M54HC07
M74HC07
HEX BUFFER （漏极开路）
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 5 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 1
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
10输入通道负载
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS07
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HC07F1R
M74HC07M1R
M74HC07B1R
M74HC07C1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
描述
在M54 / 74HC07是一款高速CMOS HEX
开漏缓冲器制造的硅栅
2
MOS技术。它具有相同的高速per-
LSTTL的formance结合真实的CMOS低
功耗。
内部电路由2个阶段includ-
荷兰国际集团缓冲器的输出，从而使高噪声im-
社区和稳定的输出。所有输入均配备
以防止静电放电和瞬态电路
过电压。
输入和输出等效电路
NC =
无内部
连接
1993年2月
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M54/M74HC07
真值表
A
L
H
Z =高阻抗
IEC逻辑符号
Y
L
Z
引脚说明
针无
1, 3, 5, 9,
11, 13
2, 4, 6, 8,
10, 12
7
14
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
逻辑图
（每门）
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
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M54/M74HC07
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
t
PZL
传播
延迟时间
输入电容
产量
电容
功耗
电容
2.0
4.5
6.0
R
L
= 1K
R
L
= 1K
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
10
7
6
17
7
5
5
3
4
75
15
13
90
18
15
90
18
15
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
115
23
20
115
23
20
10
110
22
19
135
27
23
135
27
23
10
ns
pF
pF
pF
ns
ns
单位
t
THL
输出转换
时间
传播
延迟时间
t
PLZ
C
IN
C
OUT
C
PD
(*)
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 6 （每门）
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