D10 ， D15 ， D20 ， D22 ， C20 ， C30
微型模块
内存微型模块
为D1 ， D2和C封装一般资讯
s
微型组件是专为开发
在智能卡和存储卡嵌入
微型组件提供：
- 支持芯片
- 电触点
- 适合嵌入接口刷胶
模块的塑料包
注入侧
接触侧
s
D15
s
物理尺寸和触点位置
兼容于ISO 7816标准
输送作为连续的超微型组件
35毫米磁带。 （这不同于标准
之间的间隔距离35毫米胶带
索引孔。 ）
D10
D20
1
1
1
1
s
1
1
1
1
描述
存储器卡包括两个主要部分组成：
塑料卡，和嵌入式微型组件
（其中，反过来，进行硅芯片） 。
塑料卡是由PVC，ABS或类似
材料，并且可以是在印有图形，
文本，和磁条。微型组件是
嵌入在塑料卡的腔。
微型组件安装在超级35毫米
金属化环氧树脂胶带，并交付卷轴。
这些含有所有的芯片的从若干
晶片，包括那些被认为是该芯片
在测试过程中的非功能。可追溯性是
由固定在卷轴的标签保证。
D22
C30
C20
表1.存储卡和内存标签集成电路
MODUL ê
D10
D15
D20
D22
C30
C20
请参阅这些产品的数据表介绍的这些例子说明
微型模块
ST1200 ， ST1305B ， ST1331 ， ST1333 ， ST1335 ， ST1336 ， ST1353 ， ST1355
ST14C02 ， ST1305B ， ST1335 ， ST1336 ， ST1355
ST14C02 ， M14C04 ， M14C16 ， M14C32
M14C64 ， M14128 ， M14256
M35101, M35102
M35101, M35102
1999年12月
1/13
微型模块
表2.存储卡产品
TYPE
ST14C02C
M14C04
M14C16
M14C32
M14C64
M14128
M14256
ST1200
ST1305B
ST1331
ST1333
ST1335
ST1336
M35101
M35102
非接触式存储器芯片， 13.56兆赫， 2048位EEPROM
非接触式存储器芯片具有64位唯一ID ，
13.56兆赫， 2048位EEPROM
记忆卡IC， 272位高耐久性EEPROM
具有高级安全机制
说明（请参阅个别产品数据
张全规格）
记忆卡IC， 2千位（ 256 ×8 ）串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 4千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 16千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 32千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 64千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 128 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256位OTP EPROM与锁定功能
