【EliteMTDRAMM11L416256SA256的K× 16的DRAMEDO页模式特点X16组织】,IC型号M11L416256SA-35TG,M11L416256SA-35TG PDF资料,M11L416256SA-35TG经销商,ic,电子元器件-51电子网

EliteMT

DRAM

M11L416256SA

256的K× 16的DRAM

EDO页模式

特点

X16组织

EDO （扩展数据输出）接入方式

2

CAS

字节/字的读/写操作

3.3V单电源（

±

10 ％）电源

LVTTL兼容的输入和输出

在8ms的512周期刷新

刷新方式：

RAS

只是，

CAS

前

RAS

（ CBR ）

和隐藏功能

自刷新功能

JEDEC标准引脚

AC关键参数

t

RAC

-35

35

t

CAC

10

t

RC

65

t

PC

14

订购信息 - 包

40引脚400mil SOJ

40分之44引脚400mil TSOP （ II型）

产品编号

填料

TYPE

M11L416256SA-

SOJ / TSOPII

35 TG

M11L416256SA-

35 JP

无铅

概述

该M11L416256系列是一个随机访问固态存储器，组织为262144 ×16位的设备。它提供

扩展数据输出， 3.3V （

±

10 ％），单电源供电。访问时间（-35 ），自刷新和封装类型（ SOJ ，TSOP II）的

此系列的可选功能。所有这些家庭都有

CAS

- 前 -

RAS

,

RAS

- 只刷新和刷新隐藏

的能力。

两种接入方式是通过本机支持：字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个

CAS

离开

其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个

CAS

(

CASL

,

现金

）被使用。

CASL

读或写周期将输出或输入数据到低字节（ IO0 IO7 ），并在过境低

现金

过境过低都会输出或输入数据到高字节（ IO8 15 ）。

引脚分配

SOJ顶视图

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

C C

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

WE

RA S

NC

A0

A1

A2

A3

V

C C

TSOP （ Ⅱ型）顶视图

V

S S

的I / O 1 5

的I / O 1 4

I / O1 3

的I / O 1 2

V

S S

的I / O 1 1

的I / O 1 0

I/O9

I/O8

NC

CASL

现金

OE

A8

A7

A6

A5

A4

V

S S

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

C C

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

WE

RA S

NC

A0

A1

A2

A3

V

C C

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

V

S S

的I / O 1 5

的I / O 1 4

I / O1 3

的I / O 1 2

V

S S

的I / O 1 1

的I / O 1 0

I / O 9

I / O 8

NC

CASL

现金

OE

A8

A7

A6

A5

A4

V

S S

精英存储科技有限公司

出版日期：八月2005年

调整

:

1.4

1/16

EliteMT

功能框图

M11L416256SA

WE

RAS

CASL

现金

控制

逻辑

数据输入缓冲

16

IO0

:

IO15

时钟

发电机

数据输出

卜FF器

9

COLUMN

解码器

512

16

OE

16

9

A0

A1

A2

A3

COLUMN

地址

卜FF器

刷新

CONTROLER

感测放大器

I / O选通

8

512 x 16

A4

A5

A6

A7

A8

9

99

行。

地址

BUFFERS(9)

9

ROW

解码器

512 x 512 x 16

内存

ARRAY

刷新

计数器

512

V

BB

发电机

V

CC

V

SS

引脚说明

PIN号

16~19,22~26

14

28

29

13

引脚名称

A0~A8

RAS

现金

CASL

TYPE

输入

描述

地址输入

行地址： A0 A8

列地址： A0 A8

行地址选通

列地址选通/高字节控制

列地址选通/低字节控制

WE

OE

输入

输入/输出

供应

地

-

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

动力方面， 3.3V

地

无连接

27

2~5,7~10,31~34,36~39

1,6,20

21,35,40

11,12,15,30

I / O0 - I / O15

V

CC

V

SS

NC

精英存储科技有限公司

出版日期：八月2005年

调整

:

1.4

2/16

EliteMT

绝对最大额定值

任何引脚相对于VSS的电压... ...... -0.5V至+ 4.6V

工作温度，T

A

（环境） ... 0.0

°

C至+70

°

C

存储温度（塑料） ......... 。， 55

°

C至+150

°

C

功耗0.8W .......................................

