1.0
pF
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
1.0
TA = 25°C
MBD110DWT1
0.02
MBD110DWT1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MBD110DWT1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MBD110DWT1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - CC和CT使用的是电容测量
桥（ Boonton的电子型号75A或等价
借出） 。
注2 - 噪声系数的测试与测量二极管
调谐二极管安装使用UHF噪声源和某一地址
校准振荡器（LO）频率为1.0千兆赫。本振
功率被调整为1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5
分贝中，f = 30MHz的，参见图5 。
注3 - LS上测量具有短的，而不是一个包
模具，使用阻抗桥（ Boonton的广播
型号250A RX计） 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD330DWT1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD330DWT1
MBD330DWT1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MBD330DWT1
1.0
TA = 100℃
100
MBD330DWT1
IF ，正向电流（mA ）
TA = - 40°C
10
TA = 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
TA = 75℃
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD770DWT1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
500
MBD770DWT1
MBD770DWT1
400
克拉考尔法
300
1.2
t
，少数载流子寿命（ PS ）
50
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MBD770DWT1
1.0
TA = 100℃
100
MBD770DWT1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
TA = 75℃
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
SMD型
双肖特基势垒二极管
MBD110DWT1
MBD330DWT1;MBD770DWT1
SO
T
-363
+0.1
1.3
-0.1
0.65
二极管
单位：mm
非常低电容
低反向漏
0.36
+0.1
0.3
-0.1
+0.1
2.1
-0.1
+0.05
0.1
-0.02
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
M B D110DW T1
已经RS电子V LTA克é
M B D330DW T1
M B D770DW T1
F RW一个RD P 宽E R d为的IP一个TIO N
加利 TIO N率T e米P·Eラ恩重
S到RA克（E T） ê米P·Eラ恩重新R A N G - é
T
A
= 25
P
F
T
J
T
英镑
V
R
S YM B○升
伏鲁é
7
30
70
120
-5 5 + 1 2 5
-5 5 + 1 5 0
mA
V DC
加利IT
+0.05
0.95
-0.05
0.1max
+0.1
1.25
-0.1
+0.15
2.3
-0.15
极低的少数载流子寿命
0.525
特点
www.kexin.com.cn
1
SMD型
MBD110DWT1
MBD330DWT1;MBD770DWT1
电气特性TA = 25
参数
MBD110DWT1
反向击穿电压
MBD330DWT1
MBD770DWT1
二极管电容
总电容
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
MBD110DWT1
反向漏
MBD330DWT1
MBD770DWT1
噪声系数
MBD110DWT1
MBD110DWT1
MBD330DWT1
正向电压
MBD770DWT1
V
F
NF
I
R
C
T
C
T
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
V
R
= 15伏， F = 1.0 MHz的
V
R
= 20伏， F = 1.0 MHz的
V
R
= 3.0 V
V
R
= 25 V
V
R
= 35 V
F = 1.0 GHz的
I
F
= 10毫安
I
F
= 1.0 MADC
I
F
= 10毫安
I
F
= 1.0 MADC
I
F
= 10毫安
V
BR （R）的
I
R
= 10 A
符号
条件
民
7.0
30
70
0.88
0.9
0.5
0.02
13
9
6
0.5
0.38
0.52
0.47
0.7
典型值
10
二极管
最大
单位
伏
1.0
1.5
1.0
0.25
200
200
pF
pF
A
NADC
NADC
dB
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
VDC
记号
TYPE
记号
MBD110DWT1 MMBD330DWT1 MBD770DWT1
M4
T4
H5
2
www.kexin.com.cn
MBD110DWT1,
MBD330DWT1,
MBD770DWT1
首选设备
双肖特基势垒
二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件在一个小的板级空间缩小
六引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵，如
便携式产品。
表面贴装比较：
SOT363
面积（mm
2
)
最大包P
D
（ mW）的
设备数量
4.6
120
2
SOT23
7.6
225
1
1
1

SOT23
40%
2

SOT23
70%
SC - 88 / SOT- 363
CASE 419B
类型6
http://onsemi.com
阳极1
N / C 2
阴极3
6阴极
5 N / C
4阳极
节省空间：
包
SOT363
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备
分拆大受欢迎的MMBD101LT1 ， MMBD301LT1 ，并
MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计为
高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。容易
可用于许多其它快速开关的射频和数字应用。
特点
标记图
6
XX M
G
G
1
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
无铅包可用
xx
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
V
=器件代码
请参阅订购表，
第2页
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
前向功率耗散T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
mW
°C
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版5
出版订单号：
MBD110DWT1/D
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
毫安）
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
C
D
MBD110DWT1
C
T
MBD330DWT1
MBD770DWT1
I
R
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
V
F
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
6.0
V
0.02
13
9.0
0.25
200
200
0.9
0.5
1.5
1.0
mA
nA
nA
dB
0.88
1.0
pF
符号
V
（ BR ）R
7.0
30
70
10
pF
民
典型值
最大
单位
V
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
订购信息
设备
MBD110DWT1
MBD110DWT1G