记忆卡IC， 192位高耐久性EEPROM
与安全逻辑访问控制
过程
1.2
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
3.5
m
1.5
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
0.6
m
0.6
m
技术
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
NMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
模块式
D15, D20
D20
D20
D20
D22
D22
D22
D10
D10, D15
D10
D10
D10, D15
D10, D15
C20, C30
C20, C30
组装流如下：
1.骰子锯
2.附加骰子
3.引线键合
4.灌封胶
5.铣削（取决于产品）
性的产品类型的微型组件的范围
总结在表1和表2中。对于大
卷， ST能够提供定制模块
胶带。
交货
超级35毫米金属环氧胶带
传送卷轴，如示于图1中。这些
包含的所有芯片的从多个晶片，
包括那些被发现芯片是不
在测试过程中发挥作用。可追溯性保证
由固定在卷轴的标签。
典型的量为每卷万的模块，
优先考虑在卷筒上很多的完整性。该
最大数量为15000每卷。
这部分有故障（机械或电气
有缺陷的）的确定打孔。该
规格为拒绝打孔示于
图4为D10微型组件，在图5中为
的D15微型组件，在图6中为D20的
微型组件，并且在图7中为D22
微型组件。
胶带连接（带拼接）从未超过10
每10米的长度，如图2和
网络连接gure 3 。
至少领先2.1 m的， 2.1米的拖车是
包含在每个卷轴上。每一个由PVC超
35毫米带，无金属化，并且是不透明的
红外和白光。
“失败”的拒绝孔标记包含在
开始和至少5的带的端
连续的模块间距（双位置） 。
模块应的温度范围内被存储
-40
°C
至+ 85
°C,
不超过1年。
每个卷轴装在防静电袋，以及
干燥剂袋，和一个湿度指示卡。
此卡指示湿度的水平如下：
30 - 蓝色：保护放心
40 - 粉红：更新干燥剂袋
50 - 粉红：保护不再保证
三自粘的塑料标识标签
附：一个卷轴，一个防静电袋，
2/13
微型模块
表3.生产流程和生产设施的位置
手术
法国Rousset 。 6 “晶圆厂。
晶圆扩散
的Agrate ，意大利。只有6 “晶圆厂：标准EEPROM
法国Rousset 。
电气晶圆测试
唯一的标准EEPROM ： Agrate建成，意大利
装配
最终测试
摩洛哥的卡萨布兰卡。
摩洛哥的卡萨布兰卡。
法国Rousset 。
位置及设施
表4.材料规范
材料
TAPE
基础材料
胶粘剂
层压铜箔
粘接强度
磁带表面
表面粗糙度
接触面
镍厚度
的金层厚度
磁带总厚度
控制，帕尔默
MCTS T2或揖斐电粗糙，典型厚度120
m
改性环氧树脂，典型厚度18
m
典型厚度35
m
> 0.8N / mm的室温。通过使用胶带的制造商监视
合适的测试方法
整个环氧树脂粘合剂表面被控制为游离的污垢，油脂，清洁
化合物和化合物离别
通常情况下RZ ： 3-12
m
在第一次接受交付
镍金，电镀处理
2
m
（分）
接触面， 0.1
m
（分）
160
±
30
m
“特平”直径为3毫米， F = 1.5N的
芯片互连
骰子合
焊线
环（ D22只）
银环氧树脂
黄金25
m
BRONZE
防护涂层
材料
装配
UV环氧树脂，环氧黑
摩洛哥的卡萨布兰卡。
描述
3/13
微型模块
和1至卷轴框。每个标签携带
下列信息：
- 产品：
销售类型
- 拍品编号：卷号
- POS ：
位置的总数
- 好：
好职位数
- 故障：
故障位置数
- 日期：
密封的日期
此外，防静电包装和输送箱
携带自粘的塑料“ ESD ”的警告标签，
85× 38毫米在大小，表示“静电
敏感设备“ 。
每个卷轴被装在卷轴中，由回收
硬纸板。带盘盒的尺寸取决于它的
起源。几个卷轴盒是装在一个输送
框，它也是由回收的纸板。
送货单提供，列出以下
信息：
- 封口日期
- 卷号
- 总数立场，与细节
每卷的位置
- 订单号和客户名
- 销售型
- 磁带式
推荐的验收标准
产品标识应针对检查
传送文档和数量
所记录的卷轴好位置。该产品
也可以按照相应的测试
数据表，条件取决于
产品类型，与发行人或用户模式（
ST13xx产品） 。
对于交货验收， ST建议
从开始时采样的微型组件
