MX26LV040
旺宏N位
TM
存储器系列
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY高速eLiteFlash
TM
内存
特点
扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
524,288 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 55us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节X8 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
2000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX26LV040是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX26LV040是封装
年龄在32引脚PLCC ， 32引脚TSOP和32引脚PDIP封装。它
被设计为进行重新编程和擦除系统
或者在标准EPROM编程器。
该标准MX26LV040提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX26LV040有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX26LV040使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过2000次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX26LV040采用3.0V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
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MX26LV040
自动编程
该MX26LV040是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户，以该台站
土族的擦除操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX26LV040 electri-
美云擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态，表7中，为更
这些状态位的信息。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
自动擦除算法自动程序
前电擦除整个阵列。定时和
验证电擦除的内部控制，
内的设备。
自动扇区擦除
该MX26LV040是所属部门可擦写使用MXIC汽车
扇区擦除算法。自动扇区擦除
算法自动程序指定的扇区（S ）
之前的电擦除。定时和验证的
电擦除内部的DE-内控制
副。擦除操作可以擦除一个扇区，多
扇区或整个设备。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别，通过识别码输出上
Q7 Q0 。此模式主要适于编程
设备的设备上，以与其亲被编程
编程算法。当高电压编程
方法，自动选择模式，需要VID （ 11V至12V ）
在地址引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1和A0
如参考表3。另外，访问中的自动
马蒂奇选择代码在系统中，主机可以发出
通过命令寄存器自动选择命令
器，而不需要的VID ，如表4所示。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
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MX26LV040
表3. MX26LV040自动选择模式操作
A18 A12
描述
读
制造商代码
CE ＃ OE ＃ WE＃
L
L
L
L
H
H
|
X
X
|
X
X
VID
VID
A13 A10
硅ID设备ID
A9
A8
|
A7
X
X
L
L
A6
A5
|
A2
X
X
L
L
L
H
C2H
4FH
A1
A0
Q7~Q0
注： SA =扇区地址，X =无关， L =逻辑低，H =逻辑高电平
命令德网络nitions
设备操作由写入特定的地址和数据序列到命令寄存器中选择。写作
不正确的地址和数据值，或者将它们写在不当顺序将设备复位到读模式。
表4给出了有效的寄存器命令序列。需要注意的是擦除挂起（ B0H ），并删除恢复（ 30H ）
命令都必须同时扇区擦除操作正在进行。
表4. MX26LV040命令定义
第一巴士
命令
总线周期
循环地址
RESET
读
阅读硅ID
节目
芯片擦除
扇区擦除
1
1
4
4
6
6
第二巴士
周期
数据地址
第三巴士
周期
数据地址
四巴士
周期
数据地址
数据
第五公交车
周期
ADDR
第六巴士
周期
数据地址
数据
XXXH F0H
RA
RD
55H
55H
55H
55H
555H
555H
555H
555H
ADI 90H
A0H PA
DDI
PD
2AAH 55H
2AAH 55H
555H 10H
SA
30H
555H AAH 2AAH
555H AAH 2AAH
555H AAH 2AAH
555H AAH 2AAH
80H AAH 555H
80H AAH 555H
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0， A 0 = 0为制造商代码，A 1 = 0， A0 = 1时为设备代码。 A2- A18 =不在乎。
（参见表3 ）
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 4FH的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址的部门。
3.地址A18 -A11是不关心的解锁和指挥周期。
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