LMV821单/双LMV822 / LMV824四路低电压，低功耗，复制权， 5 MHz的运算放大器
1999年8月
LMV821单/双LMV822 / LMV824四路
低电压，低功耗，R到R输出， 5 MHz的运算放大器
概述
该LMV821 / LMV822 / LMV824带来的性能和
经济的低电压/低功耗系统。用5 MHz的
单位增益频率和保证1.4 V / μs压摆率，
静态电流仅为220 μA /放大器（ 2.7 V ） 。他们
提供轨对轨（ R-到-R ）输出摆幅为重负载
(600
保证） 。输入共模电压范围
包括地面，和最大输入偏移电压是
3.5mV （保证） 。它们也能舒适
驱动较大的容性负载（参考应用笔记
部分） 。
该LMV821 （单）是在超微型SC70-5可用
包，这是前一标题的大约一半的尺寸
保持器，所述的SOT23-5 。
总体而言， LMV821 / LMV822 / LMV824 （单/双/四路）
低电压，低功耗，高性能运算放大器，可
被设计成宽范围的应用，在一个生态
nomical价格。
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证2.5 V ， 2.7 V和5 V性能
最大VOS
3.5毫伏（保证）
VOS温度。漂移
1 UV /
GBW产品
@
2.7 V
5兆赫
I
供应
@
2.7 V
220 μA /放大器
最低SR
1.4 V /我们（保证）
CMRR
90分贝
PSRR
85分贝
轨至轨（R到R）输出摆幅
—
@
600
负载
轨160 mV的
—
@
10 kΩ的负载
轨55 mV的
@
5V
n
V
CM
0.3 V至4.3 V
n
稳定的高容性负载（请参阅应用
部分）
应用
n
n
n
n
n
无绳电话
手机
笔记本电脑
掌上电脑
PCMCIA
特点
（对于典型的， 5 V电源值;除非另有说明）
n
超微型， SC70-5封装
2.0× 2.0× 1.0毫米
连接图
5引脚SC70-5 / SOT23-5
14引脚SO / TSSOP
DS100128-84
顶视图
8引脚SO / MSOP
顶视图
DS100128-85
DS100128-63
顶视图
1999美国国家半导体公司
DS100128
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LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
低电压轨到轨输出运算放大器
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SLOS434I - 2004年2月 - 修订2006年7月
特点
2.5伏， 2.7伏， 5 - V性能
-40 ° C至125 ° C操作
无交越失真
在V低电源电流
CC+
= 5 V:
- LMV821 ... 0.3毫安典型值
- LMV822 ... 0.5毫安典型值
- LMV824 ... 1毫安典型值
轨到轨输出摆幅
5.5 MHz的典型增益带宽为5 V
1.9 V转换速率/μs的典型值在5 V
LMV824 。 。 。 D， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND / V
CC
3IN+
3IN
3OUT
LMV822 。 。 。 D组或DGK包装
（ TOP VIEW ）
描述/
订购信息
该LMV821单一， LMV822双和LMV824
四器件是低电压（ 2.5 V至5.5 V ） ，
低功耗
商品
操作
放大器器。
电气特性很相似的
LMV3xx运算放大器（低电源电流，
轨到轨输出，输入共模范围
包括接地）。然而， LMV8xx设备
提供更高的带宽（ 5.5 MHz的典型值）和更快
压摆率（ 1.9 V /μs的典型值） 。
该LMV8xx设备是符合成本效益的解决方案
应用
需要
低电压/低功耗
操作和节省空间的考虑。该
LMV821是在超小型DCK封装，
这是SOT-23-5的约一半的大小。
在DCK包装节省了印刷电路空间
板，使小型便携式设计
电子设备（无线和蜂窝电话，
笔记本电脑，PDA ， PCMIA ） 。它还允许设计师
放置装置接近信号源来
减少噪声干扰，提高信号的完整性。
该LMV8xx设备的特点进行操作
从-40 ° C到85°C 。该LMV8xxI设备
特点是从-40 ° C至125°C操作。
1OUT
1IN -
1IN+
GND / V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
LMV821 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND / V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2004-2006 ，德州仪器
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低电压轨到轨输出运算放大器
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订购信息
T
A
包
(1)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40 ° C至85°C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40_C到125_C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(2)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
订购型号
LMV821DCKR
LMV821DCKT
LMV821DBVR
LMV821DBVT
LMV822D
LMV822DR
LMV822DGK
LMV822DGKR
LMV824D
LMV824DR
LMV824PW
LMV824PWR
LMV824DGVR
LMV821IDCKR
LMV821IDCKT
LMV821IDBVR
LMV821IDBVT
LMV822ID
LMV822IDR
LMV822IDGK
LMV822IDGKR
LMV824ID
LMV824IDR
LMV824IPW
LMV824IPWR
LMV824IDGVR
顶部端标记
(2)
RY }
RB8_
MV822
RA =
LMV824
MV824
MV824
RZ_
RB1_
