【分立半导体数据表LTE42008RNPN微波功率晶体管产品speci fi cation取代1992】,IC型号LTE42008R,LTE42008R PDF资料,LTE42008R经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第213页 > LTE42008R

分立半导体

数据表

LTE42008R

NPN微波功率晶体管

产品speci fi cation

取代1992年6月的数据

在分离式半导体文件， SC15

1997年02月24日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

特点

扩散发射极镇流电阻提供出色的

电流共享和承受高VSWR

镀金实现非常稳定的特性

和优良的一生

输入匹配单元提高了输入阻抗和

使电路更简单的设计。

应用

共发射极的A类线性功率放大器起来

4.2 GHz的。

钉扎 - SOT440A

针

1

2

3

集热器

BASE

LTE42008R

描述

发射极连接到佛罗里达州安格

olumns

1

c

b

描述

NPN硅平面外延微波功率晶体管

一个SOT440A金属陶瓷法兰封装发射

连接到所述凸缘。

2

顶视图

3

MAM131

e

标识代码：

196

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在共发射极的A类放大器呃。

操作模式

A级（ CW ）的线性

f

（千兆赫）

4.2

V

CE

(V)

16

I

C

（MA ）

250

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

P

L1

（ mW）的

≥800

G

po

（ dB）的

>7

Z

i

()

7.5 + j23.5

Z

L

()

2.5

j9

1997年02月24日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

CER

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

英镑

T

j

T

SLD

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作结温

焊接温度

T

mb

≤

75

°C

条件

发射极开路

R

BE

= 250

开基

集电极开路

65

0.3毫米的情况下; t为10秒

分钟。

LTE42008R

马克斯。

40

20

16

3

450

7.5

+200

200

235

V

V

V

V

单位

mA

W

°C

°C

°C

手册， halfpage

1

MGL060

手册， halfpage

10

MLA736

P合计

(W)

IC

(A)

0.16

7.5

10

1

5.0

2.5

Ι

ΙΙ

10

2

1

10

16

VCER （ V）

10

2

0

50

0

50

100

150

200

o

C)

TAMB （

T

mb

≤

75

°C.

（ 1）区允许的直流操作。

（ 2 ）允许的扩展提供

BE

≤

250

.

Fig.3

图2 DC飙升。

功耗降额的函数

安装底座的温度。

1997年02月24日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

热特性

符号

R

日J- MB

R

日MB -H

记

1.请参阅“安装

在SC15手册的通用部分“的建议。

特征

T

mb

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

CER

I

EBO

h

FE

C

cb

C

ce

C

eb

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 基极电容

集电极 - 发射极电容

发射极 - 基极电容

条件

V

CB

= 20V;我

E

= 0

V

CB

= 40 V ;我

E

= 0

V

CE

= 20V;

BE

= 250

V

EB

= 1.5 V ;我

C

= 0

V

CE

= 5 V ;我

C

= 250毫安

V

CB

= 16 V; V

EB

= 1.5 V;

I

E

= I

C

= 0; F = 1 MHz的

V

CE

= 16 V; V

EB

= 1.5 V;

I

E

= I

C

= 0; F = 1 MHz的

V

CB

= 10 V; V

EB

= 1 V;

I

C

= I

E

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

15

参数

结点的热阻在安装基

从安装基热阻到散热器

条件

T

j

= 70

°C

T

j

= 70

°C;

注1

LTE42008R

马克斯。

12

0.7

单位

K / W

K / W

典型值。

2

1.5

20

马克斯。

150

1

0.5

0.4

150

单位

A

mA

mA

A

pF

pF

pF

1997年02月24日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

表1

f

（兆赫）

2000

2100

2200

2300

2400

2500

2600

2700

2800

2900

3000

3100

3200

3300

3400

3500

3600

3700

3800

3900

4000

4100

4200

4300

4400

4500

4600

4700

4800

4900

5000

LTE42008R

共射散射参数： V

CE

= 16 V ;我

C

= 250毫安;牛逼

mb

= 25

°C;

Z

o

= 50

;

典型值

s

11

大小

（比）

0.80

0.79

0.79

0.80

0.79

0.79

0.78

0.77

0.75

0.73

0.71

0.67

0.64

0.60

0.56

0.52

0.49

0.47

0.46

0.48

0.51

0.56

0.61

0.67

0.71

0.76

0.79

0.81

0.82

0.82

0.82

角

（度）

160

157

155

153

151

150

148

147

146

144

143

143

141

141

142

143

146

149

154

159

161

162

161

158

155

152

147

143

140

136

132

s

21

大小

（比）

0.061

0.065

0.068

0.071

0.074

0.079

0.085

0.090

0.095

0.099

0.104

0.111

0.116

0.121

0.124

0.124

0.124

0.122

0.118

0.112

0.106

0.096

0.083

0.068

0.054

0.042

0.031

0.025

0.026

0.034

0.043

角

（度）

61.5

59.4

56.5

54.3

52.2

50.1

48.4

45.1

41.7

38.3

35.4

31.8

27.4

21.7

15.7

11.2

5.2

2.2

9.7

15.7

22.8

29.4

34.5

37.4

38.7

35.4

26.6

5.6

28.8

40.1

52.4

s

12

大小

（比）

1.40

1.37

1.36

1.35

1.35

1.35

1.34

1.34

1.35

1.38

1.40

1.42

1.43

1.44

1.48

1.49

1.48

1.47

1.45

1.41

1.34

1.26

1.18

1.08

0.99

0.90

0.81

0.73

0.66

0.59

0.53

角

（度）

42.4

38.0

34.0

29.9

25.3

21.1

16.2

11.8

7.6

2.9

2.6

8.3

14.1

20.4

28.1

36.4

45.1

53.9

63.1

72.9

82.5

91.7

100.1

108.8

117.8

126.5

134.7

143.0

151.2

158.8

167.3

s

22

大小

（比）

0.45

0.44

0.44

0.45

0.45

0.45

0.46

0.47

0.48

0.50

0.52

0.55

0.58

0.62

0.66

0.70

0.74

0.79

0.84

0.87

0.91

0.94

0.96

0.97

0.98

0.99

0.99

0.99

0.99

0.99

0.98

角

（度）

172.7

173.7

175.5

176.5

176.9

177.6

178.0

178.3

178.6

178.9

178.8

179.2

179.9

178.8

176.9

174.4

171.3

166.8

161.9

156.7

150.7

144.8

138.6

132.5

127.3

122.2

117.2

113.7

110.0

106.5

103.2

1997年02月24日

5

查看更多LTE42008RPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

LTE42008R

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

LTE42008R

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

LTE42008R

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9368

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多LTE42008R供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！