LY6125616
修订版2.4
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
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修订版1.2
修订版2.0
描述
创刊号
修订后的V
IL
= 0.6V = 0.8V >
修订后的封装外形尺寸（ TSOP - II ）
新增LL规格。
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
新增-12ns规格。
修订后的我
CC
我
SB1
添加I级
修订
绝对最高可评级
对我修改测试条件
CC
修订
特点
＆放大器;
订购信息无铅
并提供绿色包装
to
提供绿色包装
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
在加入填料类型
订购信息
添加封装类型TFBGA
修订
订购信息
在第12页
修订后的-12ns规格为-10ns规范及相关参数
修订
订购信息
第11页
发行日期
Mar.23.2006
Jun.9.2006
Apr.12.2007
Jun.25.2007
2.1版
Apr.17.2009
2.2版
修订版2.3
修订版2.4
May.6.2010
Aug.30.2010
July.03.2013
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY6125616
修订版2.4
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY6125616是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由16位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY6125616是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY6125616单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间： 10/15 /20 / 25ns的
低功耗：
工作电流：一百四十○分之二百一十五/ 110 / 100mA（最大）。
待机电流：
15毫安（最大为10ns的）
3毫安（最大为15/20 / 25ns的）
100μA （ （最大为15/20 / 25ns的LL版）
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY6125616
LY6125616(I)
LY6125616
LY6125616(E)
LY6125616(I)
LY6125616(LL)
LY6125616(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
VCC
范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
10ns
10ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机（我
SB1
)
工作（ ICC）
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
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1
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引脚说明
功能框图
符号
VCC
VSS
描述
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
A0 - A17
CE＃
DQ0 - DQ15数据输入/输出
解码器
256Kx16
存储阵列
A0-A17
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
V
SS
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
控制
电路
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引脚配置
A
B
C
D
E
F
G
H
LB ＃ OE ＃
DQ8 UB ＃
A0
A3
A1
A4
A6
A7
A2
NC
CE＃ DQ0
DQ1 DQ2
DQ3的Vcc
DQ9 DQ10 A5
VSS DQ11 A17
VCC DQ12 NC
DQ14 DQ13 A14
DQ15 NC
NC
A8
A12
A9
A16 DQ4 Vss的
A15 DQ5 DQ6
A13 WE＃ DQ7
A10
A11
NC
1
2
3
4
TFBGA
5
6
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绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该设备甚至超过上述业务部门所标明的任何其他条件，只有和功能操作的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
D
IN
高 - z
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
写
注意：
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
10
周期时间=最小。
15
平均开工
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
电源电流
20
其他在V
IL
或V
IH
25
10
待机功耗
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
15/20/25
I
SB1
电源电流
其他在0.2V / V
CC
-0.2V
15/20/25LL
分钟。
4.5
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
-
100
80
75
-
0.1
20
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
1
1
-
0.4
215
140
110
100
15
5
3*
6
100*
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
3.过冲/下冲规范的特点对工程评估阶段，不适合大规模生产的测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
6. 50μA的特殊要求
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