卷轴。采样的AQL应适用，以
在ISO 2859标准（ II级测试，一般测试） 。
表5的卷轴盒尺寸
生产地点
鲁塞
CASABLANCA
卷盒的大小
370 X 390 ×80mm的
373 X 370 X 78毫米
表6. AQL水平
缺陷
共向的缺陷 - 机电
机械故障
电气缺陷
AQL
0.65
0.65
0.65
任何观察到的差异应当在报
写ST质量部门。表6
给出了推荐的AQL水平。
视觉和机械测试规范和
试验条件在表7中描述。
缺陷录取率
每卷包含的缺陷的数量表示
设备，分布式，使得不超过20％的
它们被发现在磁带上的一个连续的块。
ST自己的质量验收标准保证
该用户将被告知当
电产率小于90％。
该部件号和重复订购信息
根据意法半导体目前的产品编码设置
政策，如对个别产品数据
张，或与客户商定。
卷轴未通过检查应该是
后15个工作日内返回ST
交货。
表7.视觉和机械规格和测试条件
TEST
1
说明与方法
接触面积
不合格标准
胶水或颗粒，划痕打印，就断绝接触面积缺损
损坏的金层。目测距离30厘米，肉眼。
厚度和外形尺寸测量超过总
厚度或其他方面不符合图纸
模具剪切力< 10牛顿
钢丝升降或断裂的拉力测试与< 4克
2
3
1
4
1
芯片覆盖
芯片粘结强度
引线键合
注：1，试验3和4是按照MIL-STD- 833进行的。
4/13
微型模块
可靠性
产品资质和持续的可靠性
监测是通过ST执行。主要步骤
列于表8和表9 。
表8.包装相关测试
TEST
1
2
3
4
5
描述
几何
视觉检测
温度循环
盐雾
接触腐蚀
耐湿性
振动电机
测量
法
ST规格
康迪特离子
监控/批号
5
AQL = 0.040
5
15
7
lptd
准则
（注1 ）
0/45
0/315
0/45
0/15
0/32
ST规格呼出/批号
MIL-STD-883
方法1010
MIL-STD-883
方法1009
MIL-STD-883
方法1004
ISO / IEC 10373
-40
°C
150
°C,
100次
35
°C,
5 ％的NaCl ，24小时
85
°C,
85 ％的HR偏5.5 V ，
168小时
6
1倍频程/分，加速度达
10 G（重复20次）
20
在25测量内存检查
°C
长边：偏转2厘米
空方：偏转1厘米
每分钟30次弯曲
最大位移15 °
±1°
1000扭转，每分钟30扭转
适用于长边只
20
0/11
7
弯曲性能
ISO / IEC 7816-1
0/11
8
扭力特性
ISO / IEC 7816-1
20
0/11
注： 1，符号
M / N
意思是：如果超过拒收整批
m
设备从样品失败
n
设备。例如， 0/45指
从大量的拍摄，与整幅45设备样品只接受每一位45样品的设备通过了测试。
表9.产品相关测试
TEST
1
2
描述
寿命试验
静电放电
静电放电
3
4
数据保留，
储存温度
写/擦除周期
法
MIL-STD-883
方法1005
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法1005
ST规格
康迪特离子
140
°C,
6 V ， 504小时测量
25内存检查
°C
人体模型：
1.5 kΩ的， 100 pF的，
±
5000 V
3
不适用
lptd
准则
0/76
0/9
0/9
0/45
0/32
机器型号： 0
,
200 pF的，
±
200 V N / A
在25测量内存检查
°C
150
°C,
1000小时无偏见
5
在25测量内存检查
°C
100,000次
200 PPM /
1024字节/
1000周期
15
15
15
5
6
7
磁场，存储器
查
X射线，内存检查
UV灯，内存检查
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
79,500 /米
70千伏， 0.1灰色
15 W.S /厘米
2
，最大30分钟
1/25
1/25
1/25
5/13
M14256
M14128
记忆卡IC
一百二十八分之二百五十六千位串行IC总线EEPROM
初步数据
s
s
兼容我
2
C扩展寻址
两线我
2
C接口
支持400千赫协议
单电源电压（ 2.5 V至5.5 V ）
硬件写控制
字节和页写（最多64个字节）
BYTE ，随机和顺序读
模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强的ESD /闩锁行为
