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M48Z58
M48Z58Y
64千位（8KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT和
写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z58 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z58Y ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC
和SNAPHAT
顶部
（需单独订购）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
引脚和功能兼容
JEDEC标准8K ×8的SRAM
SNAPHAT （ SH ）
电池
28
28
1
1
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
图1.逻辑图
描述
该M48Z58 / 58Y ZEROPOWER
RAM是8K X
8非易失性静态RAM ，集成了电源故障
取消对电路和电池控制逻辑
单芯片。单片芯片是在两个可用
优惠套装提供了高度集成的
电池备份的存储器解决方案。
表1.信号名称
A0-A12
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
VCC
13
A0-A12
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M48Z58
M48Z58Y
VSS
AI01176B
1999年3月
1/17
M48Z58 ， M48Z58Y
图2A 。 DIP引脚连接
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z58 22
8 M48Z58Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01177B
图2B中。 SOIC引脚连接
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48Z58Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01178B
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
警告：
NC =未连接。
警告：
NC =未连接。
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
注意事项：
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长，则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3伏，而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意事项：
1， X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
2/17
M48Z58 ， M48Z58Y
图3.框图
A0-A12
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
8K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01394
描述
（续）
该M48Z58 / 58Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准8K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ，EPROM和
EEPROM的插座，提供的非挥发性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。
28引脚600mil DIP CAPHAT 的房子
M48Z58 / 58Y硅具有长寿命锂锰扣式
细胞在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供插座金
在两个镀金触点两端直接连接
向含有一个单独的SNAPHAT壳体
电池。独特的设计使SNAPHAT
被安装在所述的SOIC的顶部电池包
包装完成表面贴装后
流程。后插入SNAPHAT住房
回流防止潜在的电池损坏，由于
需要高温设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
该SOIC和电池包运另行
得非常好塑料防静电管或带卷&
形式。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
注意，输出高阻被定义为点数据是无
再驱动。
图4.交流测试负载电路
5V
1.9k
设备
下
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
3/17
M48Z58 ， M48Z58Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25
°C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.有效电容用在5V电源测量。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
民
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR （ 2 ）
参数
电源故障取消电压（ M48Z58 / 58Y ）
电源故障取消电压（ M48Z58 / 58YY ）
备用电池切换电压
预计数据保存时间
10
民
4.5
4.2
典型值
4.6
4.35
3.0
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意事项：
1.所有电压参考V
SS
.
2.在25
°C
描述
（续）
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z58 / 58Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差条件
化。当V
CC
是出公差，电路写
保护的SRAM ，提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
关合作由低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V，所述控制电路连接的
电池，数据保持有效，直到重新供电
转弯。
4/17
M48Z58 ， M48Z58Y
表8.掉电/模式AC特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
t
PD
t
F (1)
t
FB （ 2 ）
t
R
t
RB
t
REC （ 3 ）
参数
在V ê或W
IH
掉电前
V
PFD
（MAX）到V
PFD
（最小值）V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
SS
V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
PFD
（最大值）V
CC
上升时间
V
SS
到V
PFD
（最小值）V
CC
上升时间
V
PFD
（最大值）的输入来识别
民
0
300
10
10
1
40
200
最大
单位
s
s
s
s
s
ms
注意事项：
1. V
PFD
（MAX）到V
PFD
（分）落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生，直到200
s
后
V
CC
通过V
PFD
（最小值） 。
2. V
PFD
（分钟）至V
SS
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
3. t
REC
（分钟） = 20ms的工业温度级6的设备。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD （最大）
VPFD （分钟）
VSO
tF
TFB
tPD的
输入
认可
tR
TRB
TDR
不关心
TREC
认可
高-Z
输出
有效
（每个控制输入）
有效
（每个控制输入）
AI01168C
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