【CYStech电子股份有限公司P沟道增强型功率MOSFET规格。编号： C391Q8发行日期： 20】,IC型号MTP4435Q8,MTP4435Q8 PDF资料,MTP4435Q8经销商,ic,电子元器件-51电子网

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C391Q8

发行日期： 2007.06.08

修订日期：

页页次： 1/6

MTP4435Q8

描述

该MTP4435Q8是一个P沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳

结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。

该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用

和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。

特点

DS （ ON）

=20m

= -10V ，我

=-8A

DS （ ON）

=35m

= -4.5V ，我

=-5A

简单的驱动要求

低导通电阻

开关速度快

无铅封装

等效电路

MTP4435Q8

概要

SOP-8

G：门

S：源

D：漏

MTP4435Q8

CYStek产品规格

CYStech电子股份有限公司

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源击穿电压

栅源电压

连续漏电流@T

=25

°C

连续漏电流@T

=70

°C

漏电流脉冲

（注1 ）

总功率耗散@ T

=25

°C

线性降额因子

工作结温

储存温度

热阻，结到环境

注： 1.Pulse宽度有限的最高结温。

规格。编号： C391Q8

发行日期： 2007.06.08

修订日期：

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符号

DSS

TSTG

第r ，J -一

范围

-30

±20

-8

-6

-50

2.5

0.02

-55~+150

单位

W /

°C

° C / W

电气特性

（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

测试条件

DSS

-30

=0, I

=-250μA

ΔV

DSS

/ ΔTJ

-0.037

V /°C的

参考至25℃ ，我

=-1mA

GS （ TH）

-1

-3

, I

=-250μA

GSS

±100

=±20V, V

DSS

-1

μA

=-30V, V

DSS

-5

μA

=-24V, V

= 0 ， TJ = 70℃

= -8A ，V

=-10V

DS （ ON）

mΩ

= -5A ，V

=-4.5V

= -10V ，我

=-8A

西塞

2800

=-15V, V

= 0中，f = 1MHz的

科斯

1400

CRSS

350

D（上）

= -15V ，我

=-1A,

= -10V ，R

, R

=15

D（关闭）

120

= -15V ，我

=-4.6A,

QGS

9.5

=-10V,

QGD

-2.1

=0, V

=-1.2V

-0.75

-1.2

= 0V时，我

=-2.1A

*脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

值班Cycle≤2 ％

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CYStek产品规格

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

规格。编号： C391Q8

发行日期： 2007.06.08

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CYStek产品规格

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特性曲线（续）

规格。编号： C391Q8

发行日期： 2007.06.08

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特性曲线（续）

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CYS

2019

79600

SO-8

原装正品钻石品质假一赔十

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07+

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原装正品，支持实单

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23000

SOP-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

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35500

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21+

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SOP-8

全新原装正品/质量有保证

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MTP4435Q8

VBsemi

24+

18650

SOP-8

全新原装现货，原厂代理。

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