100000擦除/写周期（最小）
40年的数据保存（最低）
5毫秒的编程时间（典型值）
微型模块（ D22 ）
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
描述
每个设备是一个电可擦编程
制作用STMi-可燃存储器（EEPROM）
croelectronics的
高
耐力，
双
多晶硅， CMOS技术。这保证
耐力通常远高于10万次擦除/
写周期， 40年的数据保存。该
存储器工作在电源低至
2.5 V.
该M14256和M14128在微可用
模块的形式而已。为M14256的可用性或
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
SDA
串行数据/地址输入/
产量
串行时钟
写控制
电源电压
地
SCL
WC
M14xxx
SDA
SCL
WC
V
CC
GND
GND
AI02217
1999年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/12
M14256, M14128
图2. D22联系人的连接
当将数据写入存储器，存储器DE-
副插入9时应答位
th
位
时间，之后总线主机的8位传输。
当数据总线主机，总线读
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
在确认之后，停止条件的写入和自动对焦
之三的Noack为READ 。
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
在上电期间写操作，上电重
集（POR）电路被包括在内。内部复位
保持有效，直到V
CC
电压已达到
POR阈值，并且所有的操作都显示
体健 - 该设备将不会对任何的COM回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压低于POR阈值，
所有的操作都被禁止，该设备将无法
响应任何命令。一个稳定，有效的V
CC
施加任何逻辑信号之前必须应用。
信号说明
串行时钟（ SCL ）
SCL输入引脚用于同步所有数据
中和从存储器中。一个上拉电阻即可
从SCL线V连接
CC
。 （图3 IN-
dicates怎样的上拉电阻器的值可以是
计算） 。
串行数据（ SDA ）
SDA引脚是双向的，而且是用来反式
或缩小存储器的FER数据。这是一个漏极开路
输出可能是线或运算与其他开放
漏，或在公共汽车上集电极开路信号。上拉
电阻必须从SDA总线连接
到V
CC
。 （图3表示的是如何的价值
上拉电阻可以计算） 。
VCC
WC
GND
SCL
SDA
AI02204
M14128晶圆形式，请联系您的ST
销售网络的CE 。
每个存储设备是与所述I兼容
2
C
扩展的内存标准。这是一个双线SE-
一种使用双向数据总线里亚尔接口
和串行时钟。所述存储器装置执行一
内置7位独特的设备类型标识代码
（ 1010000 ）按照我
2
C总线defini-
化。只有一个存储器装置可连接到
每个I
2
C总线。
存储设备相当于一个从设备
在我
2
C协议，所有的内存操作同步
由串行时钟chronized 。读写OP-
操作是由一个启动条件启动，
总线主机产生。启动条件
化之后的设备选择码是
由7位（ 101万）的流，加
一个读/写位（R / W）和由一端接
应答位。
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
V
ESD
静电放电电压（机器型号）
3
400
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200 pF的， 0
)
参数
工作环境温度
储存温度
输入或输出范围
电源电压
静电放电电压（人体模型）
2
价值
0到70
-40℃120
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
V
V
V
2/12
M14256, M14128
写控制（ WC ）
硬件写控制触点（ WC ）是非常有用的
用于保护存储器的全部内容
防止意外擦除/写操作。写控制
信号用于使能（WC = V
IL
）或禁用
（ WC = V
IH
）写指令到整个内存
区。当未连接时， WC输入内部 -
LY读作V
IL
和允许写操作。
当WC = 1 ，设备选择和地址字节
是公认的，数据字节非应答
