订购数量： ENA1563
LV8746V
概观
BI -CMOS LSI
PWM恒流控制
步进电机驱动器
该LV8746V对应的是W1-2方面的激励驱动步进电机的驱动程序的CLK -IN的选择
输入和并行输入是可能的。它非常适用于驱动有刷直流电机和步进电机在办公室中使用
设备和娱乐应用程序。
特点
PWM电流控制步进电机驱动器中。
BiCDMOS过程IC
低导通电阻（上侧： 0.84Ω ;下侧： 0.7Ω ;共有上下： 1.54Ω ; TA = 25 ° C， IO = 1A）
励磁方式可以被设置为2相， 1-2相全扭矩， 1-2期，或W1-2相
CLK- IN输入和并行输入可以被选择。
电动机电流可选择四个步骤
输出短路保护电路（可选择从锁存型或自动复位式）成立
异常情况报警输出引脚
无需控制电源
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压
输出峰值电流
输出电流
逻辑输入电压
EMO输入电压
符号
VM最大
IO峰值
IO最大
VIN
VEMO
tw
≤
为10ms ，占空比20 ％
条件
评级
38
1.2
1
-0.3 +6
-0.3 +6
单位
V
A
A
V
V
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
O1609 SY 200900911 - S00004 No.A1563-1 / 24
LV8746V
从接下页。
参数
允许功耗
工作温度
储存温度
符号
钯最大
TOPR
TSTG
Ta
≤
85°C *
条件
评级
3.1
-20至+85
-55到+150
单位
W
°C
°C
*指定的电路板： 90.0毫米× 90.0毫米× 1.6毫米，环氧玻璃2层电路板，与背面安装。
允许工作额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压范围
逻辑输入电压
VREF输入电压范围
符号
VM
VIN
VREF
条件
评级
9到35
0至5.5
0至3
单位
V
V
V
电气特性
在Ta = 25 ℃， VM = 24V ， VREF = 1.5V
参数
待机模式下的电流消耗
漏电流
VREG5输出电压
热关断温度
热滞宽度
电机驱动器
输出导通电阻
Ronu
ROND
输出漏电流
二极管的正向电压
逻辑引脚输入电流（ ST ）
IOLEAK
VD
IINL
IINH
逻辑引脚输入电流（其它ST ）
IINL
IINH
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
W1-2-phase
DRIVE
Vtdac1_W
Vtdac2_W
当前设置
比较
门槛
电压
（ CLK -IN输入）
1-2相驱动器
（满转矩）
Vtdac2_H
2相驱动
当前设置比较
阈值电压
（并行输入）
当前设置比较
阈值电压
（电流衰减率转换）
Vtdac2_F
Vtdac11
Vtdac01
Vtdac10
Vtatt00
Vtatt01
Vtatt10
Vtatt11
斩波频率
VREF引脚输入电流
fChop
IREF
1-2相驱动器
Vtdac3_W
Vtdac0_M
Vtdac2_M
Vtdac0_H
VINH
VINL
Vtdac0_W
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
步骤1 （初始状态+ 1 ）
步骤2 （初始状态+ 2 ）
第3步（初始状态+ 3 ）
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
步骤2 （初始状态+ 1 ）
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
步骤2 （初始状态+ 1 ）
第2步
I01 = H， I 11 = H
I01 = L ， I 11 = H
I01 = H， I 11 = L
ATT1 = L时， ATT2 = L
ATT1 = H， ATT2 = L
ATT1 = L时， ATT2 = H
ATT1 = H， ATT2 = H
R-CHOP方案= 20kΩ的
VREF = 1.5V
0.29
0.29
0.29
0.185
0.09
0.29
0.185
0.135
0.09
45
-0.5
0.3
0.3
0.3
0.2
0.1
0.3
0.2
0.15
0.1
62.5
0.31
0.31
0.31
0.215
0.11
0.31
0.215
0.165
0.11
75
V
V
V
V
V
V
V
V
V
千赫
μA
接下页。
0.185
0.29
0.2
0.3
0.215
0.31
V
V
0.29
0.185
0.09
0.29
0.3
0.2
0.1
0.3
0.31
0.215
0.11
0.31
V
V
V
V
0.29
0.3
ID = -1A
VIN = 0.8V
VIN = 5V
VIN = 0.8V
VIN = 5V
3
50
3
30
2.0
0.8
0.31
1.0
8
78
8
50
IO =电阻如图1A所示，上侧
IO = 1A ，导通电阻低侧
0.84
0.7
1.1
0.9
50
1.3
15
110
15
70
Ω
Ω
μA
V
μA
μA
μA
μA
V
V
V
符号
IMST
IM
Vreg5
TSD
Tsd
ST = “L”的
ST = “H”时，OE =“ L”时，在无负载
IO = -1mA
设计保证
设计保证
4.5
150
条件
评级
民
典型值
190
3.3
5
180
40
最大
300
5
5.5
210
单位
μA
mA
V
°C
°C
No.A1563-2/24
LV8746V
4.0
* 1在组件安装在裸露的芯片，电路板焊盘
* 2由于没有组件安装在裸露的芯片，电路板焊盘
3.10
3.0
双层电路板1 * 1
2.20
2.0
双层电路板2 * 2
1.61
1.14
1.0
0
—
20
0
20
40
60
80
100
基板规格
（基板推荐LV8746V的操作）
SIZE
为90mm × 90毫米× 1.6毫米（两层基材[ 2S0P ] ）
材料
：环氧玻璃
铜布线密度： L 1 = 85 ％/ L 2 = 90％
L1 ：铜配线图案图
L 2 ：铜布线图案图
注意事项
1）用于与安装在所述裸管芯焊盘基材的情况下的数据表明的值时， 90％或更多的
裸露的芯片- Pad是湿的。
2）为集设计，采用降额设计有足够的裕量。
应力会减小包括电压，电流，结温的功率损耗，以及机械应力，如
振动，冲击和紧张。
因此，该设计必须确保这些应力是由于低或尽可能小。
该准则对于普通的降额如下所示：
（1 ）最大值的80％或更低的电压等级
（ 2）最大值的80％或更小的额定电流
（3）最大值的80％或更低的温度等级
3）在集设计，一定要验证设计的实际产品。
确认焊点状态，也验证焊点的可靠性为裸露模切垫等。
任何空隙或恶化，若在这些部件的焊接点观察到的，导致劣化的热传导
可能导致IC的热破坏。
No.A1563-4/24
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