系列概述
密度从32Mb的，以64兆
广泛的应用领域覆盖
0.15微米制程技术
技术缩水要去
更高的密度
改进的性能
提高可靠性
HD &缺点。司 - 2004年5月
M29DW.ppt - 发行1.0 -ptfl0402-504-
www.st.com/flash
第2页
主要特点
M29DW323
32MB （ 4Mbx8 / 2Mbx16 ） ，引导块
存取时间
70 ，为90ns
电源电压
VCC = 2.7V至3.6V的编程，擦除和读取
VPP = 12V快速程序（可选）
编程时间
每字节为10μs /字典型
双字/四字节编程
低功耗
待机和自动待机
双操作：
阅读于一体的银行或银行集团同时计划或
擦除在其他
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银行体系
M29DW323
双组内存阵列的8Mb + 24MB
正在编程或擦除在A银行，
读操作都可以在B银行
反之亦然
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主要特点
M29DW324
32MB （ 4Mbx8 / 2Mbx16 ） ，引导块
存取时间
70 ，为90ns
电源电压
VCC = 2.7V至3.6V的编程，擦除和读取
VPP = 12V快速程序（可选）
编程时间
每字节为10μs /字典型
双字/四字节编程
低功耗
待机和自动待机
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密度从32Mb的，以64兆
广泛的应用领域覆盖
0.15微米制程技术
技术缩水要去
更高的密度
改进的性能
提高可靠性
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32MB （ 4Mbx8 / 2Mbx16 ） ，引导块
存取时间
70 ，为90ns
电源电压
VCC = 2.7V至3.6V的编程，擦除和读取
VPP = 12V快速程序（可选）
编程时间
每字节为10μs /字典型
双字/四字节编程
低功耗
待机和自动待机
双操作：
阅读于一体的银行或银行集团同时计划或
擦除在其他
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双组内存阵列的8Mb + 24MB
正在编程或擦除在A银行，
读操作都可以在B银行
反之亦然
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M29DW324
32MB （ 4Mbx8 / 2Mbx16 ） ，引导块
存取时间
70 ，为90ns
电源电压
VCC = 2.7V至3.6V的编程，擦除和读取
VPP = 12V快速程序（可选）
编程时间
每字节为10μs /字典型
双字/四字节编程
低功耗
待机和自动待机
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