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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第213页 > LP3470M5X-2.93
LP3470微小的上电复位电路
1999年6月
LP3470
微小的上电复位电路
概述
该LP3470是一款微CMOS电压监控税务局局长
CUIT旨在监视电源微处理器
( μP)和其它数字系统。它提供了最大的调整
能力上电复位( POR)和监督职能。它
在以下六个标准复位阈值电压可用
年龄(V
RTH
)选项: 2.63V , 2.93V , 3.08V , 4.00V , 4.38V和
4.63V 。如果在2.4V和5.0V之间的其它电压选项
希望的请联系美国国家半导体表象
表性。
该LP3470断言复位信号每当在V
CC
供应
电压低于复位阈值。复位超时PE-
RIOD是可调整的使用外部电容器。复位遗体
置为一个时间间隔(由外部电容编程
TOR)后V
CC
已升至高于阈值电压。
该设备是在微小的SOT23-5封装。
n
自复位阈值电压:其它电压
2.4V和你的国家5.0V之间的联系
安森美半导体的代表
n
极低的静态电流( μA 16典型值)
n
保证复位有效低至V
CC
=0.5V
特点
n
微小的SOT23-5封装
n
漏极开路复位输出
n
可编程复位超时周期使用外部
电容
n
免疫短V
CC
瞬变
应用
n
n
n
n
关键μP和μC功率监测
智能仪表
电脑
便携式/电池供电设备
关键的特定连接的阳离子
n
±
1 %的复位门限准确度温度
n
标准的复位阈值电压: 2.63V , 2.93V ,
3.08V , 4.00V , 4.38V , 4.63V和
引脚配置和基本的工作电路
引脚配置
基本的工作电路
DS100016-2
顶视图
见NS包装数
MA05B
DS100016-1
1999美国国家半导体公司
DS100016
www.national.com
订购信息
操作
温度
范围
订单
LP3470M5-2.63
LP3470M5X-2.63
LP3470M5-2.93
LP3470M5X-2.93
LP3470M5-3.08
-20℃至
+85C
LP3470M5X-3.08
LP3470M5-4.00
LP3470M5X-4.00
LP3470M5-4.38
LP3470M5X-4.38
LP3470M5-4.63
LP3470M5X-4.63
LP3470IM5-2.63
LP3470IM5X-2.63
LP3470IM5-2.93
LP3470IM5X-2.93
LP3470IM5-3.08
-40 ° C至
+85C
LP3470IM5X-3.08
LP3470IM5-4.00
LP3470IM5X-4.00
LP3470IM5-4.38
LP3470IM5X-4.38
LP3470IM5-4.63
LP3470IM5X-4.63
公称
V
RTH
(V)
2.63
2.63
2.93
2.93
3.08
3.08
4.00
4.00
4.38
4.38
4.63
4.63
2.63
2.63
2.93
2.93
3.08
3.08
4.00
4.00
4.38
4.38
4.63
4.63
记号
D25B
D25B
D26B
D26B
D28B
D28B
D29B
D29B
D30B
D30B
D31B
D31B
D25C
D25C
D26C
D26C
D28C
D28C
D29C
D29C
D30C
D30C
D31C
D31C
TYPE
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
供货方式
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
250个单位编带和卷轴
在磁带和卷轴3K单位
www.national.com
2
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
电压
复位电压
输出电流( RESET )
-0.3V至+ 6V
-0.3V至+ 6V
10毫安
工作温度范围
LP3470
LP3470I
结温(T
JMAX
)
功率耗散(T
A
= 25℃) (注
2)
θ
JA
(注2 )
储存温度。范围
铅温度。 (焊接, 5秒)
ESD额定值(注3 )
-20 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
125C
300毫瓦
280C/W
-65 ° C至+ 150°C
260C
2千伏
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ,而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内,除非
另有规定。 V
CC
= + 2.4V至+ 5.0V ,除非另有说明。
符号
V
CC
I
CC
