【MX29F002/002N2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY】,IC型号M29F002,M29F002 PDF资料,M29F002经销商,ic,电子元器件-51电子网

MX29F002/002N

2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY

特点

262,144x 8只

快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的

低功耗

- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）

- 1uA的典型待机电流

编程和擦除电压为5V ± 10 ％

命令寄存器架构

- 字节编程（ 7us典型值）

- 扇区擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节

X1和64K字节×3 ）

自动擦除（芯片&部门）和自动编程

- 自动擦除扇区或任意组合

整个芯片擦除挂起功能。

- 自动程序，并在指定的验证数据

地址

擦除暂停/删除恢复

- 挂起擦除操作来读取数据，或

程序的数据，一个没有被擦除扇区，然后

恢复的擦除操作。

状态回复

- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和

擦除周期结束。

扇区保护

- 硬件的方法来禁用的任意组合

从编程或擦除操作部门

- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /

12V系统

100000最小擦除/编程周期

闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V

引导代码部门架构

- T =热门引导扇区

- B =底部引导扇区

硬件复位引脚（仅适用于29F002T / B ）

- 复位内部状态机读取模式

低VCC写入禁止等于或小于3.2V

套餐类型：

- 32引脚PDIP

- 32引脚PLCC

- 32引脚的TSOP （类型1）

20年数据保留

概述

该MX29F002T / B为2兆比特的闪存器官

源化的256K字节只有8位。旺宏的快闪记忆体

提供最具成本效益和可靠的读/写非

易失性随机存取存储器。该MX29F002T / B为

封装采用32引脚PDIP ， PLCC和32引脚TSOP （ I）。这是

设计成可重新编程和擦除在系统或IN-

标准EPROM编程器。

标准MX29F002T / B提供了存取时间快

55ns ，高速微处理器允许操作

无需等待。为了消除总线冲突，

MX29F002T / B拥有独立的芯片使能（ CE ）和输出

启用（ OE ）控制。

旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM

在电路中的电擦除和编程。该

MX29F002T / B使用命令寄存器来管理这个

功能。命令寄存器允许100 ％的TTL

电平控制输入，并在固定的电源电平

擦除和编程，同时保持最高

EPROM的兼容性。

MXIC的Flash技术可靠地保存存储器的内容

即使经过10万次擦除和编程。该MXIC

存储单元的设计优化了擦除和编程

机制。先进此外，组合

隧道氧化处理和低的内部电场为

擦除和编程操作产生可靠

骑自行车。该MX29F002T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC

提供给执行高可靠性擦除和经销商

编程/擦除算法。

最高程度的闩锁保护的实现与

MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护

经证明，以应力高达100毫安的地址和

数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。

P / N ： PM0547

REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年

MX29F002/002N

销刀豆网络gurations

32 PDIP

RESET

A16

A15

A12

GND

32 TSOP （类型1）

NC在MX29F002NT / B

VCC

A17

A14

A13

A11

A10

A11

A13

A14

A17

VCC

（ NC上MX29F002NT / B ） RESET

A16

A15

A12

A10

GND

MX29F002T/B

（普通型）

32 PLCC

NC在MX29F002NT / B

RESET

VCC

A12

A15

A16

A17

部门结构

A17~A0

3FFFFH

3BFFFH

A14

A13

16 K字节

（引导扇区）

K- BYTE

39FFFH

37FFFH

2FFFFH

1FFFFH

0FFFFH

00000H

MX29F002T/B

A11

A10

VSS

MX29F002T部门架构

A17~A0

3FFFFH

2FFFFH

1FFFFH

0FFFFH

07FFFH

05FFFH

03FFFH

00000H

K- BYTE

引脚说明

符号

A0~A17

Q0~Q7

RESET

VCC