MV822I
R8_
LMV824I
MV824I
MV824I
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
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低电压轨到轨输出运算放大器
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符号（每个放大器）
IN =
OUT
IN +
+
V
CC
V
BIAS1
LMV824简化原理图
+
V
BIAS2
V
BIAS5
V
CC
+
V
CC
V
CC
+
产量
V
BIAS3
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
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3
LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
低电压轨到轨输出运算放大器
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）来的时间
地
(4)
在或低于T
A
= 25 ° C，V
CC
≤
5.5 V
包
DBV包装
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
DCK包装
DGK包装
DGV包
PW包
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
8引脚
14针
V
CC–
最大
5.5
±V
CC
V
CC+
无限
97
86
206
252
172
127
113
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
LMV8xxI
LMV8xx
2.5
–40
–40
最大
5
125
85
单位
V
°C
4
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LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
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LMV8xx 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
2.4
2.3
0.08
0.12
0.2
2.46
2.3
2.2
0.13
0.2
0.3
V
2.37
LMV8xx
民
典型值
1
最大
3.5
4
单位
mV
LMV8xxI 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
2.38
2.28
0.08
0.14
0.22
2.46
2.28
2.18
0.13
0.22
0.32
V
2.37
LMV8xxI
民
典型值
1
最大
3.5
5.5
单位
mV
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5
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
单，双，四通道，低
电压，轨到轨
运算放大器
该LMV821 ， LMV822 ， LMV824和有运算放大器
具有低输入失调电压和漂移与温度的关系。尽管低
静态电流的要求，这些器件具有5MHz的带宽
和1.4 V / ms的转换速率。此外，他们还提供轨到轨输出
摆动到600
W
负载。输入共模电压范围
包括地面，最大输入偏置电压仅为
3.5毫伏。相当大的容性负载可以通过简单的驱动
添加一个上拉电阻或隔离电阻。
该LMV821 （单），可在节省空间的同时， SC70-5
在双核和四也都在超小型SOIC和TSSOP封装。
特点
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1
SC70
CASE 419A
Micro8]
CASE 846A
1
8
1
SOIC8
CASE 751
低失调电压： 3.5 mV的
极低的失调漂移： 1.0
毫伏/°C的
高带宽： 5MHz的
轨到轨输出摆幅为600
W
负载
能够驱动高容性负载
这些器件是无铅和符合RoHS标准
1
SOIC14
CASE 751A
1
TSSOP14
CASE 948G
典型应用
笔记本电脑
掌上电脑
调制解调器的发射器/接收器
80
70
60
50
共模抑制比（分贝）
增益（dB ）
40
30
20
10
0
10
20
1k
10k
100k
频率（Hz）
1M
10M
30
1
40
60
50
80
70
订购和标识信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
V
S
= 5 V ，R
L
= 100千瓦
V
S
= 5 V
0
1
2
3
4
输入共模电压（ V）
5
图1.增益与频率的关系
图2. CMRR与输入共模
电压
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
第1版
1
出版订单号：
LMV821/D
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
最大额定值
符号
V
S
V
IDR
V
ICR
t
SO
T
J
q
JA
等级
电源电压（工作电压范围V
S
= 2.7 V至5.5 V ）
输入差分电压
输入共模电压范围
最大输入电流
输出短路（注1 ）
最高结温（工作范围
40°C
至85 ℃）下
热阻
SC70
Micro8
SOIC8
SOIC14
TSSOP14
T
英镑
V
ESD
储存温度
安装温度（红外线或对流
20秒）
ESD容差
机器型号
人体模型
280
238
212
156
190
65
150
235
200
2000
°C
°C
V
价值
5.5
$供应
电压
0.5
向（V +） 0.5
10
连续
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会
影响器件的可靠性。
1.连续短路操作对地在升高的环境温度可以导致超过允许的最大结温
perature为150℃ 。输出电流超过45毫安超过长期可能产生不利影响的可靠性。短路输出端在V +或V-
会产生不利影响可靠性。
