SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
有些内容如有变更，恕不另行通知。
描述
M2V56S20TP是4 X银行16777216字×4位，
M2V56S30TP是4 X银行8388608字×8位，
M2V56S40TP是4 X银行4194304字×16位，
同步DRAM ，与LVTTL接口。所有输入和输出都参考上升沿
的CLK 。该M2V56S20 / 30 / 40TP实现非常高速的数据传输速率高达100MHz （ -7 / -8 ） ， 133MHz的
（-6） ，并适用于主存储器或图形存储器中的计算机系统。
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率为100MHz （ -7 / -8 ） ， 133MHz的（ -6 ）
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 单倍数据速率
- 由BA0控制的4个银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 /全页（可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 8192刷新周期/ 64ms的（ 4银行同步更新）
- 自动刷新和自刷新
- 行地址A0-12 /列地址A0-9,11 （ X4 ） / A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）
- LVTTL接口
- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
MAX 。频率
@CL2
M2V56S20/30/40TP-6
M2V56S20/30/40TP-7
M2V56S20/30/40TP-8
100MHz
100MHz
77MHz
MAX 。频率
@CL3
133MHz
100MHz
100MHz
标准
PC133 （ CL3 ）
PC100 （ CL2 ）
PC100 （ CL3 ）
三菱电机
1
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
x4
x8
x16
VDD
VDD
NC
DQ0
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ0
DQ1
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
DQ2
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ1
DQ3
VSSQ
VSSQ
NC
NC
VDD
VDD
NC
NC
/ WE
/ WE
/ CAS
/ CAS
/ RAS
/ RAS
/ CS
/ CS
BA0
BA0
BA1
BA1
A10 / A10 AP / AP
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-15
DQM ， DQMU / L
A0-12
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址输入
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
三菱电机
2
400mil X 875mil 54pin 0.8mm间距TSOP （ II ）
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
DQ0-3 （ X4 ） ， 0-7 （ X8 ） ， 0 - 15 （ X16 ）
框图
I / O缓冲器
内存
ARRAY
银行＃ 0
内存
ARRAY
银行＃ 1
内存
ARRAY
银行＃ 2
内存
ARRAY
银行＃ 3
模式寄存器
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
A0-12
BA0,1
CLK
CKE
控制信号缓冲
/ CS / RAS / CAS / WE DQMU / L
型号代码
M 2 V 56 S 4 0
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
TP - 8
速度等级6 ： 133MHz的@ CL3 ， 100MHz的@ CL2
7 ： 100MHz的@ CL2
8 ： 100MHz的@ CL3
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能保留供以后使用
组织的2n 2： 4倍，3： ×8 ，4： x16的
SDRAM数据速率S型：单倍数据速率
密度56 ： 256M位
接口V ： LVTTL
内存式（ DRAM ）
三菱主名称
三菱电机
3
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自
刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-12与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-12规定。该列地址被指定
A0-9,11 。 A10也被用于指示预充电选项。当A10是
高，在一个读/写命令时，自动预充电被执行。当
A10是在高预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：当DQMU / L是高突发写入，DIN为
当前周期被屏蔽。当DQMU / L为高，突发读取， Dout为
在下一但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-12
输入
BA0,1
DQ0-15
DQM
DQMU / L
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
输入
电源
电源
三菱电机
4
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
基本功能
该M2V56S20 / 30 / 40TP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS ， / CAS和/ WE的控制信号定义
CLK的上升沿。除了3个信号， / CS ， CKE和A10被用作芯片选择，刷新选项，并
预充电的选项，分别。要知道命令的详细定义，请参见命令
真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行读突发（后自动被停用
预充电， READA ）
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。要写入的总数据长度
由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，银行突发写入（后自动被停用
预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止突发读
/写操作。当A10 = H在此命令，所有银行都取消（全部预充电，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址是内部产生。在此之后
命令时，银行会自动预充电。
三菱电机
5
