M39208
单芯片2兆位闪存和64千位并行EEPROM存储器
初步数据
2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和阅读OPARATIONS
100ns的访问时间
（ Flash和EEPROM的块）
写，编程和擦除状态位
并发模式（读Flash ，而
写入EEPROM）
100000擦/写周期
10年的数据保留
低功耗
- 待机模式： 60μA
- 自动待机模式
深度掉电模式
64字节的一次性可编程
内存
标准EPROM / OTP存储器
包
扩展温度范围
描述
在M39208是一个存储器器件中结合闪存
和EEPROM集成到一个芯片，并使用单
电源电压。该存储器被映射在2
块： 2兆位闪存和64千位的
EEPROM存储器。每个空间是独立的
写作，在并发模式下，闪存可
当EEPROM的写入读出。
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
EE
EF
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
TSOP32 （ NA ）
8 ×20mm的
TSOP32 （ NB ）
8× 14毫米
图1.逻辑图
VCC
18
A0-A17
W
EE
EF
G
M39208
8
DQ0-DQ7
EEPROM模块启用
闪存区块启用
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
VSS
AI02589
1999年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/30
M39208
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9
, V
G
, V
EF
(2)
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，G ， EF电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注意事项：
1.除评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
图2. TSOP引脚连接
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
EE
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M39208
25
24
16
17
AI02587
G
A10
EF
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
的数据可以用的帮助下被固定
软件数据保护（ SDP ） 。
该M39208闪存模块提供4个部门
的64字节，每个扇区可擦除individu-
盟友和程序逐字节。每个扇区
可以单独保护和不受保护
对编程和擦除。擦除扇区可
暂停，而数据是从其他行业看
闪存块（或EEPROM存储器的
块） ，然后重新开始。
在编程或擦除周期在Flash
内存块或EEPROM写过程
内存块时， M39208内部的地位
逻辑可以读取的数据输出DQ7 ， DQ6 ，
DQ5和DQ3 。
引脚说明
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化。在EEPROM中的A0 -A12的访问位置
在闪存块A0 -A17接入位置
存储器块。所选择的存储器块被赋予
通过对EE和EF国家分别输入。
当一个特定的电压（V
ID
）施加在A9
地址输入，额外的特定区域可
访问：阅读制造商标识，阅读
闪存块标识符，读/写的EEPROM
块标识符，验证闪存扇区保护
状态。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
写操作
输入被锁存一个字节时， EE （或EF ）
和写使能W的驱动为有效。
数据读取是有效的，当一个芯片使能（片
启用Flash或芯片使能EEPROM）和输出
就把启用驱动活跃。的输出为高
描述
（续）
另外一个64字节的EPROM是一次性
可编程的。
该M39208 EEPROM存储器块，可以令状
10按字节或64字节的完整性页
2/30
M39208
图3.闪存区块行业
A17
1
1
0
0
AI02588
A16
1
0
1
0
64K字节块
64K字节块
顶部
地址
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
底部
地址
30000h
20000h
10000h
00000h
当芯片被取消选择的阻抗（包括EE
和EF驱动为高电平）或输出被禁止（G
驱动为高电平） 。
读操作被用于输出的内容
从该存储器中，制造商标识符，所述
闪存扇区保护状态，对Flash块
标识符，该标识符的EEPROM或OTP行
内容。
内存块使能（ EE和EF ） 。
内存
块使能（ EE或EF ）激活记忆
控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器。当EE的输入被驱动为高，则
EEPROM存储块没有被选中;当
EF输入驱动为高电平时，闪存块
不选。试图同时访问EEPROM
和Flash块（ EE低，低EF ）是forbid-
巢穴。两个内存块之间的切换
启用（ EE和EF ）不得在取得
相同的时钟周期，大于吨的延迟
EHFL
必须
被插入。
该M39208处于待机状态时，无论EF和EE
高（在没有内部擦除或编程
正在运行）。的功率消耗减小到
备用电平与输出处于高
阻抗状态，独立输出的恩
能够G或写使能W输入。
后闲置为150ns和地址时，
自动驱动CMOS电平，芯片
进入伪待机模式下功耗
被减小到CMOS备用值，而
输出继续驱动总线。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。数据输出为高阻抗
当输出使能摹ANCE状态为高电平。
在行业保护和部门撤消操作
系统蒸发散，对G输入必须被迫V
ID
级（ 12V
+ 0.5V ）（仅适用于Flash内存块） 。
写使能（ W） 。
地址锁存的
掉落W的边缘，数据输入锁存于
W的上升沿
操作
该M39208内存是通过解决18
输入A0 - A17 ，并提供八个数据数据
输入/输出DQ0 - DQ7有四个CON-帮助
控制线：芯片使能EEPROM （ EE ） ，芯片使能
闪存（ EF ） ，输出使能（ E）和写使能
（W）的输入。
的动作被定义为基本解码
施加到控制输入引脚上的逻辑电平（EF ，
EE ，G ，W），并在指定的电压施加于
相关的地址管脚。这些操作
详述于表3中。
读取。
这两个芯片使能和输出使能（即
是EF和G或EE和G）的要低，以便
读出的存储器的输出。
读操作被用于输出的内容
从Flash或EEPROM模块，该制造
商标识，闪存扇区保护状态，
闪存块标识符，该标识符EEPROM或
该OTP行的内容。
注意事项：
- 芯片使能输入，主要提供电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能输入应该用于栅极
数据上的组合输出与活跃
EF或EE的输入信号。
- 读取的数据依赖于前面的指令
灰输入到存储器（见表4）。
3/30
M39208
表4.使用说明
(1)
指令
阅读制造商
识别码
(2)
EE
EF
循环1
AAH
@5555h
周期2
55h
@2AAAh
周期3
周期4
周期5
周期6
周期7
读
识别码
90h
同
@5555h
(A0,A1,A6)
在（0,0,0 ）
读
识别码
90h
同
@5555h
(A0,A1,A6)
在（ 1,0,0 ）
90h
@5555h
读
1个字节
读
2字节
读
字节n
1
0
阅读闪存
识别码
(2)
1
0
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
B0h
@any
地址
30h
@any
地址
AAH
@5555h
20h
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
F0H @
任何
地址
AAH
@5555h
F0h
@any
地址
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
阅读OTP行
0
1
读取块
保护状态
(2)
1
0
读
识别码
90h
同
@5555h
(A0,A1,A6)
在（ 0,1,0 ）
A0h
@5555h
80h
@5555h
80h
@5555h
数据
@address
AAH
@5555h
AAH
@5555h
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
30h
@Sector
地址
10h
@5555h
30h
@Sector
地址
(3)
节目一个Flash字节
删除一个闪光
块
擦除整个闪存
暂停块擦除
1
1
1
1
0
0
0
0
恢复块擦除
EEPROM电源
下
深度掉电
SDP启用
（EEPROM）中
SDP禁用
（EEPROM）中
写在OTP行
返回（从OTP
阅读或EEPROM
关机）
RESET
复位（短
指令）
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
55h
@2AAAh
30h
@5555h
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
A0h
@5555h
80h
@5555h
B0h
@5555h
写
1个字节
AAH
@5555h
写
1个字节
写
2字节
55h
@2AAAh
写
2字节
20h
@5555h
写
字节n
写
字节n
1
0
55h
@2AAAh
F0h
@any
地址
1
0
注意事项：
1.将AAh @ 5555H是指写字节写入AAh地址为5555H 。
2.本指令也可以作为一个简单的读操作与A9 = V进行
ID
（参考阅读章节） 。
3.附加块被擦除，必须为80μs内被输入。
5/30
QQ：2880707522 复制
