M87C257
地址锁存
256K （ 32K ×8） UV EPROM和OTP EPROM
综合地址锁存
快速存取时间：为45nS
低功率“ CMOS ”消费：
- 主动电流30mA
- 待机电流100μA
编程电压： 12.75V
对于自动电子签名
程序设计
周围3秒的编程时间。
（ PRESTO II算法）
28
1
FDIP28W （ F）
PLCC32 （ C）
图1.逻辑图
描述
该M87C257是高速262144位紫外
可擦除电可编程EPROM 。
该M87C257采用锁存器的所有地址
输入，降低芯片数量，降低成本，并
简化多路复用总线系统的设计。
窗口陶瓷熔块，密封双列直插封装
年龄有一个透明的盖，其允许用户给
暴露出该芯片于紫外光擦除位
格局。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M87C257在塑料有引线芯片载体提供，
封装。
VCC
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M87C257
表1.信号名称
A0 - A14
Q0 - Q7
E
G
ASV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
地址选通/供应计划
电源电压
地
ASVPP
VSS
AI00928B
1996年6月
1/13
M87C257
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 LCC引脚连接
Q1
Q2
AI00929
VSS
DU
Q3
Q4
Q5
AI00930
ASVPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M87C257
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A12
ASVPP
DU
VCC
A14
A13
1 32
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
A8
A9
A11
NC
G
A10
E
Q7
Q6
9
M87C257
25
17
警告：
NC =不连接， DU = Dont't使用。
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意事项：
1.除评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他
相关的质量文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
设备操作
该M87C257的操作模式列示
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL电平
除了V
PP
和12V的A9电子签名确保
真实存在。
读取模式
该M87C257具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
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M87C257
表3.操作模式
模式
阅读（锁存地址）
阅读（应用地址）
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
ASV
PP
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
V
IL
Q0 - Q7
数据输出
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
80h
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的（ AS = V
IH
）或锁定（ AS =
V
IL
） ，地址存取时间（t
AVQV
）等于
给E延迟输出（T
ELQV
） 。数据可在
吨的延迟后的输出
GLQV
从下降沿
G的假设E已经很低，这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
该M87C257减少了在硬件接口
复用的地址数据总线的系统。该proc-
ESSOR多路复用总线（ AD0 - AD7 ）可以被连接到
该M87C257的地址和数据引脚。无另行
利率地址锁存器是必要的，因为
M87C257锁存所有的地址输入时， AS是
低。
待机模式
该M87C257具有待机模式，该模式减少了
范围为30mA的工作电流为100μA （地址
稳定）。该M87C257被放置在备用
通过施加的CMOS高信号到E模式
输入。当在待机模式下，输出
在高阻抗状态，独立对G的
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。这确保了所有取消的MEM
储器的设备都在其低功耗待机模式
并且，该输出引脚是唯一激活的数据时
从一个特定的存储设备所需的。
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M87C257
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V
±
5％或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流
（待机） TTL
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
E = V
IH
， ASV
PP
= V
IH
，地址开关
E = V
IH
， ASV
PP
= V
IL
，地址稳定
E
≥
V
CC
- 0.2V ， ASV
PP
≥
V
CC
– 0.2V,
地址切换
E
≥
V
CC
- 0.2V ， ASV
PP
= V
SS
,
解决稳定
V
PP
= V
CC
–0.3
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
V
CC
– 0.8V
民
最大
±10
±10
30
10
1
6
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
I
CC2
电源电流（待机）
CMOS
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
注意事项：
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V
±
5％或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
ALT
参数
地址有效到
输出有效
地址有效到
地址选通低
地址选通高
到地址选通低
地址选通低
地址转换
地址选通低
输出使能低
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高到
输出高阻
地址过渡到
输出转换
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
0
0
0
TEST
条件
E = V
IL
，G = V
IL
7
35
20
20
45
25
25
25
0
0
0
M87C257
-45
(3)
-60
-70
-80
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
AVQV
t
AVASL
t
ASHASL
t
ASLAX
t
ASLGL
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
(2)
t
加
t
AL
t
LL
t
LA
t
LOE
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
45
7
60
7
35
20
20
60
30
30
30
0
0
0
35
20
20
70
7
35
20
20
70
35
30
30
0
0
0
80
ns
ns
ns
ns
ns
80
40
40
40
ns
ns
ns
ns
ns
t
GHQZ （2）
t
AXQX
注意事项：
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.如果为45nS速度看高速AC测量条件。
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