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3
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
V = 0 V, V
CM
= V+/2, V
O
= V + / 2和R
L
> 1兆瓦。典型规格代表最可能的参数指标。最小/最大
规范被检测，定性或统计分析保证。
参数
输入失调电压
符号
V
IO
T
A
=
40°C
至+ 85°C
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
TCV
OS
I
B
T
A
=
40°C
至+ 85°C
输入失调电流
I
IO
T
A
=
40°C
至+ 85°C
共模抑制
比
电源抑制比
CMRR
0 V
v
V
CM
v
1.7 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
PSRR
1.5 V
v
V+
v
4 V, V
=
1
V, V
O
= 0 V,
V
CM
= 0.0 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
输入共模电压
范围
大信号电压增益
V
CM
AV
对于CMRR
w
53分贝
和T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 600
W,
V
O
= 0.5 V至2.5 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 2千瓦，V
O
= 0.5 V至2.5 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
输出摆幅
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
输出电流
I
O
I
CC
R
L
= 600
W
至1.35 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 600
W
至1.35 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 2千瓦至1.35 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 2千瓦至1.35 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
采购，V
O
= 0 V
下沉，V
O
= 2.7 V
电源电流
LMV821 （单）
T
A
=
40°C
至+ 85°C
LMV822 （这两个应用程序）
T
A
=
40°C
至+ 85°C
LMV824 （所有四份）
T
A
=
40°C
至+ 85°C
1
0.5
12
12
26
0.242
0.3
0.5
0.7
0.9
1.3
1.5
mA
2.6
2.5
0.08
0.12
0.2
mA
2.66
70
68
75
70
0.2
80
70
83
80
2.5
2.4
0.13
0.21
0.3
2.58
V
89
0.3
to
2.0
95
1.9
V
dB
85
dB
85
0.5
1
105
210
315
30
50
dB
nA
条件
民
典型值
1
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有的最小值/最大值的限制，保证对于T
A
= 25 ° C，V + = 2.7 V ，
最大
3.5
4
单位
mV
毫伏/°C的
nA
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4
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
V = 0 V, V
CM
= V+/2, V
O
= V + / 2和R
L
> 1兆瓦。典型规格代表最可能的参数指标。最小/最大
规范被检测，定性或统计分析保证。
参数
输入失调电压
符号
V
IO
条件
T
A
=
40°C
至+ 85°C
民
典型值
1
2.5V DC电气特性
除非另有说明，所有的最小值/最大值的限制，保证对于T
A
= 25 ° C，V + = 2.5 V ，
最大
3.5
4
单位
mV
输出摆幅
V
OH
R
L
= 600
W
至1.25 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
2.3
2.2
2.37
V
V
OL
R
L
= 600
W
至1.25 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
0.13
0.20
0.3
V
OH
R
L
= 2千瓦至1.25 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
2.4
2.3
2.46
V
OL
R
L
= 2千瓦至1.25 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
0.08
0.12
0.20
0 V, V
CM
= 1.0 V, V
O
= V + / 2， RL > 1兆瓦。典型规格代表最可能的参数指标。最小/最大规格
通过检测，定性或统计分析保证。
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
放大器对放大器隔离
符号
SR
增益带宽积
q
m
G
m
e
n
i
n
THD
F = 1千赫，V
CM
= 1 V
F = 1kHz时
F = 1 kHz时， AV =
2,
R
L
= 10千瓦，V
O
= 1.8 V
PP
（注3）
条件
（注2 ）
民
典型值
1.5
5
55
12.9
12
0.2
0.023
135
最大
单位
V /美
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
dB
2.7V AC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V + = 2.7 V ，V =
2.接成电压跟随器，从指定的0.5 V至1.5 V号输入的步骤是正和负的压摆率的平均值。
3.输入简称，R
L
= 100千瓦连接到V + / 2 。每个放大器兴奋又与1kHz时产生V
O
= 3 V
PP
。对于电源电压< 3 V ，
V
O
= V+.
