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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第893页 > MAT14ARZ-RL
匹配的单片四路晶体管
MAT14
特点
低失调电压: 400 μV最大
高电流增益: 300最低
出色的电流增益匹配: 4 %最大
低电压噪声密度为100赫兹, 1毫安
3内华达州/ √Hz的最大
出色的对数一致性
体积电阻(R
BE
) = 0.6 Ω最大
保证匹配所有晶体管
引脚配置
C
1 1
B
1 2
E
1 3
4
E
2 5
B
2 6
C
2 7
14
13
C
4
B
4
E
4
MAT14
12
顶视图
11
(不按比例)
10
E
3
8
C
3
图1 。
应用
低噪声运算放大器前端
电流镜和灌/拉电流
低噪声仪表放大器
电压控制衰减器
对数放大器
概述
该MAT14是一款四单片NPN晶体管报价
出色的参数匹配精密放大器和
非线性电路应用。性能特点
在MAT14包括高增益( 300最小)在宽
集电极电流范围,低噪声( 3内华达州/ √Hz的最大值
100Hz时,我
C
= 1 mA)的,和优良的对数一致性。
该MAT14还具有100 μV典型的低失调电压
紧电流增益匹配在4%以内。的每个晶体管
在MAT14是单独测试数据表规格。
匹配参数(失调电压,输入偏置电流,
和增益匹配),每一双晶体管的组合是
验证,以满足规定的限制。设备性能有保证
在25 ℃的环境温度下和在整个工业温
温度范围内。
匹配参数的长期稳定性有保证
通过保护二极管两端的基极发射极结
每个晶体管。这些二极管防止公测退化和
由于匹配特性,反向偏置,基极发射极电流。
优越的对数一致性和精确匹配
在MAT14的特性使得它使用的最佳选择
在数和反对数电路。该MAT14是一个理想的选择
应用中的低噪声和高增益是必需的。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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联系电话: 781.329.4700
传真: 781.461.3113
2010 ADI公司保留所有权利。
09045-001
9
B
3
MAT14
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
引脚配置................................................ ............................. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
热阻................................................ ....................... 4
ESD注意事项................................................ ................................... 4
典型性能特征.............................................. 5
工作原理............................................... .......................... 8
应用信息................................................ ............. 8
外形尺寸................................................ .......................... 9
订购指南................................................ ............................. 9
修订历史
12月10日 - 修订版。 0到版本A
更改概述.............................................. ...... 1
在表的更改工作温度范围2 ................. 4
更新的外形尺寸............................................... .......... 9
更改订购指南.............................................. .............. 9
10月10日 - 修订版0 :初始版
版本A |第12页2
MAT14
特定网络阳离子
电气特性
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
表1中。
参数
DC和AC特性
电流增益
符号
h
FE
测试条件/评论
10 μA ≤我
C
= 1毫安
0 V ≤ V
CB
≤ 30 V
1
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 100 A
2
0 V ≤ V
CB
≤ 30 V
I
C
= 1毫安, V
CB
= 0
3
f
O
= 10赫兹
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1千赫
10 μA ≤我
C
= 1毫安
4
0 V ≤ V
CB
≤ 30 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
0 V ≤ V
CB
≤ 30 V
4
10 μA ≤我
C
= 1毫安
10 μA ≤我
C
= 1毫安
4
, V
CB
= 0 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 100 μA ,V
CB
= 0 V
I
C
= 10 A
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 1毫安, V
CE
= 10 V
V
CB
= 40 V
-40°C ≤T
A
≤ +85°C
V
CS
= 40 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
V
CE
= 40 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 100 μA , 0 V≤ V
CB
≤ 30 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 100 μA ,V
CB
= 0 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 100 A
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 1毫安,我
B
= 100 A
V
CB
= 15 V,I
E5
= 0中,f = 1 MHz的
10 μA ≤我
C
= 10 mA时, V
CB
= 0 V
6
V
CB
= 15 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
典型值
最大
单位
300
200
电流增益匹配
噪声电压密度
Δh
FE
e
N
600
500
1
4
%
2
1.8
1.8
100
120
100
10
0.4
40
40
300
5
0.5
0.5
0.7
3
5
165
200
2
8
100
0.03
10
0.4
40
4
3
3
400
520
200
50
2
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
μV
V
V
μV/°C
V
V
兆赫
pA
nA
nA
nA
nA
nA
失调电压
V
OS
偏移电压随V
CB
变化
偏移电压随我
C
变化
失调电压漂移
击穿电压
增益带宽积
收藏家泄漏电流
BASE
基板
辐射源
输入电流
BIAS
OFFSET
失调漂移
集电极饱和电压
输出电容
体积电阻
输入电容
1
2
ΔV
OS
/ΔV
CB
ΔV
OS
/ΔI
C
ΔV
OS
/ΔT
BV
首席执行官
f
T
I
CBO
I
CS
I
CES
I
B
I
OS
ΔI
OS
/ΔT
V
CE ( SAT )
C
敖包
r
BE
C
EBO
330
500
13
40
nA
nA
nA
nA
PA / ℃,
V
pF
Ω
pF
0.06
0.6
在我测的电流增益
C
= 10 μA , 100 μA和1 mA的电流。
电流增益匹配(△H
FE
)定义为:的Δh
FE
= (100(ΔI
B
)(h
FE分钟
)/I
C
).
3
样品测试。
4
测量我
C
= 10 μA ,并保证通过设计对我指定范围
C
.
5
请参阅表2的发射极电流额定值。
6
通过设计保证。
版本A |第12页3
MAT14
绝对最大额定值
表2中。
参数
电压
集电极 - 基极电压( BV
CBO
)
集电极 - 发射极电压( BV
首席执行官
)
集电极 - 集电极电压( BV
CC
)
发射极 - 发射极电压( BV
EE
)
当前
集电极电流(I
C
)
发射极电流(I
E
)
温度
存储温度范围
工作温度范围
结温范围
等级
40 V
40 V
40 V
40 V
30毫安
30毫安
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下,也就是说,一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
表3.热阻
套餐类型
14引脚SOIC
θ
JA
115
θ
JC
36
单位
° C / W
ESD警告
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
版本A |第12页4
MAT14
典型性能特性
700
680
660
640
620
600
580
560
540
520
500
480
460
440
420
400
380
360
340
320
300
0.001
0.70
0.65
T
A
= 125°C
基极发射极 - 通态电压( V)
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.001
电流增益( β )
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
09045-002
0.01
0.1
集电极电流(毫安)
1
0.01
0.1
1
集电极电流(毫安)
10
图2.电流增益与集电极电流
700
680
660
640
620
600
580
560
540
520
500
480
460
440
420
400
380
360
340
320
300
–50
100
图5.基地发射极导通电压与集电极电流
10
电流增益( β )
V
CB
= 20V
输入阻抗
(MΩ)
1
V
CB
= 0V
0.1
0.01
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
09045-003
150
0.01
0.1
1
集电极电流(毫安)
10
图3.电流增益与温度的关系
3.0
图6.小信号输入电阻与集电极电流
1m
电压噪声密度(NV / srtHz )
2.5
0.1m
2.0
电导( )
0.01m
1.5
1
1.0
NOISE = 100Hz的
0.5
0.1
NOISE = 10Hz的
0
2
4
6
8
集电极电流(I
C
)
10
12
1
0.01m
0.1m
1m
0.01
集电极电流( A)
0.1
1
图4.电压噪声密度与集电极电流
图7.小信号输出电导与集电极电流
版本A |第12页5
09045-007
0
09045-004
0.01
09045-006
0.001
0.001
09045-005
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
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联系人:王
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