GND

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

写使能输入

硬件复位引脚/扇区保护解锁

输出使能输入

电源引脚（ + 5V ）

接地引脚

16 K字节

（引导扇区）

MX29F002B部门架构

P / N ： PM0547

REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年

MX29F002/002N

框图

写

RESET

控制

输入

逻辑

高压

机

（ WSM ）

编程/擦除

状态

X解码器

MX29F002

FL灰

ARRAY

地址

LATCH

A0~A17

和

卜FF器

状态

SENSE

扩音器

y解码器

Y型通门

来源

命令

数据

解码器

PGM

数据

命令

数据锁存器

节目

数据锁存器

Q0-Q7

I / O缓冲器

P / N ： PM0547

REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年

MX29F002/002N

自动编程

该MX29F002T / B是用字节可编程

自动编程算法。自动

编程算法不要求系统

超时或验证编程的数据。典型的

在房间里的MX29F002T / B芯片编程时间

温度是小于3.5秒。

自动擦除算法

旺宏的自动擦除算法需要用户

使用待机动写命令到命令寄存器

德国电视一台微处理器写时序。该设备将

自动预编程和验证整个阵列。

然后自动装置倍擦除脉冲

宽度，验证擦除，并计数的数目

序列。类似的数据轮询状态位和

连续读周期之间的状态位来回切换

提供反馈给用户来的状态

编程操作。

命令使用写入命令寄存器

标准的微处理器写时序。寄存器可

帐篷作为输入到内部状态机

控制该擦除和编程电路。

在写周期中，指令寄存器内部

锁存地址和数据需要的编程

和擦除操作。在系统写周期

地址被锁存的下降沿，和数据

被锁在WE的上升沿。

MXIC的Flash技术结合多年的EPROM

经验，生产质量的最高水平， relia-

相容性，和成本效益。该MX29F002T / B electri-

美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位

海姆隧道。该字节编程一个字节

用热的EPROM编程机制的时间

电子注入。

在一个程序周期中，状态机将控制

程序序列和指令寄存器不会重新

有反应的任何命令集。在一个扇区擦除周期，

命令寄存器将只响应擦除挂起

命令。擦除后暂停结束后，设备

停留在读模式。之后的状态机具有的COM

pleted它的任务，它将允许在命令寄存器

应对其完整的命令集。

自动芯片擦除

典型擦除在室温下完成

在少于3秒。该设备在使用擦除

自动擦除算法。自动擦除

之前的算法自动程序整个阵列

电擦除。定时和验证的

电擦除在内部由装置控制。

自动扇区擦除

该MX29F002T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的

自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许

该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该

自动扇区擦除算法自动亲

克前电擦除指定扇区的。

定时和验证电擦除的是相互

应受由装置控制。

自动编程算法

旺宏的自动编程算法要求

用户可以只写一个程序设置命令包括

2解锁写周期和A0H和程序命令

（节目数据和地址）。自动装置

次编程脉冲宽度，验证了亲

克，和计数序列的数量。一个状态

类似的数据轮询和状态位肘位

连续的读周期之间，提供反馈信息

给用户以编程的状态

操作。

P / N ： PM0547

REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年

MX29F002/002N

TABLE1 。软件命令定义

命令

公共汽车

周期

RESET

读

阅读硅ID

部门保护

验证

Porgram

芯片擦除

扇区擦除

扇区擦除暂停

扇区擦除简历

解锁部门

保护/取消保护

注意：

1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0， A 0 = 0为制造代码中，A1 = 0， A0 = 1时为设备代码（参考表3）。

DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 00B0h / 0034H的设备代码。

X = X可以为VIL或VIH

要读取的RA =地址的存储位置。

RD =数据位于地址RA读取。

2. PA =地址的存储器位置进行编程。

PD =数据到位置PA进行编程。

SA =地址给扇区被擦除。

3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A0 A10 。地址位A11 A17 = X =不

关心，除了程序地址（ PA）和扇区地址（ SA ）的所有地址的命令。写序，可以启动

与A11 A17中的任一状态。

4.对于部门保护验证操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该行业已被保护。如果读出的数据是00H ，

