MAC9D ， MAC9M ， MAC9N
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
专为高性能的全波交流控制应用
其中，高抗干扰，高换向的di / dt是必需的。
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特点
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的8.0安培RMS在100℃
统一的门极触发电流在三个象限
高抗dv / dt的 - 500 V / ms最小在125°C
最大限度地减少缓冲网络的保护
工业标准TO- 220AB封装
整流高的di / dt - 6.5 A / MS最低在125°C
无铅包可用*
双向可控硅
8 RMS安培
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC9D
MAC9M
MAC9N
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，T
C
= 100°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
8.0
80
A
A
价值
单位
V
MAC9xG
AYWW
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
3
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
26
16
0.35
-40到+125
-40到+150
A
2
美国证券交易委员会
W
1
W
°C
°C
2
3
4
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC9D
MAC9DG
MAC9M
MAC9MG
MAC9N
MAC9NG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第3版
出版订单号：
MAC9/D
MAC9D ， MAC9M ， MAC9N
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
=
±
11 A峰值）
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±150
毫安）
擎住电流（V
D
= 24 V，I
G
= 50 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
门极触发电压（V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门非触发电压（V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= 125°C)
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的;参见图10 。
(V
D
= 400 V，I
TM
= 4.4 A，换向dv / dt的= 18 V / ms的，
门打开，T
J
= 125°C ， F = 250赫兹，无缓冲）
（ di / dt的）
c
C
L
= 10
mF
L
L
= 40 MH
dv / dt的
500
V / ms的
6.5
A / MS
V
TM
I
GT
10
10
10
I
H
I
L
V
GT
0.5
0.5
0.5
V
GD
0.2
0.69
0.77
0.72
1.5
1.5
1.5
V
20
30
50
80
V
16
18
22
30
50
50
50
50
mA
mA
1.2
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，
门打开，T
J
= 125°C)
2.指示脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
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2
MAC9D ， MAC9M ， MAC9N
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC9D ， MAC9M ， MAC9N
100
IGT ，门极触发电流（mA）
Q2
Q3
Q1
10
VGT ，门极触发电压（ VOLT ）
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
50
Q3
Q1
Q2
1
50
30
10
30
70
10
50
90
T
J
，结温（ ° C）
110
130
30
10
10
70
30
50
90
T
J
，结温（ ° C）
110
130
图6.门极触发电流变化
图7.门极触发电压变化
的dv / dt ，上升断态电压临界速率（V /
μ
s)
5000
4K
3.5K
3K
2.5K
2K
1.5K
1K
500
0
1
MT2正
10
100
R
G
，门主终端1电阻（欧姆）
1000
MT2负
（ dv / dt的）C ，上升的暴击率
换向电压（V /
μ
s)
4.5K
100
10
T
J
= 125°C
100°C
75°C
t
w
V
DRM
f=
1
2 t
w
6F我
TM
1000
（ di / dt的）
c
=
1
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
（ di / dt的）
c
，变化率换向电流学报（A / MS ）
断态电压上升图8.爆击率
（指数）
崛起的图9.爆击率
整流电压
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
， 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
1N4007
收费
+
MT2
1N914 51
W
G
MT1
200 V
非极性
C
L
注：组件值进行验证额定（ di / dt的）的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图10.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率（ di / dt的）
c
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5
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