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5
LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
低电压轨到轨输出运算放大器
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SLOS434G - 2004年2月 - 修订2005年8月
特点
2.5伏， 2.7伏， 5 - V性能
-40 ° C至125 ° C操作
无交越失真
在V低电源电流
CC+
= 5 V:
- LMV821 ... 0.3毫安典型值
- LMV822 ... 0.5毫安典型值
- LMV824 ... 1毫安典型值
轨到轨输出摆幅
5.5 MHz的典型增益带宽为5 V
1.9 V转换速率/μs的典型值在5 V
LMV824 。 。 。 D， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND / V
CC
3IN+
3IN
3OUT
LMV822 。 。 。 D组或DGK包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该LMV821单一， LMV822双和LMV824四
器件是低电压（2.5V到5.5V） ，低功耗
商品
操作
放大器器。
电动
特性是非常相似的LMV3xx
运算放大器（低电源电流，轨到轨
输出，输入共模范围包括
接地）。然而， LMV8xx设备提供了更高的
带宽（ 5.5 MHz的典型值）和更快的转换率
（ 1.9 V /μs的典型值） 。
该LMV8xx设备是符合成本效益的解决方案
应用
需要
低电压/低功耗
操作和节省空间的考虑。该
LMV821是在超小型DCK封装，
这是SOT-23-5的约一半的大小。该
DCK包保存在印刷电路板上的空间
并支持小型便携式电子设计
装置（无绳和蜂窝电话，笔记本电脑，PDA ，
PCMIA ） 。它还允许设计人员将
设备更接近信号源，以降低噪声
皮卡和提高信号的完整性。
该LMV8xx设备的特点进行操作
从-40 ° C到85°C 。该LMV8xxI设备
特点是从-40 ° C至125°C操作。
1OUT
1IN -
1IN+
GND / V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
LMV821 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND / V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS434G - 2004年2月 - 修订2005年8月
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订购信息
T
A
包
(1)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40 ° C至85°C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40_C到125_C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(2)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
订购型号
LMV821DCKR
LMV821DCKT
LMV821DBVR
LMV821DBVT
LMV822D
LMV822DR
LMV822DGK
LMV822DGKR
LMV824D
LMV824DR
LMV824PW
LMV824PWR
LMV824DGVR
LMV821IDCKR
LMV821IDCKT
LMV821IDBVR
LMV821IDBVT
LMV822ID
LMV822IDR
LMV822IDGK
LMV822IDGKR
LMV824ID
LMV824IDR
LMV824IPW
LMV824IPWR
LMV824IDGVR
顶部端标记
(2)
RY }
RB8_
MV822
RA =
LMV824
MV824
MV824
RZ_
RB1_
MV822I
R8_
LMV824I
MV824I
MV824I
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
2
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符号（每个放大器）
IN =
OUT
IN +
+
V
CC
V
BIAS1
LMV824简化原理图
+
V
BIAS2
V
BIAS5
V
CC
+
V
CC
V
CC
+
产量
V
BIAS3
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）来的时间
地
(4)
在或低于T
A
= 25 ° C，V
CC
≤
5.5 V
包
DBV包装
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
DCK包装
DGK包装
DGV包
PW包
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
8引脚
14针
V
CC–
最大
5.5
±V
CC
V
CC+
无限
97
86
206
252
172
127
113
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