这意味着该扇区仍然未受到保护。

555H AAH

XXXH B0H

XXXH 30H

555H AAH

2AAH 55H

555H

80H

555H AAH

2AAH 55H

555H 20H

2AAH 55H

555H A0H

555H

80H

第一巴士

周期

地址数据

XXXH F0H

2AAH 55H

555H 90H

ADI

（SA）的

DDI

00H

第二巴士

周期

地址数据

第三巴士

周期

地址数据

四巴士

周期

地址数据

第五公交车

周期

地址数据

第六巴士

周期

地址数据

555H AAH

（ X02H ） 01H

2AAH

55H 555H 10H

55H

30H

555H AAH

命令德网络nitions

设备操作都通过写入特定网络 AD-选择

礼服和数据序列到命令寄存器。

书写不正确的地址和数据值，或将它们写

在不适当的顺序将设备复位到读

模式。表1定义了有效的命令寄存器

序列。需要注意的是擦除挂起（ B0H ）和

删除恢复（ 30H ）命令都必须同时

扇区擦除操作正在进行中。或者两者的

复位命令序列将复位器件（当

适用）。

P / N ： PM0547

REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年

富士通半导体

数据表

DS05-20868-3E

FL灰内存

CMOS

2M （ 256K

8 ）位

MBM29F002TC

-55/-70/-90

/MBM29F002BC

-55/-70/-90

特点

单一5.0 V的读，写和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

引脚排列和软件，单电源闪存兼容

高级无意写保护

32针TSOP （ I）（包装说明： PFTN -正常弯曲型， PFTR ，反向弯曲型）

32引脚PLCC （包装说明： PD ）

最少100,000次写/擦除周期

高性能

55 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1 32K字节和三个64K字节

扇区的任何组合可以被擦除。还支持整片擦除

引导代码部门架构

T =热门行业

B =底界

嵌入式擦除算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序算法

在指定的地址，自动编程和校验数据

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

低V

写禁止

≤

3.2 V

硬件复位引脚

重置内部状态机读方式

擦除挂起/恢复

支持读取或编程数据不被擦除扇区

扇区保护

硬件方法禁用的写入或擦除操作部门的任意组合

临时机构unprotection的

通过RESET引脚临时机构解除保护

嵌入式擦除，嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29F002TC

-55/-70/-90

/MBM29F002BC

-55/-70/-90

包

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

(FPT-32P-M24)

(FPT-32P-M25)

32引脚塑料QFJ （ PLCC ）

侧面标

(LCC-32P-M02)

MBM29F002TC

-55/-70/-90

/MBM29F002BC

-55/-70/-90

概述

该MBM29F002TC / BC是一个2 M比特， 5.0 V-仅限Flash组织成256K字节的每个字节8位存储器。该

MBM29F002TC / BC是在一个32引脚TSOP （ I）和32引脚PLCC封装。此装置被设计成

在系统编程与标准体系5.0 VV

供应量。 12.0 V V

不需要程序或

擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。

标准MBM29F002TC / BC提供55纳秒至90纳秒允许高速运行之间的存取时间

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

该MBM29F002TC / BC的命令集兼容JEDEC标准E

PROM中。命令写入

以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到

内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存

地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似

从12.0 V Flash或EPROM器件读取。

该MBM29F002TC / BC是通过执行程序命令序列编程。这将调用

嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度

并验证正确的电池余量。每个扇区可以被编程并且在小于0.5秒验证。抹去

通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法

这是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未之前编程

在执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。

该器件还具有一个扇区擦除架构。扇区擦除模式允许内存部门

被擦除和重新编程，而不会影响其他部门。一个扇区通常被擦除并在1验证

第二个（如果已经完全预编程）。从出厂时的MBM29F002TC / BC被删除

工厂。

该MBM29F002TC / BC器件还具有硬件部门的保护。此功能将禁用这两个节目

和擦除操作中的任何数目secotrs （0至6）的。

富士通已经实现了一个擦除挂起功能，使用户将擦除搁置任何时期

时间来读取数据或程序数据到非繁忙扇区。因此，真正的背景擦除就可以实现。

该器件具有用于读取和编程功能单一的5.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

在电源转换禁止写操作。编程或擦除的结束是由数据轮询检测

，或触发位我上DQ功能

。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该

设备会自动复位到读模式。

该MBM29F002TC / BC也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式

程序或嵌入式擦除操作将被终止。内部状态机将被重置成

读取模式。 RESET引脚可以连接到系统复位迂曲。因此，如果一个系统复位发生

嵌入式程序或嵌入式擦除操作时，设备会自动复位到读

模式。这将使系统微处理器读取从Flash存储器的引导固件。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F002TC / BC内存电擦除内的所有位

