富士通半导体
数据表
DS05-50229-2E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
32M （ × 16 ）Flash存储器&
4M （ × 16 ）静态RAM
MB84VD22181FM
-70
/MB84VD22191FM
-70
s
特点
电源2.7 V电压为3.1 V
高性能
70 ns的最大访问时间（闪存）
70 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
–30
°C
+85
°C
包56球FBGA
（续）
s
产品阵容
产品型号
电源电压（ V）
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
MB84VD22181FM/VD22191FM
V
CC
F = 3.0 V
70
70
30
+0.1 V
–0.3 V
V
CC
S = 3.0 V
70
70
35
+0.1 V
–0.3 V
注意：两个V
CC
F且V
CC
s必须是在推荐的工作范围内时，被访问的任一部件。
s
包
56球FBGA封装胶
(BGA-56P-M03)
MB84VD22181FM/VD22191FM
-70
（续）
闪存
可同时读/写操作（双行）
FlexBank
TM
*
1
银行A ： 4兆位（ 8 KB
×
7和64 KB
×
7)
B组： 12兆位（ 64 KB
×
24)
银行C： 12兆位（ 64 KB
×
24)
银行D： 4兆位（ 64 KB
×
8)
两个虚拟银行从四个物理银行的组合选择
主机系统可以编程或擦除在一个银行，然后从另一立即同时读
银行，读取和写入操作之间的零延迟。
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
在字模式八4K字和63字32K部门
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VD22181 ：热门行业
MB84VD22191 ：底部部门
嵌入式擦除
TM
*
2
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*
2
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
F写禁止
≤
2.5 V
HiddenROM地区
256字节HiddenROM ，通过一个新的访问“ HiddenROM启用”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护“最外层” 2
×
8个字节的引导扇区，无论部门保护/解除保护
状态。
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，提高了程序的性能
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参考“ MBM29DL32TF / BF”数据表中的详细功能
SRAM
功耗
工作40 mA最大
待机： 10
A
最大
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.1 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制： LB （ DQ
7
到DQ
0
） ， UB （ DQ
15
到DQ
8
)
* 1： FlexBank
TM
是日本富士通株式会社的注册商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
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