LMV8xxI
LMV8xx
2.5
–40
–40
最大
5
125
85
单位
V
°C
4
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LMV8xx 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
2.4
2.3
0.08
0.12
0.2
2.46
2.3
2.2
0.13
0.2
0.3
V
2.37
LMV8xx
民
典型值
1
最大
3.5
4
单位
mV
LMV8xxI 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
2.38
2.28
0.08
0.14
0.22
2.46
2.28
2.18
0.13
0.22
0.32
V
2.37
LMV8xxI
民
典型值
1
最大
3.5
5.5
单位
mV
5
LMV821,LMV822,LMV824
LMV821单/双LMV822 / LMV824四路低电压，低功耗， R-到-R
输出， 5 MHz的运算放大器
文献编号： SNOS032D
LMV821 / LMV822 / LMV824单路/双路四通道，低电压，低功耗，复制权， 5 MHz的运算放大器
2003年11月
LMV821单/双LMV822 / LMV824四路
低电压，低功耗，R到R输出， 5 MHz的运算放大器
概述
该LMV821 / LMV822 / LMV824带来的性能和
经济的低电压/低功耗系统。用5 MHz的
单位增益频率和保证1.4 V / μs压摆率，
静态电流仅为220 μA /放大器（ 2.7 V ） 。他们
提供轨对轨（ R-到-R ）输出摆幅为重负载
(600
保证） 。输入共模电压范围
包括地面，和最大输入偏移电压是
3.5mV （保证） 。它们也能舒适
驱动较大的容性负载（参考应用笔记
部分） 。
该LMV821 （单）是在超微型SC70-5可用
包，这是前一标题的大约一半的尺寸
保持器，所述的SOT23-5 。
总体而言， LMV821 / LMV822 / LMV824 （单/双/四路）
低电压，低功耗，高性能运算放大器，可
被设计成宽范围的应用，在一个生态
nomical价格。
最大VOS
3.5毫伏（保证）
VOS温度。漂移
1 UV /
GBW产品
@
2.7 V
5兆赫
I
供应
@
2.7 V
220 μA /放大器
最低SR
1.4 V /我们（保证）
CMRR
90分贝
PSRR
85分贝
V
CM
@
5V
-0.3V至4.3V
轨至轨（R到R）输出摆幅
—
@
600
负载
轨160 mV的
轨55 mV的
—
@
10 kΩ的负载
n
稳定的高容性负载（请参阅应用
部分）
n
n
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
n
n
n
n
无绳电话
手机
笔记本电脑
掌上电脑
PCMCIA
特点
（对于典型的， 5 V电源值;除非另有说明）
n
超微型， SC70-5封装
2.0× 2.0× 1.0毫米
n
保证2.5 V ， 2.7 V和5 V性能
电话线的收发器
PCMCIA调制解调器卡
10012833
2003美国国家半导体公司
DS100128
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LMV821单/双LMV822 / LMV824四路
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
机器型号
人体模型
LMV822/824
LMV821
差分输入电压
电源电压（V -V ）
输出短路V（注3 ）
输出短路V（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
存储温度范围
结温（注4 ）
235C
-65_C到150_C
150C
+
+
工作额定值
（注1 ）
电源电压
温度范围
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
40C
≤T
J
2.5V至5.5V
≤85C
100V
2000V
1500V
热阻（ θ
JA
)
超微型SC70-5封装， 5引脚
表面贴装
微小的SOT23-5封装， 5引脚
表面贴装
SO封装， 8引脚表面贴装
MSOP封装， 8引脚迷你
表面贴装
SO封装， 14引脚表面
MOUNT
TSSOP封装， 14引脚
440 ° C / W
265 ° C / W
190 ° C / W
235 ° C / W
145 ° C / W
155 ° C / W
±
电源电压
5.5V
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
+ PSRR
-PSRR
V
CM
参数
输入失调电压
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
0V
≤
V
CM
≤
1.7V
条件
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和R
典型值
（注5 ）
1
1
30
0.5
85
85
85
-0.3
2.0
90
140
30
50
70
68
75
70
73
70
-0.2
1.9
90
85
90
100
95
85
80
95
90
90
85
LMV821/822/824
极限
（注6 ）
3.5
4
L
＆ GT ;