通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。该字节编程一个字节的时间使用

热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29F002TC

-55/-70/-90

/MBM29F002BC

-55/-70/-90

灵活的扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K ，和三个64K字节

单个部门，多个部门或批量擦除功能

单个或多个部门的保护是用户自定义

3FFFFH

16K字节

3BFFFH

8K字节

39FFFH

8K字节

37FFFH

32K BYTE

2FFFFH

64K字节

1FFFFH

64K字节

0FFFFH

64K字节

00000H

MBM29F002TC部门架构

16K字节

00000H

MBM29F002BC部门架构

8K字节

03FFFH

8K字节

05FFFH

32K BYTE

07FFFH

64K字节

0FFFFH

64K字节

1FFFFH

64K字节

2FFFFH

3FFFFH

MBM29F002TC

-55/-70/-90

/MBM29F002BC

-55/-70/-90

产品阵容

产品型号

= 5.0 V ± 5%

订货型号

= 5.0 V ± 10%

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

—

-70

-90

-55

MBM29F002TC/BC

—

框图

到DQ

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

状态

控制

RESET

命令

编程电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

y解码器

Y型GATING

低V

探测器

定时器

编程/擦除

地址

LATCH

X解码器

细胞矩阵

到A

初步

Am29F002/Am29F002N

2兆位（ 256千×8位）

CMOS 5.0伏只引导扇区闪存

特色鲜明

单电源工作

- 5.0伏只用于读操作，擦除和

方案业务

- 最小化的系统级要求

高性能

- 存取时间快55纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 1微安的待机模式下的电流

- 20毫安读出电流

- 30毫安编程/擦除电流

灵活的部门架构

- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而

3个64字节扇区

- 支持整片擦除

- 扇区保护功能：

锁定一个部门的硬件方法

防止任何程序或内擦除操作

该部门

部门可以通过编程来锁定

设备

临时机构撤消功能允许代码

改变先前锁定行业

顶部或底部启动块CON连接gurations

可用的

嵌入式算法

- 嵌入式擦除算法自动

preprograms和擦除整个芯片或任何

指定界别组合

- 嵌入式程序算法自动

写和在指定地址的数据验证

每次最少100,000次写周期保证

扇形

封装选项

- 32引脚PDIP

- 32引脚TSOP

- 32引脚PLCC

与JEDEC标准兼容

- 引脚和软件兼容的单

电源闪存

- 高级无意写保护

数据＃查询和翻转位

- 提供检测软件的方法

编程或擦除操作完成

擦除暂停/删除恢复

- 挂起擦除操作来读取数据，

或程序数据，一个扇区是不是

擦除，然后恢复擦除操作

硬件复位引脚（ RESET ＃）

- 硬件的方法来将设备重置阅读

数组数据（不Am29F002N提供）

出版＃

20818

启：

Amendment/+2

发行日期：

1998年3月

初步

概述

该Am29F002家庭由2兆， 5.0伏，只

闪存设备组织为262144字节。

该Am29F002提供了RESET ＃功能，

Am29F002N没有。这些数据显示在DQ7-

DQ0 。该器件采用32引脚PLCC ， 32引脚

TSOP和32引脚PDIP封装。该装置是

设计了要被编程在系统的

标准体系5.0伏V

供应量。无V

在用于写或擦除操作。该设备可以

同时在标准EPROM编程编程

聚体。

该标准的设备提供的55 ，70， 90的访问时间，

和120纳秒，使高速微处理器

操作无需等待。为了消除总线争

该设备有独立的芯片使能（ CE ＃），写

使能（ WE＃）和输出使能（ OE ＃）控制。

只有一个设备需要

单5.0伏电源支持

股

用于读取和写入功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单电源闪存标准。

COM-

要求主要通过写入命令寄存器

标准的微处理器写时序。寄存器可

帐篷作为输入到一个内部状态机

控制擦除和编程电路。写

循环内部也需要锁存地址和数据

对于编程和擦除操作。阅读

数据输出装置的类似于读取来自其他

Flash或EPROM器件。

器件编程时通过执行程序

命令序列。这将启动

嵌入式

节目

算法的内部算法，自动

matically次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。

设备出现擦除通过执行擦除的COM

命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法的内部算法，可以自动

preprograms阵列（如果它尚未被编程）

前执行擦除操作。在擦除时，

设备自动倍擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃

轮询）和DQ6 （切换）

状态位。

一个程序后，

或擦除周期已经完成，该装置已准备好

读阵列数据或接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

让内存部门

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以通过编程设备来实现。

该

擦除挂起

特征使用户能够把

清除搁置任何一段时间内读取数据，

或不选择程序数据，任何扇区

擦除。真实背景擦除因此可以实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止任何操作

在进行中，内部状态机复位到

读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到

系统复位电路。因此，一个系统复位也会

复位装置，使系统微处理器

读取从Flash存储器的引导固件。

（此功能不可用的Am29F002N 。）

该系统可将设备投入的

待机