MBD330DWT1
MBD330DWT1G
MBD770DWT1
MBD770DWT1G
H5
T4
M4
记号
包
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
3000单位/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
V
R
= 3.0 V
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
1.0
T
A
= 25°C
MBD110DWT1
0.02
MBD110DWT1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
T
A
，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
V
F
，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
D
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MBD110DWT1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MBD110DWT1
0.5
1.0
2.0
5.0
P
LO
，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
V
R
，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - C
D
和C
T
使用电容测量
桥（ Boonton的电子型号75A或等价
借出） 。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和本地振荡器
（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率调整
1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 L -
S
测量上具有短的，而不是一个包
模具，使用阻抗桥（ Boonton的广播
型号250A RX计） 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
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3
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD330DWT1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD330DWT1
500
MBD330DWT1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
V
R
，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MBD330DWT1
1.0
T
A
= 100°C
100
MBD330DWT1
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 40°C
10
T
A
= 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
T
A
= 75°C
0.1
T
A
= 25°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
0.001
0
6.0
12
18
V
R
，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
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4
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD770DWT1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD770DWT1
500
MBD770DWT1
400
克拉考尔法
300
1.2
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
R
，反向电压（伏）
40
45
50
0
10
20
40
60
30
50
70
I
F
，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MBD770DWT1
1.0
T
A
= 100°C
100
MBD770DWT1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
T
A
= 75°C
0.1
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0
10
20
30
V
R
，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
V
F
，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
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5
双肖特基势垒二极管
这些肖特基势垒二极管是专为高速开关
应用，电路保护和卷踏歌夹紧。极低的正向
电压降低导通损耗。微型表面贴装封装是极好的
用于手持和便携式应用中，空间是有限的。
极快的开关速度
低正向电压 - 0.35 V @ I
F
= 10 MADC
阴极
6
N / C
5
阳极
4
6
5
4
MBD54DWT1
30伏特
双热载流子
检测器和开关
二极管
1
2
3
1
阳极
2
N / C
3
阴极
SOT–363
CASE 419B -01 ，类型6
最大额定值
（T = 125 ° C除非另有说明）
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向工作电流（DC）的
结温
存储温度范围
符号
V
R
P
F
价值
30
150
I
F
T
J
T
英镑
1.2
200最大
125最大
-55到+150
单位
伏
mW
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
器件标识
MBD54DWT1 = BL
电气CHARACT
ERISTICS
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
特征
反向击穿电压（I
R
= 10
A)
总电容（V
R
= 1.0 V，F = 1.0兆赫）
反向漏电流（V
R
= 25 V)
正向电压（I
F
= 0.1 MADC ）
正向电压（I
F
= 30 MADC ）
正向电压（I
F
= 100 MADC ）
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）R
C
T
I
R
V
F
V
V
F
F
民
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
7.6
0.5
0.22
0.41
0.52
—
0.29
0.35
—
—
—
最大
—
10
2.0
0.24
0.5
1.0
5.0
0.32
0.40
200
300
600
单位
伏
pF
μAdc
VDC
VDC
VDC
ns
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
t
rr
(I
F
= I
R
= 10 MADC ，我
R（ REC ）
= 1.0 MADC ）图1
正向电压（ I F = 1.0 MADC ）
V
F
正向电压（ I F = 10 MADC ）
V
F
正向工作电流（DC）的
I
F
重复峰值正向电流
I
FRM
非重复性峰值正向电流（T <1.0s ）I
FSM
MBD54–1/4
MBD54DWT1
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10毫安。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10毫安。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
1000
I
F
，正向电流（mA ）
I
R
，反向电流（M A）
100
10
10
1
1.0
0.1
0.01
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.001
0
5
10
15
20
25
30
V
F
，正向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
C
T
，总电容（PF ）