1 M.
单位
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
dB
民
dB
民
dB
民
正电源抑制1.7V
≤
V
+
≤
4V, V
-
= 1V, V
O
=
比
0V, V
CM
= 0V
负电源
抑制比
输入共模电压
范围
-1.0V
≤
V
-
≤
-3.3V, V
+
= 1.7V,
V
O
= 0V, V
CM
= 0V
对于CMRR
≥
50dB
A
V
大信号电压增益
采购，R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 1.35V至2.2V
下沉，R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 1.35V至0.5V
采购，R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 1.35V至2.2V
下沉，R
L
= 2kΩ的1.35 ，V
O
=
1.35 0.5V
100
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2
LMV821单/双LMV822 / LMV824四路
2.7V DC电气特性
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
粗体
限制适用于极端温度。
参数
输出摆幅
条件
V
+
= 2.7V ，R
L
= 600Ω至1.35V
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和R
典型值
（注5 ）
2.58
0.13
LMV821/822/824
极限
（注6 ）
2.50
2.40
0.20
0.30
2.60
2.50
0.08
0.120
0.200
12
12
0.3
0.5
0.6
0.8
1.0
1.2
L
＆ GT ;
1 M.
单位
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
mA
最大
mA
最大
mA
最大
符号
V
O
V
+
= 2.7V ，R
L
=为2kΩ到1.35V
2.66
I
O
输出电流
采购，V
O
= 0V
下沉，V
O
= 2.7V
16
26
0.22
0.45
0.72
I
S
电源电流
LMV821 （单）
LMV822 （双）
LMV824 （四）
2.5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.5V, V
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
V
O
参数
输入失调电压
输出摆幅
V = 2.5V ，R
L
= 600Ω至1.25V
+
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.25V和R
典型值
（注5 ）
1
2.37
0.13
LMV821/822/824
极限
（注6 ）
3.5
4
2.30
2.20
0.20
0.30
2.40
2.30
0.08
0.12
0.20
L
＆ GT ;
1 M.
单位
mV
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
条件
V = 2.5V ，R
L
=为2kΩ至1.25V
+
2.46
2.7V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
压摆率
增益Bandwdth产品
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入相关的电压噪声
（注8）
F = 1千赫，V
CM
= 1V
参数
（注7 ）
条件
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和R
典型值
（注5 ）
1.5
5
61
10
135
28
LMV821 /八百二十四分之八百二十二限制
（注6 ）
L
＆ GT ;
1 M.
单位
V / μs的
兆赫
度。
dB
dB
3
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LMV821单/双LMV822 / LMV824四路
2.7V AC电气特性
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
粗体
限制适用于极端温度。
参数
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2,
R
L
= 10 kΩ的，V
O
= 4.1 V
条件
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和R
典型值
（注5 ）
0.1
LMV821 /八百二十四分之八百二十二限制
（注6 ）
L
＆ GT ;
1 M.
单位
符号
i
n
THD
0.01
PP
%
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
+ PSRR
-PSRR
V
CM
参数
输入失调电压
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
0V
≤
V
CM
≤
4.0V
+
-
= 0V, V
CM
= 2.0V, V
O
= 2.5V和R
典型值
（注5 ）
1
1
40
0.5
90
85
85
-0.3
4.3
100
150
30
50
72
70
75
70
73
70
-0.2
4.2
95
90
105
105
105
4.84
0.17
95
90
95
90
95
90
4.75
4.70
0.250
.30
4.85
4.80
0.10
0.15
0.20
LMV821/822/824
极限
（注6 ）
3.5
4.0
L
＆ GT ;
1 M.
单位
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
dB
民
dB
民
dB
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
条件
正电源抑制1.7V
≤
V
≤
4V, V = 1V, V
O
=
比
0V, V
CM
= 0V
负电源
抑制比
输入共模电压
范围
-1.0V
≤
V
-
≤
-3.3V, V
+
= 1.7V,
V
O
= 0V, V
CM
= 0V
对于CMRR
≥
50dB
A
V
大信号电压增益
采购，R
L
= 600Ω至2.5V ，
V
O
= 2.5 4.5V
下沉，R
L
= 600Ω至2.5V ，V
O
= 2.5 0.5V
采购，R
L
= 2kΩ的到2.5V ，V
O
= 2.5 4.5V
下沉，R
L
= 2kΩ的2.5 ，V
O
=
2.5 0.5V
105
V
O
输出摆幅
V
+
= 5V ，R
L
= 600Ω至2.5V
V = 5V ，R
L
=为2kΩ至2.5V
+
4.90
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4
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