模式。

功率消耗在这大大降低了

模式。

AMD的闪存技术，结合多年的闪光

内存制造经验，生产的

的质量，可靠性和成本effective-最高水平

内斯。该装置电擦除内所有的位

同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐

neling 。的数据是使用热电子编程

注入。

Am29F002/Am29F002N

初步

产品选择指南

系列型号

速度选项

= 5.0 V ± 5%

= 5.0 V ± 10%

最大访问时间， NS （T

加

)

最大CE＃访问时间， NS （T

)

最大OE ＃访问时间， NS （T

)

-55

-70

-90

-120

120

Am29F002/Am29F002N

注意：

请参阅“ AC特性”规格全。

框图

DQ0

–

DQ7

RESET＃

N / A Am29F00N

行业SWITCHES

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

WE＃

状态

控制

命令

PGM电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据

LATCH

CE＃

OE ＃

机顶盒

探测器

定时器

地址锁存

y解码器

Y型GATING

X解码器

细胞矩阵

A0–A17

20818C-1

Am29F002/Am29F002N

初步

连接图

NC在Am29F00N

RESET＃

PDIP

VCC

A16

A17

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ0

A12

A15

WE＃

RESET＃

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

4 3

1 32 31 30

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

PLCC

A16

WE＃

A17

DQ5

DQ6

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

NC在Am29F00N

A11

A13

A14

A17

WE＃

RESET＃

A16

A15

A12

标准TSOP

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

20818C-2

Am29F002/Am29F002N

初步

引脚配置

A0–A17

= 18地址

DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

=芯片使能

=输出使能

=写使能

=硬件复位引脚，低电平有效

（不Am29F002N提供）

= + 5.0V单电源供电

（见产品选择指南

器件速度等级和电压

电源容限）

=设备接地

=引脚内部没有连接

逻辑符号

A0–A17

DQ0–DQ7

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

N / C上Am29F002N

20818C-3

Am29F002/Am29F002N

M29F002T ， M29F002NT

M29F002B

2兆位（ 256Kb的X8 ，引导块）单电源闪存

10％的电源电压程序，

擦除和读取操作

快速存取时间： 70ns的

快速编程时间： 10μs的典型

编程/擦除控制器（ P / E.C 。）

- 程序逐字节

- 状态寄存器位

内存块

- 引导块（顶部或底部的位置）

- 参数及主要街区

块，多块和芯片擦除

多块保护/ TEMPORARY

解除保护模式

擦除挂起和恢复模式

- 阅读并计划在另一座

擦除挂起

低功耗

- 待机和自动待机

每10万编程/擦除周期

块

20年数据保留

- 在1ppm以下缺陷率/年

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 设备代码， M29F002T ： B0H

- 设备代码， M29F002NT ： B0H

- 设备代码， M29F002B ： 34H

描述

该M29F002是一个非易失性存储器可

可在块或芯片级电擦除和

在逐字节的基础在系统编程

仅使用一个single5V V

supply.For计划和

擦除操作所需的高电压

内部产生。该装置还可以亲

编程标准的程序员。

该阵列矩阵式组织使每个块

被擦除和重新编程，而不影响

其他模块。块可以防止亲

graming和擦除编程设备，

暂时无保护做出改变

该应用程序。每个块可以被编程

并删除超过10万次。

1998年7月

PDIP32 （P）的

PLCC32 （ K）

TSOP32 （ N）

8× 20毫米

图1.逻辑图

VCC

A0-A17

（ * ） RPNC

M29F002T

M29F002B

M29F002NT

DQ0-DQ7

VSS

AI02078C

注意：

* RPNC功能是不可用的M29F002NT

1/29

M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B

图2A 。 DIP引脚连接

图2B中。 LCC引脚连接

（ * ） RPNC

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

DQ1

DQ2

VSS

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

AI02079C

M29F002T 25

M29F002B

9 M29F002NT24

AI02080C

VCC

A17

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ0

A12

A15

A16

RPNC

VCC

A17

1 32

A14

A13

A11

A10

DQ7

M29F002T

M29F002B

注意：

1脚不连接的M29F002NT

图2C 。 TSOP引脚连接

表1.信号名称

A0-A17

DQ0-DQ7

地址输入

数据输入/输出，输入命令

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

复位/座临时撤消

电源电压

地

A11

A13

A14

A17

VCC

RPNC

A16

A15

A12

M29F002T

M29F002B

AI02361B

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

RPNC

(*)

