M27512
NMOS 512千位（64KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 200ns的
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27512是524,288位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位， 65,536字。
该M27512装在一个28引脚窗口胶结
RAMIC熔接密封双列直插式封装。变压器
母盖允许用户在芯片暴露于
紫外线来擦除的位模式。新巳
燕鸥然后可写入器件由以下
在编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
16
A0-A15
8
Q0-Q7
E
GVPP
M27512
VSS
AI00765B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
1/11
M27512
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6 6.5
-0.6 6.5
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量的文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27512具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出吨的延迟之后
GLQV
从
克下降沿，假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27512具有待机模式，该模式减少了
从125毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27512被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立的拍摄画面GV的
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，该产品具有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27512
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00766
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
该M27512的操作的六种模式是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了GV
PP
和12V的
A9的电子签名。
2/11
M27512
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
设备选择功能，而GV
PP
应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有dese-
lected存储器设备处于其低功率
待机模式，而输出引脚是只
有源当数据从一个特定的MEM-需要
ORY设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。这是重新开始，一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
程序设计
当交付，以及各擦除之后，所有的位
该M27512是在“ 1"状态。资料介绍
通过有选择地编程“ 0s"到所需的位
位置。虽然只有“0”将被编程，
两个“1”和“0 ”可以存在于该数据字。
只有这样，才能改变“ 0"到” 1"是由紫外线
光擦除。在M27512是在编程
模式时， GV
PP
输入为12.5V和E是
TTL -低。要编程的数据被应用于8
位并行数据输出管脚。水平
所需的地址和数据输入是TTL 。
该M27512可以使用PRESTO编程Algo-
rithm ，它大大减少了编程
时间（通常小于50秒）。虽然
实现与所有兼容的编程
设备，标准的快速编程Algo-
rithm也可以使用。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27512的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27512快速规划算法示于
网络连接gure 8 。
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
IL
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
0Dh
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M27512
NMOS 512千位（64KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 200ns的
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27512是524,288位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位， 65,536字。
该M27512装在一个28引脚窗口胶结
RAMIC熔接密封双列直插式封装。变压器
母盖允许用户在芯片暴露于
紫外线来擦除的位模式。新巳
燕鸥然后可写入器件由以下
在编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
16
A0-A15
8
Q0-Q7
E
GVPP
M27512
VSS
AI00765B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
1/11
M27512
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6 6.5
-0.6 6.5
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量的文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27512具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出吨的延迟之后
GLQV
从
克下降沿，假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27512具有待机模式，该模式减少了
从125毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27512被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立的拍摄画面GV的
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，该产品具有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27512
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00766
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
该M27512的操作的六种模式是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了GV
PP
和12V的
A9的电子签名。
2/11
M27512
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
设备选择功能，而GV
PP
应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有dese-
lected存储器设备处于其低功率
待机模式，而输出引脚是只
有源当数据从一个特定的MEM-需要
ORY设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。这是重新开始，一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
程序设计
当交付，以及各擦除之后，所有的位
该M27512是在“ 1"状态。资料介绍
通过有选择地编程“ 0s"到所需的位
位置。虽然只有“0”将被编程，
两个“1”和“0 ”可以存在于该数据字。
只有这样，才能改变“ 0"到” 1"是由紫外线
光擦除。在M27512是在编程
模式时， GV
PP
输入为12.5V和E是
TTL -低。要编程的数据被应用于8
位并行数据输出管脚。水平
所需的地址和数据输入是TTL 。
该M27512可以使用PRESTO编程Algo-
rithm ，它大大减少了编程
时间（通常小于50秒）。虽然
实现与所有兼容的编程
设备，标准的快速编程Algo-
rithm也可以使用。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27512的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27512快速规划算法示于
网络连接gure 8 。
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
IL
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
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0
1
Q1
0
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Q0
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十六进制数据
20h
0Dh
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QQ：2880707522 复制
