'97.4.7
三菱的LSI
M5M5255DP ， FP -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262,144位（ 32,768字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5255DP ， FP为262,144位CMOS静态RAM有组织
这是使用制造为32768字由8位
高性能3多晶硅CMOS技术。利用
电阻负载NMOS的细胞和CMOS周产生了高
密度和低功耗静态RAM 。待机电流小
足够的电池备份应用程序。它是理想的内存
这需要简单的界面系统。
引脚配置（顶视图）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/W
A13
A8
A9
A11
S2
A10
/S1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
M5M5255DP,FP
特征
TYPE
接入电源电流
时间
主动待机
（最大）
（最大）
（最大）
45ns
55ns
70ns
45ns
55ns
70ns
55mA
(Vcc=5.5V)
DQ3
GND 14
M5M5255DP ， FP- 45LL
M5M5255DP ， FP- 55LL
M5M5255DP ， FP- 70LL
M5M5255DP ， FP- 45XL
M5M5255DP ， FP- 55XL
M5M5255DP ， FP- 70XL
大纲28P4 （ DP ）
28P2W -C （ DFP）
20A
(Vcc=5.5V)
5A
(Vcc=5.5V)
0.05A
(Vcc=3.0V,
典型）
单+ 5V电源
无时钟，无刷新
在+ 2.0V电源数据保持
直接TTL兼容：所有输入和输出
三态输出：或领带的能力
通过/ S1 ， S2简单的内存expantion
通用数据的I / O
电池备份功能
低待机电流·········· 0.05μA （典型值）。
包
M5M255DP
M5M5255DFP
： 28引脚600密耳DIP
： 28引脚450密耳SOP
应用
小容量的存储单元
三菱
电
1
'97.4.7
三菱的LSI
M5M5255DP ， FP -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262,144位（ 32,768字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5255DP的操作模式， FP判定
由该装置的组合的控制输入/ S1，S2和
/ W 。每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平/ W
重叠与低级别/ S1与高层S2。该
地址必须被设置在写周期之前，必须
在整个循环过程中保持稳定。该数据被锁存到一个小区
对/ W ， / S1或S2的后缘，以先到为准，
需要的设置和保持时间上相对于这些边缘向
来维持。
读周期由在较高的水平设定/ W执行
而/ S1和S2是在激活状态（ 1 / S 1 = "L" ， S2 = "H" ） 。
当设置1 / S 1处于高电平或S2处于低电平，则
芯片处于非选择的模式，在其中读取和
写作是禁用的。在这种模式下，输出级是在一个
高阻抗状态，从而允许或结与其他芯片和
通过/ S1和S2存储器的扩展。电源
电流减小低至待机电流是
指定为ICC3或ICC4 ，并且存储器的数据可以被保持
在+ 2V的电源，从而使备用电池的操作
在电源故障或断电操作期间
未选择的模式。
功能表
/ S1 S2 / W
H
L
L
L
X
L
H
H
X
X
L
H
模式
非选择
非选择
写
读
DQ
高阻抗
高阻抗
D
IN
D
OUT
ICC
待用
待用
活跃
活跃
功能表
A8
A 13
A 14
A 12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
A3
25
26
地址输入
卜FF器
行解码器
1
2
2
3
4
5
6
7
32768字
SENSE ANPLIFIER
输出缓冲器
X 8BIT
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
数据I / O
（ 512行×
512列）
A2
A1
A0
A 10
A 11
A9
写控制
INPUT / W
芯片选择
INPUT1 / S1
芯片选择
S2
INPUT2
8
数据输入
卜FF器
COLUMN
解码器
9
10
21
23
24
地址输入
卜FF器
时钟
发电机
27
20
28
14
VCC
(5V)
GND
(0V)
22
三菱
电
2
'97.4.7
三菱的LSI
M5M5255DP ， FP -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262,144位（ 32,768字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
Ta=25°C
评级
-0.3
*
~7.0
-0.3
*
~Vcc+0.3
（最多7.0 ）
单位
V
V
V
mW
°C
°C
0~Vcc
700
0~70
-65~150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ AC ， MOS级）
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
测试条件
范围
民
2.2
-0.3
典型值
最大
VCC
+0.3
单位
V
V
V
V
0.8
I
OH
=-1mA
I
OH
=-0.1mA
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
/S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
或/ OE = V
IH
V
I / O
=0
~
VCC
45ns
/S
1
≤0.2V,
S
2
>Vcc-0.2V
其他投入
＆ LT ;
0.2V或>Vcc - 0.2V 55ns
输出开（占空比100 ％ ）
70ns
/S
1
=V
IL
,S
2
=V
IH