描述

（续）

说明读/复位，自动选择为只读

荷兰国际集团的电子签名或块保护

状态，编程，块和芯片擦除，擦除

暂停和恢复被写入到设备中

指令周期为CommandInterfaceusing

标准的微处理器写时序。该装置

提供在PLCC32 ， PDIP32和TSOP32 （ 8 ×20

毫米）封装。

2/29

M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

BIAS

英镑

(2)

参数

工作环境温度

在偏置温度

储存温度

输入或输出电压

电源电压

(2)

(3)

价值

-40至125

-50至125

-65到150

-0.6 7

-0.6至13.5

单位

°C

（ A9 ， E，G ， RPNC ）

A9 ，E ，G ， RPNC电压

注意事项：

1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他

超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大

额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他

相关的质量文件。

2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。

3.取决于范围。

组织

该M29F002组织为256K X 8内存

控制是由芯片提供启动E，输出恩

能够G和写使能W输入。

复位/座临时unprotection的RPNC

（上M29F002NT不可用）三电平输入亲

国际志愿组织一个hardwarereset拉为低电平，当

举高（在V

）暂时取消保护块

先前保护使他们能够progra-

MED和删除。擦除和编程操作

通过内部编程/擦除CON-控制

控制器（ P / E.C ）。 StatusRegister数据outputon DQ7

提供了数据查询信号，并DQ6和DQ2

提供切换信号指示的状态

P / E.C操作。

内存块

这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工

tecture提供系统内存的集成。该

M29F002有7块阵列，一是引导块

16千字节， 8千字节2参数块，

32千字节和三个主要模块1正座

64千字节。

存储器映射是显示在图3的每块

可单独擦除的任何组合

块可以为多块擦除或指定

整个芯片可以被擦除。擦除操作

是managedautomaticallyby的P / E.C.The块

擦除操作可以读暂停

从程序或任何块没有被ersased ，

然后重新开始。块保护提供了额外

方面的资料的安全性。每个块可以被分别

protectedor unprotectedagainstProgram或擦除

编程设备。所有以前亲

tected块可以是暂时的unprotectedin

应用程序。

巴士业务

下面的操作可以使用进行

在appropriatebus周期：读取（阵列，电子

签名，块保护状态），写的COM

命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲

吨EC吨IO N， UNP RO TE CT IO N， P ro的忒CTI上Verif Y，

解除保护检查和阻止外部器件了临时

保护。见表4和5 。

命令接口

说明，由命令写在赛扬

克莱斯，可给予本程序/ EraseController

通过命令接口（ C.I. ）。为了增加

数据保护，编程或擦除开始执行

后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五

周期用于输入编码周期的C.I。

此编码序列是相同的所有亲

克/擦除控制器的指令。在“ COM的

命令“本身和它的确认，在适用时，

给出了在第三，第四或第六个周期。任何

不正确的命令或任何不正确的指令SE-

quence将复位器件来读取阵列模式。

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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B

图3.存储器映射和块地址表

M29F002T ， M29F002NT

3FFFFh

16K BOOT BLOCK

3C000h

3BFFFh

8K参数块

3A000h

39FFFh

8K参数块

38000h

37FFFh

32K主块

30000h

2FFFFh

64K主块

20000h

1FFFFh

64K主块

10000h

0FFFFh

64K主块

00000h

AI02081C

M29F002B

3FFFFh

64K主块

30000h

2FFFFh

64K主块

20000h

1FFFFh

64K主块

10000h

0FFFFh

32K主块

08000h

07FFFh

8K参数块

06000h

05FFFh

8K参数块

04000h

03FFFh

16K BOOT BLOCK

表3A 。 M29F002T ， M29F002NT块地址表

地址范围

00000h-0FFFFh

10000h-1FFFFh

20000h-2FFFFh

30000h-37FFFh

38000h-39FFFh

3A000h-3BFFFh

3C000h-3FFFFh

A17

A16

A15

A14

A13

表3B 。 M29F002B块地址表

地址范围

00000h-03FFFh

04000h-05FFFh

06000h-07FFFh

08000h-0FFFFh

10000h-1FFFFh

20000h-2FFFFh

30000h-3FFFFh

A17

A16

A15

A14

A13

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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B

