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超越

低门槛

硅肖特基跨接四系列

V 1.00

MA4E2544L-1282

特点

极低的寄生Capitance和电感

表面安装的微波电路，无

引线键合要求

坚固HMIC建设与聚酰亚胺划痕

保护

可靠，多层金属化与扩散

道闸， 100 ％稳定烘烤（ 300

°C,

16小时）

低敏感性的ESD损伤

机箱样式1282 - 冠捷

描述

该MA4E2544L - 1282系列超越

低门槛，

硅肖特基跨接四路二极管均选用

该专利的异类微波集成电路

（ HMIC ）的过程。 HMIC电路由硅底座的

该形式的二极管或通路导体嵌入玻璃

电介质，其作为低色散，低损失，

微带传输介质。硅的组合

和玻璃允许HMIC器件具有优异的损耗和

低调功耗特性，可靠的

装置。

在众志成城的肖特基器件是极好的选择

电路要求梁式引线器件的寄生效应小

加上芯片的优越的机械性能。

在超越结构采用非常低的电阻硅

过孔到肖特基接触连接到金属化

安装在芯片上的底面垫。这些

设备是可靠的，可重复的，并且以较低的成本性能

解决了传统设备。它们具有较低的

易受静电放电比传统的光

导致肖特基二极管。

中的制造中使用的多层金属化

超越肖特基结包括一个铂扩散

屏障，它允许所有设备要进行16小时的

非经营稳定烤300

°C.

在“ 0505 ”纲要允许表面贴装位置和

多功能的极性方向。

英寸

MILLIMETERS

暗淡

平方米。

分钟。

0.0445

0.0040

0.0128

马克斯。

0.0465

0.0080

0.0148

分钟。

1.130

0.102

0.325

马克斯。

1.180

0.203

0.375

等效电路

应用

该MA4E2544L - 1282系列超越

低门槛

硅肖特基跨接四路二极管推荐

通过Ku波段的频率在微波电路中使用的

低功率应用中，如混频器，分谐波混频器，

检测器和限制器。该HMIC建设有利于

直接更换更脆弱梁式引线二极管的

对应的超越二极管，其可以连接到一个

硬或软的基板电路与焊料。

超越

低垒硅肖特基二极管：跨接四系列

MA4E2544L-1282

V 1.00

电气规格@ 25°C （测量单二极管）

模型

数

MA4E2544L-1282

TYPE

推荐Vf的@ 1毫安的Ct @ 0 V

频率

（毫伏）

（PF ）

范围

DC - 18 GHz的

330最大

典型值300

0.22最大

0.15 TYP

RT斜率电阻

（ Vf1的 - Vf2的） / （10.5毫安9.5毫安）

(

)

典型值16

20 MAX

低

屏障

Rt是动态的斜率电阻哪里

RT = RS +的Rj ，那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和卢比的

欧姆电阻

最大正向电压差

-VF

@ 1毫安： 10毫伏

处理

所有的半导体芯片应该小心，避免被处理

从汗液和皮肤损伤或污染。该

使用塑料尖镊子或真空皮卡强烈

推荐用于各个组件。的顶表面上

该模具具有一个保护性的聚酰亚胺涂层，以减少损失。

坚固的结构克服这些设备允许

使用标准的处理和芯片粘接技术。这是

需要注意的是工业标准的静电放电

是必需的（ESD）的控制在任何时候，由于敏感

肖特基结的性质。

批量处理应确保耐磨性和机械

震动最小。

芯片粘接

管芯附着于这些设备是通过使用变得简单

表面贴装芯片粘接技术。安装垫

座落在这些底面

设备，并且是活性结对面。该器件

非常适用于较高温度的焊料附着

在坚硬的基板。 80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb37的焊料

可接受的使用情况。

芯片粘接

对于硬质承印物，我们建议采用真空技巧

和60 100克的力均匀地施加到顶部

该装置的表面上，用热气体焊接机用相等

在底部安装的设备的焊盘热施加。

当焊接到软衬底，建议使用

铅 - 锡接口在电路板的安装焊盘。

定位模具，使得它的安装垫与对齐

所述电路板的安装焊盘。通过回流焊锡膏

适用平等热量电路在两个模具安装

垫。焊点不得进行一次，

创建非平等的热流和热应力。焊接

回流焊不应造成热量流动进行

通过模具的顶表面上。由于HMIC玻璃

的安装焊盘透明，边缘可以是在视觉上

通过模具后检查芯片粘接是COMPLET

ED 。

绝对最大额定值

@ +25 °C

参数

工作温度

储存温度

结温

正向电流

反向电压（ 10 Mα ）

RF C.W.入射功率

RF &直流耗散功率

价值

-40 ° C至+150°C

+175 °C

20毫安

+ 20 dBm的

50毫瓦

1.超过任何这些值可能会导致永久性的

损坏

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超越

低垒硅肖特基二极管：跨接四系列

MA4E2544L-1282

V 1.00

MA4E2544L - 1282低壁垒SPICE参数（每个二极管） *

（ nA的）

(

)

12.8

1.20

Cj0

（PF ）

1.0 E-2

0.5

（MA ）

Cjpar

（PF ）

9.0 E-2

(V)

8.0 E-2

0.5

(V)

5.0

IBV

（MA ）

1.0 E-2

* （每个二极管） SPICE参数是基于MA4E2502系列数据表。

电路安装尺寸（英寸）

0.020

0.013

0.020

订购信息

产品型号

MA4E2544L-1282W

MA4E2544L-1282

MA4E2544L-1282T

包

晶片上的相框

死在运营商

磁带/卷

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超越

低垒硅肖特基二极管：跨接四系列

MA4E2544L-1282

V 1.00

MA4E2544L - 1282示意图每二极管

每个二极管的平均价值原理

模型

数

MA4E2544L-1282

LS （ NH）

0.2

卢比（

)

12.8

RJ （

)

26 IDC /

克拉（ pF）的

0.15

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