M29F100T
M29F100B
1兆位（ 128KB ×8或64Kb的X16 ，引导块）
单电源闪存
5V
±
10％的电源电压程序，
擦除和读取操作
快速存取时间： 70ns的
快速编程时间
– 10
S按字节/ 16
S按字典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 设备代码， M29F100T ： 00D0h
- 设备代码， M29F100B ： 00D1h
描述
该M29F100是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在系统编程的逐Byteor字处理
由字只用单5V V基础
CC
供应量。
进行必要的编程和擦除操作
内部产生高电压。该装置
也可以在标准编程编程
聚体。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备，
暂时无保护做出改变
该应用程序。每个块可以被编程
并删除超过10万次。
1998年7月
44
1
TSOP48 （ N）
12 ×20mm的
SO44 （M）的
图1.逻辑图
VCC
16
A0-A15
W
E
G
RP
M29F100T
M29F100B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI01974
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M29F100T ， M29F100B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RP）
(2)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，E ，G ， RP电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°
C
°
C
°
C
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
描述
（续）
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，擦除
暂停和恢复被写入到设备中
的commandsto命令Interfaceusing周期
标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP48 （ 12× 20毫米）和
SO44封装。正常和反向引脚
可用于TSOP48封装。
组织
该M29F100组织为128KB ×8或64Kb的
X16位的字节信号选择。当
字节是低字节宽度X8组织
选择和地址线均DQ15A -1和
A0 -A15 。数据输入/输出信号DQ15A - 1
作为地址线A- 1 ，它选择了较低或
输出记忆单词上的高字节
DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ14保持在高阻抗。
当一个字节是高内存使用地址
输入A0 -A15和数据输入/输出DQ0-
DQ15 。存储器控制是由芯片提供使能
E，输出使能G和写使能W输入。
AReset /座TemporaryUnprotection RP三级
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平，
当举行高（在V
ID
）暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号，和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29F100T和M29F100B设备有一个数组
5块， 16 KB或8 1引导块
K字， 8 KB或4两参数块
K字， 32 KB或16 1正座
K字和64 KB或32一个主块
K字。该M29F100T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29F100B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.每个块可以单独被删除，任何命
块bination可以为多块被指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起，以便读取或程序的任何
阻止未ersased ，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
在appropriatebus周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
吨EC吨IO N， UNP RO TE CT IO N， P ro的忒CTI上Verif Y，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
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M29F100T ， M29F100B
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可以给编程/擦除控制器
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature
或阻止ProtectionStatus ） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特和RB的输出可以被读出
任何时候，编程或擦除过程中，监控
的操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令Interfacewhich iscommon所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于Programinstruction ，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可能会被暂停，在orderto读取数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A15 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.在Word内的组织的地址
线A0 -A15 ，在字节宽度的组织
DQ15A -1作为一个额外的LSB的地址线。
当A9提高到V
ID
，或者是读电子
签名制造商或设备代码，座
保护状态或写块保护或
块unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
牛逼电子旗下e口正
却将/ Outputsare在用字节宽度和字处理
广泛的组织。的输入是数据是
存储器阵列或命令的程序
要写入的C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能W.
的输出是从存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
outputsare残疾人和RP的时候是处于较低的水平。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14和DQ15A - 1 ） 。
这些输入/输出的附加使用
字宽organisation.When BYTEis高DQ8-
DQ14和DQ15A -1充当数据的MSB
输入或输出，用作描述DQ0-
DQ7以上，而DQ8 - DQ15是“不关心”的
命令输入或状态输出。当字节是
低， DQ8 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高deselectsthe内存
并减少consumptionto备用电源
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节输入选择的输出配置
设备：字节宽的（x8）模式或字宽（ X16 ）
模式。当字节为低电平时，字节宽度模式
选择并且该数据被读出和编程的
DQ0 - DQ7 。在这种模式下， DQ8 - DQ14是在高
阻抗和DQ15A -1是LSB地址。
当字节为高，字宽模式是SE-
lected并且该数据被读出和编程的
DQ0-DQ15.
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