短路输出电流........................ 50毫安

M11L416256SA

如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现

最大额定值“被超过。这是一个压力等级

以上这些设备只和功能的操作

在这个业务部门所标明的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会

影响可靠性。

直流电气特性与推荐

工作条件

(0

°

C

≤

T

A

≤

70

°

℃; V

CC

= 3.3V

±

10％除非另有说明）

参数

条件

符号

民

最大

单位备注

电源电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

注： 1，所有电压参考V

SS

0V

≤

V

IN

≤

V

IH

（最大）

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

输出（S ）禁用

I

OH

= -2毫安

I

OL

= 2毫安

V

CC

V

SS

V

IH

V

IL

I

LI

I

LO

V

OH

V

OL

3.0

0

2.0

-0.3

-10

2.4

-

3.6

0

V

CC

+0.3

0.8

10

-

0.4

V

μ

A

μ

A

1

V

参数

条件

RAS

,

CAS

骑自行车，T

RC

=分钟

符号

最大

-35

单位备注

工作电流

I

CC1

150

4

2

mA

μ

A

1,2

待机电流

TTL接口，

RAS

,

CAS

= V

IH

,

D

OUT

=高阻

CMOS接口，

RAS

,

CAS

≥

V

CC

-0.2V

I

CC2

RAS

只刷新当前

t

RC

=分钟

t

PC

=分钟

RAS

=V

IH

,

CAS

= V

IL

I

CC3

I

CC4

I

CC5

I

CC6

150

5

150

2

1,3

1

EDO页面模式电流

待机电流

CAS

前

RAS

刷新

当前

t

RC

=分钟

RAS

,

CAS

≤

0.2V ，D

OUT

=高阻，

CMOS接口

RAS

=

CAS

= V

IL

,

备用电池电流

（S-版本。只）

自刷新电流

（S-版本。只）

I

CC7

400

WE -

OE

= A0 A8 = V

CC

-0.2或0.2V

DQ0 DQ15 = V

CC

-0.2 ， 0.2V或开放

I

CC8

400

μ

A

记

:

1. I

CC

最大值被指定在输出开状态。

2.地址是可以改变的两次或更小，而

RAS

=V

IL 。

3.地址可以一次或更少，而改变

CAS

=V

IH

.

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调整

:

1.4

3/16

EliteMT

电容

（ TA = 25

°

C，V

CC

= 3.3V

±

10%)

参数

符号

典型值

最大

M11L416256SA

单位

输入电容（地址）

输入电容（

RAS

,

现金

,

CASL

我们，

OE

)

输出电容（ I / O0I / O15 ）

C

I1

C

I2

C

I / O

-

5

7

10

pF

AC电气特性

（ TA = 0 70

°

C，V

CC

=3.3V

±

10%, V

SS

= 0V ）（注14 ）

测试条件

输入时序参考电平： 0.8V ， 2.0V

输出参考电平： V

OL

= 0.8V, V

OH

=2.0V

输出负载： 2TTL门+ CL （ 50pF的）

采取的T

T

= 2ns的

参数

读或写周期时间

读写周期时间

EDO页模式读或写周期

时间

EDO -PAGE -MODE读，写周期

时间

访问时间从

RAS

访问时间从

CAS

访问时间从

OE

从列地址访问时间

访问时间从

CAS

预充电

符号

民

-35

最大

单位

笔记

t

RC

t

RWC

t

PC

t

PCM

t

RAC

t

CAC

t

OAC

t

AA

t

ACP

t

RAS

t

RASC

t

RSH

t

RP

t

CAS

t

CSH

t

CP

t

RCD

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

拉德

t

ASC

t

CAH

t

AR

t

拉尔

t

RCS

65

95

14

42

35

10

18

20

35

10

25

5

30

5

10

5

0

5

8

0

5

30

18

0

17

25

10K

100K

ns

15,18

22

4

5,20

13,20

20

RAS

脉冲宽度

RAS

脉冲宽度（ EDO页面模式）

RAS

保持时间

RAS

预充电时间

CAS

脉冲宽度

CAS

保持时间

CAS

预充电时间

RAS

to

CAS

延迟时间

CAS

to

RAS

预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

25

24

19

6,23

7,18

19

RAS

到列地址的延迟时间

列地址设置时间

列地址保持时间

列地址保持时间（参考

to

RAS

)

列地址为

RAS

交货时间

READ命令设置时间

8

18

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调整

:

1.4

4/16

EliteMT

（续）

参数

读命令保持时间参考

CAS

读命令保持时间参考

RAS

符号

民

M11L416256SA

-35

最大

ns

9,15,19

9

20

10,17,20

17,26

11,15,18

15,25

15

15,19

12,20

单位

笔记

t

RCH

t

RRH

t

CLZ

t

OFF1

t

OFF2

t

WCS

t

WCH

t

WCR

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

t

DHR

t

RWD

t

AWD

t

CWD

t

T

t

REF

t

RPC

t

企业社会责任

t

CHR

t

OEH

t

OES

t

OEHC

t

OEP

t

ORD

t

CLCH

t

COH

t

WHZ

t

RASS

t

RPS

t

CHS

0

3

15

8

0

5

30

5

9

7

0

5

30

51

34

26

2.5

10

4

2

0

5

3

100

65

-50

7

50

8

CAS

到输出低-Z

输出缓冲关断延迟从

CAS

or

RAS

输出缓冲关断，

OE

写命令设置时间

写命令保持时间

写命令保持时间（参考

RAS

)

WRITE命令的脉冲宽度

写命令

RAS

交货时间

写命令

CAS

交货时间

数据的建立时间

数据保持时间

数据保持时间（参考

RAS

)

ns

ms

ns

RAS

to

WE

延迟时间

列地址为

WE

延迟时间

11

11,18

2,3

CAS

to

WE

延迟时间

转换时间（上升或下降）

刷新周期（ 512个周期）

RAS

to

CAS

预充电时间

CAS

建立时间（ CBR刷新）

CAS

保持时间（ CBR刷新）

OE

从保持时间

WE

中

阅读模式 - 写周期

1,18

1,19

16

OE

低

CAS

高建立时间

OE

从高保持时间

CAS

高

OE

预充电时间

OE

安装前

RAS

在隐

刷新周期

LAST

CAS

将低到第一

CAS

返回HIGH

数据输出保持后

CAS

回到低

输出禁用延迟从

WE

自刷新

RAS

低脉冲宽度

自刷新

RAS

高预充电时间

自刷新

CAS

保持时间

ns

21

μ

s

ns

27,28

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出版日期：八月2005年

调整

:

1.4

5/16