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MSC1090M
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI MSC1090M
是一个普通的
基地C级晶体管，为设计
从1025航空电子设备，二甲醚的应用
到1150兆赫。
包装风格.250 2L FLG （B ）
A
.100 X 45°
D
1
4
2
E
F
.088 x 45°
倒角
C
B
3
产品特点：
内部输入匹配网络
P
G
= 8.4分贝在90 W / 1150 MHz的
Omnigold
金属化系统
G
H
K
I
J
暗淡
A
B
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.095 / 2.41
1.050 / 26.67
.245 / 6.22
.120 / 3.05
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.105 / 2.67
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
250毫安
50 V
290 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.60 ° C / W
C
D
E
F
G
H
I
J
K
.255 / 6.48
.140 / 3.56
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.285 / 7.24
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.120 / 3.05
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.130 / 3.30
.210 / 5.33
1 =集热2 =辐射源3 & 4 = BASE
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
6.3
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
P
IN
= 13 W
I
C
= 100毫安
P
OUT
= 90 W
F = 1025年至1150年兆赫
5
8.4
35
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
1/1
MSC1090M
射频和微波晶体管
航空电子应用
特点
1125至50年兆赫
镀金
输入匹配
无限VSWR能力的@额定条件
P
OUT
= 90 W最小
G
P
= 8.4分贝
描述：
该MSC1090M是设计了一个中等功率C级晶体管
专为脉冲式L波段航空电子应用。低射频热
电阻和发射极平衡确保高可靠性和产品
一致性。
绝对最大额定值（温度上限= 25 ° C）
符号
参数
价值
单位
P
DISS
V
CBO
VCES
VEBO
T
J
I
C
T
英镑
功耗
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
结温
器件的电流
储存温度
220
65
65
3.5
200
5.52
-65到+150
W
V
V
V
C
A
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
.8
° C / W
版本A ， 2010年1月
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MSC1090M
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
的hFE
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5 V
I
E
= 0毫安
R
BE
= 10
I
C
= 0毫安
I
C
= 500毫安
65
65
3.5
---
15
---
---
---
---
---
---
---
---
6.25
120
V
V
V
mA
---
动态
符号
测试条件
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
η
C
G
P
条件
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
P
IN
= 13W
P
IN
= 13W
P
IN
= 13W
V
CE
=50V
V
CE
=50V
V
CE
=50V
90
35
8.4
---
---
---
---
---
---
W
%
dB
脉冲宽度= 10
s
占空比= 1 ％
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MSC1090M
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