LS3550C
单片双
PNP晶体管
线性系统的单片双PNP晶体管
该LS3550C是单片对PNP晶体管
安装在一个单一的TO- 78封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应，并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
所述密封TO -78非常适合于高可靠性
和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
LS3550C特点：
严格匹配
低输出电容
特点是什么？
优良的热追踪
紧V
BE
匹配
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
集电极电流
最大电压不
集电极集电极电压
MIN
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
10
15
10
1.0
15
单位“
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
%
≤15V/°C
|V
BE1
–V
BE2
|≤10mV
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+150°C
TBD
10mA
80V
条件“
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=10A,V
CE
=5V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
–V
BE2
|
基极发射极电压差分
|(V
BE1
–V
BE2
)|/T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
–I
B2
|
基极电流差动
|(I
B1
–I
B2
)|/T
基极电流差动
随温度的变化
h
FE1
/h
FE2
直流电流增益差动
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
‐20
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
‐20
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
‐6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
‐80
50
直流电流增益
h
FE
40
40
V
CE
（ SAT ）
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽
‐‐
产品（当前）
NF
窄带噪声图
‐‐
点击购买
（典型值） *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐1.2
‐0.2
‐0.2
2
2
‐1
600
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
条件“
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
=10A,I
C
=0
2
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,I
B
=‐10mA
I
E
=0,V
CB
=‐3V
I
E
=0,V
CB
=‐20V
I
E
=0,V
CB
=‐10V
V
CC
=0V
V
CC
=±80V
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100A,V
CE
=‐5V,BW=200Hz,R
G
=10Ω,
f=1KHz
注意事项：
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.Thereversebase‐to‐emittervoltagemustneverexceed6.2volts;thereversebase‐to‐emittercurrentmustneverexceed10A.
TO- 78 （底视图）
可用的软件包：
LS3550C在TO- 78
LS3550C可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
LS3550C
单片双
PNP晶体管
线性系统的单片双PNP晶体管
该LS3550C是单片对PNP晶体管
安装在一个TO- 71封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应，并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
该密封TO - 71非常适合高可靠性
和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
LS3550C特点：
严格匹配
低输出电容
特点是什么？
优良的热追踪
紧V
BE
匹配
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
集电极电流
最大电压不
集电极集电极电压
MIN
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
10
15
10
1.0
15
单位“
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
%
≤15V/°C
|V
BE1
–V
BE2
|≤10mV
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+150°C
TBD
10mA
80V
条件“
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=10A,V
CE
=5V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
–V
BE2
|
基极发射极电压差分
|(V
BE1
–V
BE2
)|/T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
–I
B2
|
基极电流差动
|(I
B1
–I
B2
)|/T
基极电流差动
随温度的变化
h
FE1
/h
FE2
直流电流增益差动
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
‐20
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
‐20
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
‐6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
‐80
50
直流电流增益
h
FE
40
40
V
CE
（ SAT ）
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽
‐‐
产品（当前）
NF
窄带噪声图
‐‐
点击购买
（典型值） *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐1.2
‐0.2
‐0.2
2
2
‐1
600
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
条件“
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
=10A,I
C
=0
2
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,I
B
=‐10mA
I
E
=0,V
CB
=‐3V
I
E
=0,V
CB
=‐20V
I
E
=0,V
CB
=‐10V
V
CC
=0V
V
CC
=±80V
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100A,V
CE
=‐5V,BW=200Hz,R
G
=10Ω,
f=1KHz
注意事项：
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.Thereversebase‐to‐emittervoltagemustneverexceed6.2volts;thereversebase‐to‐emittercurrentmustneverexceed10A.
TO- 71 （底视图）
可用的软件包：
LS3550C在TO- 71
LS3550C可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
LS3550C
单片双
PNP晶体管
线性系统的单片双PNP晶体管
该LS3550C是单片对PNP晶体管
安装在一个单一的SOT-23封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应，并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
6引脚SOT -23提供了易于制造，并且
以较低的成本组件的选择。
（见包装信息） 。
LS3550C特点：
严格匹配
低输出电容
特点是什么？
优良的热追踪
紧V
BE
匹配
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
集电极电流
最大电压不
集电极集电极电压
MIN
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
10
15
10
1.0
15
单位“
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
%
≤15V/°C
|V
BE1
–V
BE2
|≤10mV
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+150°C
TBD
10mA
80V
条件“
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10A,V
CE
=‐5V
T
A
=‐40°Cto+85°C
I
C
=10A,V
CE
=5V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
–V
BE2
|
基极发射极电压差分
|(V
BE1
–V
BE2
)|/T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
–I
B2
|
基极电流差动
|(I
B1
–I
B2
)|/T
基极电流差动
随温度的变化
h
FE1
/h
FE2
直流电流增益差动
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
‐20
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
‐20
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
‐6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
‐80
50
直流电流增益
h
FE
40
40
V
CE
（ SAT ）
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽
‐‐
产品（当前）
NF
窄带噪声图
‐‐
点击购买
（典型值） *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐1.2
‐0.2
‐0.2
2
2
‐1
600
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
条件“
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
=10A,I
C
=0
2
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐10mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100mA,I
B
=‐10mA
I
E
=0,V
CB
=‐3V
I
E
=0,V
CB
=‐20V
I
E
=0,V
CB
=‐10V
V
CC
=0V
V
CC
=±80V
I
C
=‐1mA,V
CE
=‐5V
I
C
=‐100A,V
CE
=‐5V,BW=200Hz,R
G
=10Ω,
f=1KHz
注意事项：
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.Thereversebase‐to‐emittervoltagemustneverexceed6.2volts;thereversebase‐to‐emittercurrentmustneverexceed10A.
SOT- 23 （顶视图）
可用的软件包：
LS3550C采用SOT -23
LS3550C可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
QQ：2881677436 复制