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
S
2
≤0.2V
or
/S
1
≥Vcc-0.2V,
S
2
≥Vcc-0.2V
其他输入= 0 Vcc的
/S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
,
其他输入= 0
~
VCC
45ns
55ns
70ns
-LL
-xl
2.4
VCC
-0.5
0.4
±1
±1
35
30
25
35
30
25
50
45
40
55
50
45
20
V
uA
uA
ICC
1
mA
ICC
2
主动电源电流
（交流， TTL电平）
mA
ICC
3
待机电流
uA
5
3
mA
ICC
4
待机电流
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
电容
符号
C
I
C
O
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
民
范围
TYP MAX
6
8
单位
pF
pF
注0 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
1 ：典型值是在TA = 25 ℃。
2: C
I
, C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
三菱
电
3
'97.4.7
三菱的LSI
M5M5255DP ， FP -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262,144位（ 32,768字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测定条件
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
VCC
1.8k
DQ
990
（包括
范围， JIG ）
输入脉冲电平· ·················· V
IH
=2.4V,V
IL
=0.6V
输入上升和下降时间为5ns ··········
参考电平· ··················· V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载························· 1所示， CL = 30pF的（ -45LL ， -45XL ）
CL = 50pF的（ -55LL ， -55XL ）
CL = 100pF的（ -70LL ， -70XL ）
CL = 5pF的（十， TDIS ）
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （十， TDIS ）
C
L
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
-55LL ， XL
最小最大
55
55
55
55
20
20
5
5
10
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S
1
)
t
a
(S
2
)
t
DIS
(S
1
)
t
DIS
(S
2
)
t
en
(S
1
)
t
en
(S
2
)
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
后输出禁止时间/ S
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
输出使能后/ S的时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
地址后，数据的有效时间
-45LL ， XL
最小最大
45
45
45
45
15
15
5
5
10
-70LL ， XL
Mi
最大
70
70
70
70
25
25
5
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
-55LL ， XL
最小最大
55
40
0
50
50
50
25
0
0
20
5
-45LL ， XL
符号
参数
最小最大
t
CW
45
写周期时间
t
w
(W)
把脉冲宽度
35
t
su
(A)
地址建立时间
0
t
su
（ A- WH ）
地址建立时间相对于/ W 40
t
su
(S
1
)
芯片选择1设置时间
40
t
su
(S
2
)
芯片选择2建立时间
40
t
su
(D)
数据建立时间
20
t
h
(D)
数据保持时间
0
t
REC
(W)
写恢复时间
0
t
DIS
(W)
从/ W的低输出禁止时间
15
t
en
(W)
从/ W的高输出使能时间
5
-70LL ， XL
最小最大
70
50
0
65
65
65
30
0
0
25
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
4
'97.4.7
三菱的LSI
M5M5255DP ， FP -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262,144位（ 32,768字×8位）的CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
t
CR
A
0~14
t
a
(A)
t
a
(S1)
/S
1
（注3）
t
v
(A)
t
DIS
(S1)
（注3）
S
2
（注3）
t
a
(S2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
DIS
(S2)
数据有效
/ W = "H"水平
（注3）
DQ
1~8
写周期（ / W控制模式）
A
0~14
t
CW
t
su
(S1)
/S
1
（注3）
（注3）
S
2
（注3）
t
su
(S2)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(A)
t
w
(W)
t
REC
(W)
（注3）
/W
t
DIS
(W)
t
en
(W)
DQ
1~8
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱
电
5
QQ：2881677436 复制