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（伏）
图4.总电容
MBD54–2/4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
对于采用SOT -363表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
SOT–363
0.5毫米（分钟）
0.4毫米（分钟）
1.9 mm
SOT- 363功耗
采用SOT -363的功耗是一个函数
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
by
TJ（MAX）
，的最大额定结温
死，R
qJA
从器件结热阻
至室温，并在操作温度，
T
A
。使用
所提供的数据手册SOT- 363封装的价值观，
PD
可以计算如下：
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
θJA
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为环境温度
T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为150毫瓦。
P
D
=
150°C – 25°C
= 150毫瓦
833°C/W
为SOT -363封装的833 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的150毫瓦的功率耗散。
还有其他的替代品，以实现更高的功率显示
从SOT -363封装sipation 。另一种选择
将是使用陶瓷基板或
铝核心板，如热分支。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度高于
该装置的额定温度。当整个
器件被加热到高温时，失败的COM
很短的时间，可能会导致DE-内完整的焊接
副失败。因此，下列项目应始终
方法，以便最大限度地减少热应力被观察
到的设备进行。
始终预热装置。
预热和溶胶之间的温度增量
dering应为100 ℃或更低。 *
当预热和焊，温度
的动态的情况下，必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
从预热焊接过渡时，马克西
妈妈温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后 ，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
荷兰国际集团的冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起EX-
cessive热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
0.65 mm 0.65 mm
MBD54–3/4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
包装尺寸
SC- 88 （ SOT- 363 ）
CASE 419B -01
ISSUE摹
A
G
V
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
MILLIMETERS
民
1.80
1.15
最大
2.20
1.35
6
5
4
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
0.2 (0.008)
M
民
0.071
0.045
最大
0.087
0.053
D
6 PL
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026BSC
–––
0.004
0.004
0.004
0.010
0.012
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65BSC
–––
0.10
0.10
0.10
0.25
0.30
B
M
N
H
J
K
N
S
J
0.008 REF
0.079
0.087
0.012
0.016
0.20 REF
2.00
2.20
0.30
0.40
C
V
风格1 ：
H
K
PIN 1.发射器2
2. BASE 2
3.集热器1
4.发光体1
5.基地1
6.器2
MBD54–4/4
双肖特基势垒二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件于一体的小六减小电路板空间
引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵，如便携式
产品。
6
5
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
4
表面贴装比较：
面积（mm）
最大包P
D
（ mW）的
2
SOT–363
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
1
2
3
设备数量
SOT–363
CASE 419B -01 ，类型6
节省空间：
包
SOT–363
1 × SOT -23
40%
2 × SOT -23
70%
阴极
6
N / C
5
阳极
4
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备分拆我们的流行
MMBD101LT1 ， MMBD301LT1和MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计
对于高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。随时提供给其他很多
快速切换的RF和数字应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
·低反向漏
1
阳极
2
N / C
3
阴极
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
前向功率耗散
T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
VDC
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
MBD110–1/5
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
C
T
MBD110DWT1
C
T
MBD330DWT1
MBD770DWT1
I
R
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
V
F
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
A
NADC
NADC
dB
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
—
0.88
1.0
pF
符号
V
（ BR ）R
民
7.0
30
70
典型值
10
—
—
最大
—
—
—
pF
单位
伏
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
MBD110–2/5
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征 - MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
100
0.2
I
F
，正向电流（mA ）
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
I
R
，反向漏电流（ μ A）
10
0.1
0.07
0.05
1.0
0.02
0.01
30
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
A
，环境温度（ ° C）
V
F
，正向电压（伏）
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
9
C，电容（pF ）
0.9
NF ，噪声系数（dB ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0.8
0.7
0.6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
V
R
，反向电压（伏）
P
LO
，本振功率（mW ）
图3.电容
图4.噪声系数
注意测试和规格
注1 - C
C
和C
T
使用电容测量
tance桥（ Boonton的电子型号75A
或同等学历） 。
注2 - 噪声系数下测得二极管
使用超高频噪声测试中调整贴装二极管
源和本地振荡器（LO）频率的
1.0 GHz的。本振功率调整为1.0
