射频功率场效应晶体管
LDMOS ， 1800至2000年兆赫， 90W ， 26V
5/14/04
初步
MAPLST1820-090CF
特点
设计用于在基站中的应用程序
1805-1880MHz和1930-1990MHz频率
乐队。适用于GSM，EDGE ，TDMA
CDMA和多载波放大器
应用
典型的边缘表现@ 1880MHz ，
26V ， IDQ = 900毫安：
输出功率： 45W
功率增益： 13分贝（典型值）。
效率： 35 ％ （典型值）。
包装样式
P-240
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
+20, -20
206
-40到+150
+200
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.85
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和包装的预防措施
MOS器件应观察。
RF功率LDMOS晶体管， 1800年至2000年兆赫， 90W ， 26V
MAPLST1819-090CF
5/14/04
初步
特征
直流特性@ 25C
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100 μAdc ）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0)
栅极阈值电压
(V
DS
= 26伏直流，我
d
= 60 mA）的
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
d
= 900 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
动态特性@ 25C
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
RF功能测试@ 25C （在M / A - COM测试夹具）
共源放大器增益
(V
DS
= 26伏直流，我
DQ
= 900 mA时， F = 1880兆赫，P
OUT
= 90 W)
漏EF网络效率
(V
DS
= 26伏直流，我
DQ
= 900 mA时， F = 1880兆赫，P
OUT
= 90 W)
输入回波损耗
(V
DS
= 26伏直流，我
DQ
= 900 mA时， F = 1880兆赫，P
OUT
= 90 W)
输出VSWR容差
(V
DS
= 26伏直流，我
DQ
= 900 mA时， F = 1880兆赫，P
OUT
= 90 W,
驻波比= 5:1 ，全相位角在测试的频率）
G
p
EFF （N ）
IRL
Ψ
—
—
—
13
35
-10
—
—
—
dB
%
dB
C
RSS
—
4.5
—
pF
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
DS （ ON）
Gm
65
—
—
2
3
—
—
—
—
—
—
—
0.10
7.0
—
10
1
5
0.4
—
—
VDC
μAdc
μAdc
VDC
VDC
VDC
S
符号
民
典型值
最大
单位
在输出功率不降低
试验前后
2
RF功率LDMOS晶体管， 1800年至2000年兆赫， 90W ， 26V
MAPLST1819-090CF
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初步
14
13
12
11
1880MHz ， 26V
DC
, I
DQ
=900mA
45
40
35
30
增益（dB ）
9
8
7
6
5
28
收益
效率
EVM
20
15
10
5
0
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
噘嘴（平均） dBm的
图1. EDGE ：增益和误差矢量幅度与输出功率
-30
-35
-40
-45
ACPR （ DBC）
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
35
1880MHz ， 26V
DC
, I
DQ
=900mA
50
45
40
效率（％）
35
ACPR （ 400KHz时）
ACPR （ 600kHz的）
EFF （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
37
39
41
43
45
47
49
的Pout （ dBm的）
图2. EDGE ：效率和相邻信道功率比与输出功率
EFF / EVM
(%)
10
25
3
RF功率LDMOS晶体管， 1800年至2000年兆赫， 90W ， 26V
MAPLST1819-090CF
5/14/04
初步
包装尺寸
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4
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
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