说明

七个指令被定义为执行读

阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature

或阻止ProtectionStatus ），程序，块擦除，

芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。

内部P / E.C 。自动处理所有时序

荷兰国际集团和验证的编程和擦除的

operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发

GLE ，错误比特可以随时读取，在此期间

编程或擦除，并监控进度

的操作。

指令是由多达六个周期。该

前两个周期中输入一个编码序列与

命令Interfacewhich iscommon所有指令

行动（见表8）。第三个周期输入

指令建立命令。后续周期

输出处理数据，电子签名或

块保护现状进行读操作。在

为了给更多的数据保护，该指令

系统蒸发散的程序和块或片擦除需要

进一步的指令输入。对于Programinstruction ，

第四个命令周期输入的地址和

数据进行编程。对于擦除指令

（块或片），第四和第五个周期输入

擦除确认之前，进一步的编码序列

命令上的第六个周期。一个存储器的擦除

块可能会被暂停，在orderto读取数据

另一个块还是程序数据在另一个块中，

然后重新开始。

当首次加电或者V

瀑布下方

LKO

中，命令界面被重置为读

数组。

信号说明

参见图1和表1中。

地址输入（ A0 - A17 ）。

地址输入端

存储器阵列被写在锁存操作

化片上的下降沿启动E或写

启用W.当A9提高到V

，或者读

ElectronicSignature Manufactureror设备代码，

块保护状态或写块保护

或阻止unprotection的启用取决于

组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。

数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ）。

的输入是数据

存储器阵列或一个COM中进行编程

命令要被写入到C.I。两者都锁定在

芯片的上升沿启动E或写使能

W的输出是从所述存储器阵列的数据，在

电子签名制造商或设备

代码块保护状态或状态

注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6

和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位

DQ3 。输出有效时，芯片使能E和

输出使能G为主动。的输出为高

或阻抗当芯片被取消了

输出被禁止，当RPNC处于低

的水平。

芯片启用（ E）。

该芯片使能输入激活

存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器

和读出放大器。高deselectsthe内存

并减少consumptionto备用电源

的水平。 E可也被用于控制写入到

命令寄存器和存储器阵列中，而

W仍然处于较低水平。该芯片使能必须

被迫V

块unprotection的操作过程

化。

输出使能（ G）。

输出使能的大门

在读通过数据输出缓冲器

操作。当G为高，输出为高电平

阻抗。摹必须强制V

在水平

块保护和unprotection的操作。

写使能（ W）。

该输入控件写

命令Registerand Addressand Datalatches 。

复位/座临时撤消/无连接

输入（ RPNC ）。

该RPNC （不适用于

M29F002NT ）输入提供了硬件复位，

保护块（ S）暂时解除保护功能

系统蒸发散。在读或写操作模式下， RPNC引脚可

悬空（不接），或在V举行

。复位

该存储器是通过拉动RPNC到V来达到的

为

至少为500ns 。当复位脉冲被给定，如果

记忆是在读或待机模式，这将是

可在50ns的新业务的上涨后

RPNC的边缘。如果内存中的擦除，擦除

挂起或程序模式复位会

为10μs 。 Ahardware重置duringan Eraseor计划

操作将损坏的数据进行编程

或所属部门被删除。

临时块解除保护是通过举办制成

RPNC在V

。在这种状态下先前保护

块可以被编程或擦除。的跃迁

化RPNC从V

到V

一定要慢

为500ns 。当RPNC从V返回

到V

所有

块暂时未受保护将被再次亲

tected 。

电源电压。

对于所有的电源

操作（读取，编程和擦除）。

地面上。

对于所有电压基准

测量。

设备操作

参照表4，5和6 。

读取。

读操作被用于输出

的存储器阵列，所述电子显的内容

性质，状态寄存器或块保护

状态。这两个芯片使能E和输出使能摹

必须低，以读取的输出

内存。

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