绝对最大额定值
IN, PWRGD到GND ............................................. .....- 0.3V至+ 6V
V
DD
到GND ..................- 0.3V至+ 4V或更低(V
IN
+ 0.3V)
COMP , FB ,模式, REFIN , CTL1 , CTL2 , SS ,
FREQ至GND ..........................................- 0.3V至( V
DD
+ 0.3V)
OUT , EN到GND ............................................. .........- 0.3V至+ 6V
BST到LX ............................................... ...................- 0.3V至+ 6V
BST到GND ............................................... .............- 0.3V至+ 12V
PGND到GND ............................................... ........- 0.3V至+ 0.3V
LX到PGND ..................- 0.3V至+ 6V或更低(V
IN
+ 0.3V)
LX到PGND ..........- 1V至+ 6V或更低(V
IN
+ 1V )为50ns的
I
LX ( RMS )
(注1 ) .............................................. ........................ 4A
V
DD
输出短路持续时间.............................连续
转换器的输出短路持续时间....................连续
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
24引脚TQFN (减免27.8mW / ° C以上+ 70 ° C) ........ 2222mW
热阻(注2 )
θ
JA
.................................................................................36°C/W
θ
JC
..................................................................................6°C/W
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............... + 300℃
注1 :
LX具有内置钳位二极管,以保护地和IN 。应用正向偏压这些二极管应注意不要超过
IC的封装功耗限制。
注2 :
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到,使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息,请参阅
www.maxim-ic.com.cn/thermal-tutorial 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= V
EN
= 5V ,C
VDD
= 2.2μF ,T
A
= T
J
= -40 ° C至+ 85°C ,典型值是在T
A
= + 25°C ,图1的电路中,除非另有
说明。 ) (注3)
参数
IN
电压范围
电源电流
从总的关断电流
3.3V LDO (V
DD
)
V
DD
升起
V
DD
欠压锁定
门槛
V
DD
输出电压
V
DD
降
V
DD
电流限制
BST
BST电源电流
PWM比较器
PWM比较器传播
延迟
PWM峰 - 峰值斜坡
振幅
PWM谷幅度
10mV的过载
20
1
0.8
ns
V
V
V
BST
= V
IN
= 5V, V
LX
= 0或5V ,V
EN
= 0
0.025
μA
LX启动/停止开关
V
DD
落下
最小毛刺宽度
拒绝
V
IN
= 5V ,我
VDD
= 0至10mA
V
IN
= 2.9V ,我
VDD
= 10毫安
V
IN
= 5V, V
DD
= 0
25
40
3.1
2.35
2.6
2.55
10
3.3
3.5
0.08
2.8
V
μs
V
V
mA
f
S
= 1MHz时,无负载
V
IN
= 5V, V
EN
= 0
V
IN
= V
DD
= 3.3V, V
EN
= 0
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 5V
2.9
4.7
5
10
45
5.5
8
8.5
20
V
mA
μA
条件
民
典型值
最大
单位
2
_______________________________________________________________________________________