边。
请参阅应用笔记
AN404
为更
写入控制功能的详细描述。
设备操作
所述存储器装置支持第十一
2
C（扩展
I
2
C）的协议，总结于图4中的任何DE-
副发送数据到总线被定义为
一个发送器，和一个读取的数据的任何设备
是一个接收器。控制该数据的设备
传递被称为主，其他为
奴隶。一种数据传送只能由启动
主，这也将提供串行时钟
进行同步。存储器设备是始终
从站设备的所有通信。
启动条件
开始是由一个高鉴定到的低转换
SDA线，而时钟，SCL是稳定的，在
高状态。启动条件必须先于任何
数据传输命令。存储器器件所
连续监控（除了一个编程期间
为启动条件的周期）的SDA和SCL线
化，并且不会响应，除非给出一个。
停止条件
停止由低识别到高过渡
SDA线而时钟，SCL是稳定的，在高
状态。停止条件终止通信
所述存储装置和总线mas-之间和灰
之三。在读的最后一个停止条件
命令后（只有经过）的Noack ，势力
存储设备插入其待机状态。一个停止
条件在Write指令的触发器的端
内部EEPROM写周期。
确认位（ ACK ）
一个确认信号被用于指示一个suc-
cessful数据传输。总线发射器，无论是
主站或从站，之后将释放SDA总线
发送8位数据。在9
th
时钟脉冲
期间，接收拉SDA总线低到AC-
知识收据的8个数据位。
数据输入
在数据输入时，该存储器器件样品的
在时钟的上升沿，SDA总线信号，
SCL 。对于正确的设备操作， SDA信号
必须在时钟期间是稳定的低到高的跃迁
化，并且数据必须改变
只
当SCL
线是低的。
存储器寻址
要启动总线主机之间的通信
而从内存，主机必须启动
启动条件。在此之后，主机发送
8位到SDA总线（具有最显著
位在前） 。这些位代表的设备选择
码（ 7位）和一个读写位。
七个最显著位设备的硒
择代码是设备类型标识符，根据
给我
2
C总线定义。为存储装置，
在7位被固定为1010000b （的A0h ），如
表5所示。
8
th
位是读或写位（ RW） 。该位
设置为“1”，读取和'0'的写操作。如果一个
比赛发生在设备选择代码，则所有
图3.最大R
L
值与总线电容（C
公共汽车
）为一个余
2
C总线
VCC
20
最大RP值（千欧）
16
RL
12
8
4
0
10
100
CBUS （PF ）
AI01665
RL
SDA
主
FC = 100kHz的
FC = 400kHz的
SCL
CBUS
CBUS
1000
3/12
M14256, M14128
写操作
在开始状态之后，主机发送一个
设备与RW选择代码位设置为“0” ，如
在表6所示的存储器承认它
并等待2个字节的地址，从而提供
访问该存储区域。每次收到后
字节地址，存储器再次用一个响应
应答，并等待数据字节。写作
在存储器中，如果输入引脚的WC ，可以抑制
被拉高。
与WC = 1（在一个周期中的所有写入命令
从时间的起始条件，直到结束
两个字节的地址）将不会修改内存
内容并不会在数据确认
个字节，如图5 。
字节写
在字节写模式下，设备后，选择
代码和地址，主机发送一个数据
字节。若该位置被写保护
在WC针，内存回复一个诺亚克，
和位置不会被修改。相反，如果所述的WC
与WC = 1图5.写模式序列
WC
确认
字节写
开始
DEV SEL
读/写
确认
确认
无应答
DATA IN
停止
确认
确认
无应答
IN 1数据
IN 2数据
BYTE ADDR
读/写
BYTE ADDR
无应答
停止
销已被保持在0时，如图6所示，
内存回复一个ACK 。主termi-
通过产生一个停止条件止数据传输
化。
页写
页写模式，允许最多64个字节是
写在单个写入循环中，条件是它们
都位于内存中的同一个“行”中：
这是最显著存储器地址的位
（ B14 - B6为M14256和B13 ， B6的
M14128 ）是相同的。主机发送的
1到64个字节的数据，其中每一个处于激活
由存储器knowledged如果WC引脚为低电平。如果
了WC引脚为高电平时，每一个数据字节之后是
诺亚克和位置不会被修改。在每个
字节传送，内部字节地址国家
之三（六最显著只比特）是递增
ED 。传输由主终止
产生一个停止条件。必须小心
为了避免地址计数器'翻车'可能重新
SULT中的数据被覆盖。需要注意的是，对于任何
BYTE ADDR
BYTE ADDR
WC
确认
页写
开始
WC （续）
无应答
页写
（续）
DEV SEL
数据的N
AI01120B
5/12
QQ：2880707522 复制
