CYStech电子股份有限公司
N沟道MOSFET
规格。编号: C320N3
发行日期: 2007年11月6日
修订日期:二〇〇八年二月二十零日
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MTNK1N3
描述
该MTNK1N3是一个N沟道增强型MOSFET 。
特点
低导通电阻
高ESD
高开关速度
低电压驱动( 4V )
易于设计的驱动电路
易于并联使用
= Pb-Free包装
符号
MTNK1N3
D
概要
SOT-23
D
G
G
S
S
G:门
S:源
D:漏
MTNK1N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
反向漏电流
总功耗
ESD敏感性
通道温度
储存温度
连续
脉冲
连续
脉冲
规格。编号: C320N3
发行日期: 2007年11月6日
修订日期:二〇〇八年二月二十零日
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符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
P
D
T
CH
TSTG
范围
60
±20
115
700
*1
115
700
*1
200
*2
1250
*3
+150
-55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
V
°C
°C
注: * 1 。脉冲宽度
≤
300μS ,占空比
≤2%
* 2 。当设备被安装在一个玻璃环氧树脂板面积测量1 × 0.75 × 0.62英寸
* 3 。人体模型, 1.5kΩ的串联100pF电容
电气特性
(Ta=25°C)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
BV
DSS *
60
-
-
V
GS ( TH)
1
-
2.5
I
GSS
-
-
±10
I
DSS
-
-
1
-
3.6
5.5
R
DS ( ON) *
-
3
5
G
FS
100
-
-
C
国际空间站
-
7.32
-
C
OSS
-
3.42
-
C
RSS
-
7.63
-
单位
V
V
μA
μA
Ω
mS
pF
测试条件
V
GS
=0, I
D
=10μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
I
D
= 100mA时V
GS
=5V
I
D
= 100mA时V
GS
=10V
V
DS
= 10V ,我
D
=100mA
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380μs,
值班Cycle≤2 %
订购信息
设备
MTNK1N3
包
SOT-23
(无铅)
航运
3000个/带卷&
记号
702
MTNK1N3
CYStek产品规格