M464S3254DTS
M464S3254DTS SDRAM SODIMM
PC133 / PC100 SODIMM
基于16Mx16 ， 4Banks ， 8K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 32Mx64 SDRAM SODIMM
概述
三星M464S3254DTS是32M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
M464S3254DTS由八个CMOS 16M ×16位与
4banks的TSOP- II封装400mil和同步DRAM
2K一个144引脚的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装
基材。三0.1uF的去耦电容安装在
在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
M464S3254DTS是一个小外形双列直插内存模块
并且仅适用于安装到144针边缘连接器sock-
ETS 。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围，可编程延迟允许
相同的设备，以对各种高带宽有用
高性能存储系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
M464S3254DTS-L7C/C7C
M464S3254DTS-L7A/C7A
M464S3254DTS-L1H/C1H
M464S3254DTS-L1L/C1L
最大频率。 （速度）
133MHz@CL=2
133MHz@CL=3
为100MHz @ CL = 2
为100MHz @ CL = 3
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 8192周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,250mil ）
双面组件
引脚配置（正面/背面）
针
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
前销
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
DQM0
DQM1
V
DD
A0
A1
A2
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
DD
DQ12
DQ13
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQM4
DQM5
V
DD
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
DD
DQ44
DQ45
针前
51
53
55
57
59
DQ14
DQ15
V
SS
NC
NC
针
52
54
56
58
60
后
针
前
DQ21
DQ22
DQ23
V
DD
A6
A8
V
SS
A9
A10/AP
V
DD
DQM2
DQM3
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
** SDA
V
DD
针
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
后
DQ53
DQ54
DQ55
V
DD
A7
BA0
V
SS
BA1
A11
V
DD
DQM6
DQM7
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
** SCL
V
DD
DQ46 95
DQ47 97
V
SS
99
NC 101
NC 103
105
107
电压键
109
CLK0 62 CKE0 111
V
DD
V
DD
113
64
RAS 66 CAS 115
68 CKE1 117
WE
70
CS0
A12 119
72 *A13 121
CS1
74 CLK1 123
DU
76
V
SS
V
SS
125
78
NC
NC 127
80
NC
NC 129
82
V
DD
V
DD
131
DQ16 84 DQ48 133
DQ17 86 DQ49 135
DQ18 88 DQ50 137
DQ19 90 DQ51 139
92
V
SS
V
SS
141
DQ20 94 DQ52 143
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A12
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 CLK1
CS0 CS1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
SDA
SCL
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
串行数据I / O
串行时钟
不使用
无连接
CKE0 CKE1时钟使能输入
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 2002年0.0月
M464S3254DTS
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100 SODIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA12 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A12
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ
0
~
63
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
V
DD
/V
SS
REV 。 2002年0.0月
M464S3254DTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133 / PC100 SODIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
8
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
民
25
25
15
15
15
10
13
最大
45
45
25
21
25
12
18
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
12
， BA0 BA1 ）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 CKE1 ）
输入电容（ CLK0 CLK1 ）
输入电容（ CS0 CS1 ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
REV 。 2002年0.0月
M464S3254DTS
M464S3254DTS SDRAM SODIMM
PC133 / PC100 SODIMM
基于16Mx16 ， 4Banks ， 8K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 32Mx64 SDRAM SODIMM
概述
三星M464S3254DTS是32M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
M464S3254DTS由八个CMOS 16M ×16位与
4banks的TSOP- II封装400mil和同步DRAM
2K一个144引脚的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装
基材。三0.1uF的去耦电容安装在
在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
M464S3254DTS是一个小外形双列直插内存模块
并且仅适用于安装到144针边缘连接器sock-
ETS 。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围，可编程延迟允许
相同的设备，以对各种高带宽有用
高性能存储系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
M464S3254DTS-L7C/C7C
M464S3254DTS-L7A/C7A
M464S3254DTS-L1H/C1H
M464S3254DTS-L1L/C1L
最大频率。 （速度）
133MHz@CL=2
133MHz@CL=3
为100MHz @ CL = 2
为100MHz @ CL = 3
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 8192周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,250mil ）
双面组件
引脚配置（正面/背面）
针
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
前销
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
DQM0
DQM1
V
DD
A0
A1
A2
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
DD
DQ12
DQ13
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQM4
DQM5
V
DD
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
DD
DQ44
DQ45
针前
51
53
55
57
59
DQ14
DQ15
V
SS
NC
NC
针
52
54
56
58
60
后
针
前
DQ21
DQ22
DQ23
V
DD
A6
A8
V
SS
A9
A10/AP
V
DD
DQM2
DQM3
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
** SDA
V
DD
针
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
后
DQ53
DQ54
DQ55
V
DD
A7
BA0
V
SS
BA1
A11
V
DD
DQM6
DQM7
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
** SCL
V
DD
DQ46 95
DQ47 97
V
SS
99
NC 101
NC 103
105
107
电压键
109
CLK0 62 CKE0 111
V
DD
V
DD
113
64
RAS 66 CAS 115
68 CKE1 117
WE
70
CS0
A12 119
72 *A13 121
CS1
74 CLK1 123
DU
76
V
SS
V
SS
125
78
NC
NC 127
80
NC
NC 129
82
V
DD
V
DD
131
DQ16 84 DQ48 133
DQ17 86 DQ49 135
DQ18 88 DQ50 137
DQ19 90 DQ51 139
92
V
SS
V
SS
141
DQ20 94 DQ52 143
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A12
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 CLK1
CS0 CS1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
SDA
SCL
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
串行数据I / O
串行时钟
不使用
无连接
CKE0 CKE1时钟使能输入
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 2002年0.0月
M464S3254DTS
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100 SODIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA12 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A12
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ
0
~
63
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
V
DD
/V
SS
REV 。 2002年0.0月
M464S3254DTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133 / PC100 SODIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
8
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
民
25
25
15
15
15
10
13
最大
45
45
25
21
25
12
18
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
12
， BA0 BA1 ）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 CKE1 ）
输入电容（ CLK0 CLK1 ）
输入电容（ CS0 CS1 ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
REV 。 2002年0.0月
QQ：2881677436 复制
