我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1 ＃ ， S2 ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -55HI
动力
供应
待机光凭目前
(A)
存取时间
·皮卡尔泰（ 3.0V ）等级（最高
@ VCC = 3.6V
)
马克斯。
25°C
0.5
ACTIV ê
当前
Icc1
40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85° C * （ 3.0V ， TY页）
1.0
5.0
8.0
20
40
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
55ns
2.7 ~ 3.6V
70ns
85ns
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
M5M5W816WG -85HI
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
DQ11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要： 48F7Q
NC ：无连接
* E3球不要连接超过0V电压等级以上。
1
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
（注1） "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
（注2 ） "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 > VCC- 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
(1)
S1 ＃ >为VCC - 0.2V ，
S2 >为VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
A
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S1 ＃ < 0.2V ， S2 >为VCC - 0.2V
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记） 。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
注2 ：典型参数表示为分布在3.0V的中心的值，并且不是100％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
3
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
55
55HI
最大
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
20
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
55
45
0
50
50
50
50
50
30
0
0
55HI
最大
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1 ＃ ， S2 ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -55HI
动力
供应
待机光凭目前
(A)
存取时间
·皮卡尔泰（ 3.0V ）等级（最高
@ VCC = 3.6V
)
马克斯。
25°C
0.5
ACTIV ê
当前
Icc1
40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85° C * （ 3.0V ， TY页）
1.0
5.0
8.0
20
40
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
55ns
2.7 ~ 3.6V
70ns
85ns
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
M5M5W816WG -85HI
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
DQ11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要： 48F7Q
NC ：无连接
* E3球不要连接超过0V电压等级以上。
1
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
（注1） "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
（注2 ） "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 > VCC- 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
(1)
S1 ＃ >为VCC - 0.2V ，
S2 >为VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
A
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S1 ＃ < 0.2V ， S2 >为VCC - 0.2V
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记） 。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
注2 ：典型参数表示为分布在3.0V的中心的值，并且不是100％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
3
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
55
55HI
最大
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
20
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
55
45
0
50
50
50
50
50
30
0
0
55HI
最大
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
QQ：2880707522 复制