毫瓦。我
F
放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 L -
S
测量上具有一个包
图5.噪声系数测试电路
短，而不是一个模具中，用一个阻抗
桥（ Boonton的无线电型号250A RX计） 。
MBD110–3/5
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征MBD330DWT1
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
τ
，少数载流子寿命（ PS ）
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
2.8
500
C
T
，总电容（PF ）
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
I
F
，正向电流（mA ）
图6.总电容
图7.少子寿命
10
100
I
R
，反向漏电流（ μA ）
1.0
I
F
，正向电流（mA ）
10
0.1
1.0
0.01
0.001
0
0.1
6.0
12
18
24
30
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
R
，反向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图8.反向漏
图9.正向电压
MBD110–4/5
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征MBD770DWT1
1.6
τ
，少数载流子寿命（ PS ）
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
2.0
500
C
T
，总电容（PF ）
400
1.2
300
0.8
200
0.4
100
0
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
I
F
，正向电流（mA ）
图10 。总电容
图11.少数载流子寿命
10
100
I
R
，反向漏电流（ μA ）
1.0
I
F
，正向电流（mA ）
10
0.1
1.0
0.01
0.001
0
0.1
10
20
30
40
50
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
R
，反向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图12.反向漏
图13.正向电压
MBD110–5/5
ON Semiconductort
双肖特基势垒二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件在一个小的板级空间缩小
六引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵，如
便携式产品。
表面贴装比较：
SOT–363
面积（mm2）
最大包装PD （MW ）
设备数量
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
安森美半导体首选设备
6
5
4
1
2
3
CASE 419B -01 ，类型6
SOT–363
节省空间：
包
SOT–363
1

SOT–23
40%
2

SOT–23
70%
阳极1
N / C 2
阴极3
6阴极
5 N / C
4阳极
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备
分拆大受欢迎的MMBD101LT1 ， MMBD301LT1 ，并
MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计为
高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。容易
可用于许多其它快速开关的射频和数字应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
符号
VR
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
VDC
前向功率耗散
TA = 25°C
结温
存储温度范围
PF
TJ
TSTG
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 订正
出版订单号：
MBD110DWT1/D
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
CT
MBD110DWT1
CT
MBD330DWT1
MBD770DWT1
IR
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
VF
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
A
NADC
NADC
dB
—
0.88
1.0
pF
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
http://onsemi.com
2
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = -40°C
1.0
TA = 25°C
MBD110DWT1
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
0.02
MBD110DWT1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
MBD110DWT1
2
4.0
1
0.1
0.2
MBD110DWT1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - CC和CT使用的是电容测量
桥（ Boonton的电子型号75A或等价
借出） 。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和本地振荡器
（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率调整
1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 - LS上测量具有短的，而不是一个包
模具，使用阻抗桥（ Boonton的广播
型号250A RX计） 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
http://onsemi.com
3
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD330DWT1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD330DWT1
500
400
克拉考尔法
300
200
100
0
MBD330DWT1
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MBD330DWT1
IR ，反向漏电流（
m
A)
1.0
TA = 100℃
TA = 75℃
100
IF ，正向电流（mA ）
MBD330DWT1
TA = -40°C
TA = 85°C
10
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
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4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征
MBD770DWT1
2.0
CT ，总电容（PF ）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
MBD770DWT1
500
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD770DWT1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
50
0
10
20
30
50
70
40
60
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MBD770DWT1
TA = 100℃
TA = 75℃
100
IF ，正向电流（mA ）
MBD770DWT1
IR ，反向漏电流（
m
A)
1.0
10
TA = 85°C
TA = -40°C
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
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