【M68Z1285V ， 1兆位（ 128KB ×8 ）低功耗SRAM与输出使能s超低数据保持电流- 】,IC型号M68Z128-55N1,M68Z128-55N1 PDF资料,M68Z128-55N1经销商,ic,电子元器件-51电子网

M68Z128

5V ， 1兆位（ 128KB ×8 ）低功耗SRAM与输出使能

超低数据保持电流

- 在10nA （典型值）

- 2.0μA （最大）

工作电压： 5V ±10 ％

128KB ×8非常快速SRAM与输出

启用

平等周期和访问时间： 55ns

低V

数据保存： 2V

TRI- STATE通用I / O

低电平有效和备用电源

自动断电WHEN

取消

旨在用于ST

ZEROPOWER

与TIMEKEEPER

控制器

图1.逻辑图

TSOP32 （ N）

8× 20毫米

描述

该M68Z128是1兆位（ 1,048,576位） CMOS

SRAM ，按照8位为131,072字。该

器件具有完全静态操作无需

外部时钟或定时选通，与AD-相等

穿着访问和周期时间。它需要一个单一的

5V ±10 ％电源，所有输入和输出

TTL兼容。

A0-A16

VCC

DQ0-DQ7

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

2000年3月

地址输入

数据输入/输出

芯片使能1

芯片使能2

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

在内部没有连接

1/12

M68Z128

VSS

AI00647

M68Z128

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

英镑

IO （2）

O (3)

参数

工作环境温度

储存温度

输入或输出电压

电源电压

输出电流

功耗

价值

0到70

-65到150

-0.3到V

+ 0.3

-0.3 7.0

单位

°C

注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能

对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件

超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质

性文件。

2.最多的最高工作V

5.5V而已。

3.一个输出的时间，不超过100秒的持续时间。

图2. TSOP连接

A11

A13

A15

VCC

A16

A14

A12

M68Z128

AI00657

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

读取模式

该M68Z128是在读取模式时

写使能（ W）是高配输出使能（ G）

低，并且两个芯片使能（ E1和E2 ）是AS-

牢固插入。这提供了从8对数据的访问

的1,048,576位置静态存储器阵列中，

由17地址输入指定。有效的数据会

可于内吨的八个输出引脚

AVQV

最后一个稳定的写入后，提供G为低，

E1是低和E2为高。如果芯片使能或输出

启用访问时间不满足，数据访问会

从限制参数（吨测

E1LQV

E2HQV

或T

GLQV

），而不是地址。数据出

可能是不确定的在t

E1LQX

, t

E2HQX

和T

GLQX

但数据线将始终在t有效

AVQV

写模式

该M68Z128是在写入模式时的

W和E1引脚是低，与E2高。无论是

芯片使能输入（ E1和E2）或写入恩

能输入（ W）必须进行寻址时撤除

礼服过渡后续的写入周期。

写开头两个芯片的同意

使活跃和W低。因此， AD-

礼服建立时间是参照写使能和

这两个芯片使为t

AVWL

, t

AVE1L

和T

AVE2H

重

spectively ，并通过后者occur-确定

环边缘。

在写入周期可以由提前终止

上升的E1 ，W或E2的下降沿的边沿。

如果输出使能（ E1 =低， E2 =高和

G =低），则W将返回输出高im-

T内pedance

WLQZ

其下降沿。必须注意

要注意避免在这种类型的OP-的总线争

累加器。数据输入必须是有效的对于T

DVWH

前

写的上升沿使能，或者用于吨

DVE1H

BE-

前的E1或吨上升沿

DVE2L

前

该设备具有自动断电功能，

降低功率消耗了99％以上

取消的时候。

该M68Z128可在TSOP32 （ 8× 20毫米）

封装。

2/12

M68Z128

表3.操作模式

手术

读

写

DESELECT

注：1，X = V

或V

DQ0-DQ7

高阻

数据输出

数据输入

高阻

动力

活跃

待机

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

15ns

0至3V

图3. AC测试负载电路

5.0V

1.5V

注意：输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

1800

E2的下降沿，以先到为准，并重新

主要适用于吨

WHDX

, t

E1HDX

或T

E2LDX

经营模式

该M68Z128有一个芯片使能省电为特色的

TURE它调用自动待机模式

无论何时无论是芯片使能撤除（ E1 =

高或E2 =低）。输出使能（ G）信号

提供高速三态控制，允许

快速读/写周期与的COM来实现

周一I / O数据总线。操作模式是阻止 -

通过设备控制输入W， E1和E2的所开采

总结的操作模式表。

表5.电容

(1)

= 25 ° C，F = 1兆赫）

符号

出（2）

参数

所有引脚上的输入电容（除了DQ ）

输出电容

设备

下

TEST

990

OUT

CL = 50pF的或5pF的

CL INCLUDES夹具电容

AI00658B

测试条件

= 0V

OUT

= 0V

民

最大

单位

注： 1。采样只，而不是100 ％测试。

2.输出取消。

3/12

M68Z128

图4.框图

(9)

芯片使能。

(8)

输入

数据

CTRL

I / O电路

COLUMN

解码器

ROW

解码器

内存

ARRAY

VCC

VSS

芯片使能。

芯片

启用

(8)

AI00665

表6.直流特性

= 0至70℃ ; V

= 5V ±10%)

符号

CC1 (1)

CC2 (2)

CC3 (3)

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机） TTL

电源电流（待机） CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -1mA

2.4

测试条件

≤

OUT

≤

= 5.5V, (-55)

= 5.5V ， E1 = V

E2 = V

, f =0

= 5.5V ， E1

≥

– 0.3V

或E2

≤

0.3V ， F = 0

–0.3

2.2

0.1

0.4

民

典型值

最大

±1

0.8

+ 0.3

0.4

单位

注：1，平均交流电流，输出开路，骑自行车在t

AVAV

最低限度。

2.所有其他输入在V

≤

0.8V或V

≥

2.2V.

3.所有其他输入在V

≤

0.3V或V

≥

–0.3V.

4/12

M68Z128

表7.阅读和待机模式AC特性

= 0至70℃ ; V

= 5V ±10%)

M68Z128

符号

参数

民

AVAV

AVQV （1）

E1LQV （1）

E2HQV （1）

GLQV （1）

E1LQX （3）

E2HQX （3）

GLQX （3）

E1HQZ （2,3）

E2LQZ （2,3）

GHQZ （2,3）

AXQX （1）

读周期时间

地址有效到输出有效

芯片使能1低到输出有效

芯片使能2高到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能1低到输出转换

芯片使能2高到输出转换

输出使能低到输出转换

芯片使能1高到输出高阻

芯片使能低2到输出高阻

输出使能高到输出高阻

地址转换到输出转换

芯片使能1低或芯片使能2高加电

芯片使能1高或芯片使能低2到掉电

-55

最大

单位

注： 1。

= 100pF的。

2. C

= 5pF的。

3.在任何给定的温度和电压条件下，叔

EIHQZ

+ t

EZHQZ

小于吨

EILQX

和T

EZLQX

, t

GHQZ

小于吨

GLQX

对于任何

指定设备。

图5.地址控制，读取模式AC波形

tAVAV

A0-A16

tAVQV

有效

tAXQX

DQ0-DQ7

数据有效

AI01078

注： E1 =低， E2 =高，G =低，W =高。

5/12