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
有些内容如有变更，恕不另行通知。
描述
M2V56S20TP是4 X银行16777216字×4位，
M2V56S30TP是4 X银行8388608字×8位，
M2V56S40TP是4 X银行4194304字×16位，
同步DRAM ，与LVTTL接口。所有输入和输出都参考上升沿
的CLK 。该M2V56S20 / 30 / 40TP实现非常高速的数据传输速率高达100MHz （ -7 / -8 ） ， 133MHz的
（-6） ，并适用于主存储器或图形存储器中的计算机系统。
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率为100MHz （ -7 / -8 ） ， 133MHz的（ -6 ）
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 单倍数据速率
- 由BA0控制的4个银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 /全页（可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 8192刷新周期/ 64ms的（ 4银行同步更新）
- 自动刷新和自刷新
- 行地址A0-12 /列地址A0-9,11 （ X4 ） / A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）
- LVTTL接口
- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
MAX 。频率
@CL2
M2V56S20/30/40TP-6
M2V56S20/30/40TP-7
M2V56S20/30/40TP-8
100MHz
100MHz
77MHz
MAX 。频率
@CL3
133MHz
100MHz
100MHz
标准
PC133 （ CL3 ）
PC100 （ CL2 ）
PC100 （ CL3 ）
三菱电机
1
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
x4
x8
x16
VDD
VDD
NC
DQ0
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ0
DQ1
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
DQ2
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ1
DQ3
VSSQ
VSSQ
NC
NC
VDD
VDD
NC
NC
/ WE
/ WE
/ CAS
/ CAS
/ RAS
/ RAS
/ CS
/ CS
BA0
BA0
BA1
BA1
A10 / A10 AP / AP
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-15
DQM ， DQMU / L
A0-12
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址输入
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
三菱电机
2
400mil X 875mil 54pin 0.8mm间距TSOP （ II ）
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
DQ0-3 （ X4 ） ， 0-7 （ X8 ） ， 0 - 15 （ X16 ）
框图
I / O缓冲器
内存
ARRAY
银行＃ 0
内存
ARRAY
银行＃ 1
内存
ARRAY
银行＃ 2
内存
ARRAY
银行＃ 3
模式寄存器
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
A0-12
BA0,1
CLK
CKE
控制信号缓冲
/ CS / RAS / CAS / WE DQMU / L
型号代码
M 2 V 56 S 4 0
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
TP - 8
速度等级6 ： 133MHz的@ CL3 ， 100MHz的@ CL2
7 ： 100MHz的@ CL2
8 ： 100MHz的@ CL3
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能保留供以后使用
组织的2n 2： 4倍，3： ×8 ，4： x16的
SDRAM数据速率S型：单倍数据速率
密度56 ： 256M位
接口V ： LVTTL
内存式（ DRAM ）
三菱主名称
三菱电机
3
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自
刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-12与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-12规定。该列地址被指定
A0-9,11 。 A10也被用于指示预充电选项。当A10是
高，在一个读/写命令时，自动预充电被执行。当
A10是在高预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：当DQMU / L是高突发写入，DIN为
当前周期被屏蔽。当DQMU / L为高，突发读取， Dout为
在下一但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-12
输入
BA0,1
DQ0-15
DQM
DQMU / L
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
输入
电源
电源
三菱电机
4
SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
基本功能
该M2V56S20 / 30 / 40TP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS ， / CAS和/ WE的控制信号定义
CLK的上升沿。除了3个信号， / CS ， CKE和A10被用作芯片选择，刷新选项，并
预充电的选项，分别。要知道命令的详细定义，请参见命令
真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行读突发（后自动被停用
预充电， READA ）
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。要写入的总数据长度
由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，银行突发写入（后自动被停用
预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止突发读
/写操作。当A10 = H在此命令，所有银行都取消（全部预充电，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址是内部产生。在此之后
命令时，银行会自动预充电。
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
