M29W102BT
M29W102BB
1兆位（64KB X16 ，引导块）
低压单电源闪存
s
单2.7至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间： 50ns的
编程时间
- 每个字典型为10μs
5内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 参数2和2块主
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
TSOP40 （ N）
10× 14毫米
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
VCC
s
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
M28F102兼容
- 针脚及阅读模式
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 热门器件代码M29W102BT ： 0099h
- 底设备代码M29W102BB ： 0098h
A0-A15
W
E
G
RP
16
16
DQ0-DQ15
s
s
s
M29W102BT
M29W102BB
s
s
VSS
AI02785
2000年3月
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M29W102BT ， M29W102BB
图2. TSOP连接
概要说明
该M29W102B是一个1兆比特（ 64Kb的×16）非vola-
瓷砖存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一的低电压（2.7 3.6V）供电。上
电内存默认的阅读模式
在那里它可以被读取以同样的方式作为ROM或
EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
在存储器中的块是不对称AR-
列，参见表3和表4中，块地址。该
第一个或最后32K字已被分为四个
附加块。 8K字引导块可以
用于小初始化代码以启动微
处理器，两个4千字参数块可
用于参数存储和剩余
16 K字是小主座，其中应用程序
阳离子可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP40提供（10× 14毫米）
封装，它与所有的位擦除提供
（设置为' 1'） 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
W
VCC
RP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
10 M29W102BT 31
11 M29W102BB 30
20
21
AI02786
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
表1.信号名称
A0-A15
DQ0-DQ15
E
G
W
RP
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
电源电压
地
在内部没有连接
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M29W102BT ， M29W102BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
°C
°C
°C
V
V
V
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
价值
0到70
单位
°C
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.顶部引导块地址
M29W102BT
#
4
3
2
1
0
SIZE
（ K字）
8
4
4
16
32
地址范围
E000h-FFFFh
D000h-DFFFh
C000h-CFFFh
8000h-BFFFh
0000h-7FFFh
表4.底部引导块地址
M29W102BB
#
4
3
2
1
0
SIZE
（ K字）
32
16
4
4
8
地址范围
8000h-FFFFh
4000h-7FFFh
3000h-3FFFh
2000h-2FFFh
0000h-1FFFh
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M29W102BT ， M29W102BB
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A15 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作DQ0 - DQ7代表的COM
mands发送到接口的命令接口
最终状态机;命令接口呢
不使用DQ8 - DQ15解码的命令。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消（ RP ） 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高，V
IH
，内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
或T
PLYH
，以先到为准过去。请参阅表15
图10 ，复位/临时撤消AC煤焦
Cucumis Sativus查阅全文了解更多详情。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
复位/座临时撤消可以保留非
连接。内部弱上拉电阻恩
祖雷斯贝尔的内存始终正常运行。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally损坏电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC3
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
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