V
RTH
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
复位门限电压
(注6 )
V
CC
= 4.5V
LP3470
LP3470I
V
HYST
t
PD
t
RP
V
OL
滞后电压(注7 )
V
CC
到复位延迟
复位超时周期(注
8)
RESET输出电压低
V
CC
坠落在1毫伏/ μs的
C
1
= 1 nF的
V
CC
= 0.5V ;我
OL
= 30 A
V
CC
= 1.0V ;我
OL
= 100 A
V
CC
=V
RTH
100mV的;我
OL
= 4
mA
R
1
I
泄漏
外部上拉电阻
RESET输出泄漏
当前
20
0.15
0.68
16
V
RTH
V
RTH
35
100
2
1.0
0.99 V
RTH
0.99 V
RTH
0.99 V
RTH
0.985 V
RTH
15
条件
典型值
(注4 )
(注5 )
0.5
最大
(注5 )
5.5
30
1.01 V
RTH
1.01 V
RTH
1.01 V
RTH
1.015 V
RTH
65
300
3.5
0.1
0.1
0.4
68
1
6
V
单位
V
A
V
mV
s
ms
k
A
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其操作条件。
注2 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(结点到上午
关环境热电阻) ,和T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
T
A
)/
θ
JA
或数
在绝对最大额定值,以较低者为准给出。
注3 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
注4 :
典型值是在25℃,代表最可能的参数指标。
注5 :
分钟。和Max 。在标准字体限制是100 %的产品在25℃的测试。分钟。和Max 。黑体字限额是通过使用桩号相关保障
tistical质量控制( SQC)方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平( AOQL ) 。
注6 :
工厂校准复位阈值从2.4V 50 mV递增至5.0V可用。请联系您的美国国家半导体的代表。
注7 :
V
HYST
影响V之间的关系
CC
和时序图中复位,如图所示。
注8 :
t
RP
是可编程的,通过改变外部电容器的值(℃
1
)连接到引脚SRT 。该方程为:t
RP
= 2000乘C
1
(C
1
在μF和T
RP
在毫秒)。
3
www.national.com
典型工作特性
I
CC
VS温辐射
I
CC
VS V
CC
T
A
= + 25 ℃,除非另有规定。
V
CC
到复位延迟VS温度
DS100016-10
DS100016-11
DS100016-13
归一吨
RP
VS温度。
归V
RTH
VS温度。
瞬态抑制
DS100016-12
DS100016-8
DS100016-6
V
HYST
VS V
RTH
V
HYST
与温度
DS100016-14
DS100016-9
引脚说明
1
名字
SRT
功能
设置复位超时输入。连接一个电容器这个输入端与地之间进行选择的复位
超时周期(T
RP
). t
RP
= 2000乘C
1
(C
1
在μF和T
RP
在毫秒)。如果没有连接电容器,
将该引脚悬空。
接地引脚。
始终连接到引脚V
CC
( 4针) 。
电源电压和复位阈值监控输入。
漏极开路,低电平有效复位输出。连接到外部上拉电阻。重置变化
从高分到低分每当监视电压(V
CC
)低于复位门限电压
(V
RTH
) 。一旦V
CC
超过V
RTH
,RESET保持低电平复位超时周期(T
RP
)进而
变高。
2
3
4
5
GND
V
CC1
V
CC
RESET
www.national.com
4
功能框图
DS100016-3
应用信息
复位超时周期
复位超时周期(T
RP
)使用一个可编程
外部电容(C
1
)连接到引脚LP3470的SRT 。一
陶瓷片式电容器额定电压为以上10V就足够了。
复位超时周期(T
RP
)可以通过计算
下式:
t
RP
(毫秒) = 2000乘C
1
(F).
例如一个C
1
100 nF的将实现吨
RP
为200毫秒。如果
由于t无延迟
RP
是需要在一定的应用中,销
SRT应悬空。
复位输出
在像微处理器(μP)系统,错误的应用程序
在上电期间可能发生的系统操作,
断电或欠压条件。当务之急是
监视电源电压,以便防止这些
错误的发生。
该LP3470断言复位信号每当在V
CC
供应
电压低于阈值(Ⅴ
RTH
)的电压。复位瓜拉尼
开球是一个逻辑低电平V
CC
& GT ;
0.5V 。一旦V
CC
超过
复位阈值时,复位保持置位的时间段
(t
RP
)由一个外部电容器编程(C
1
) ;这IN-后
terval重置变为逻辑高电平。如果掉电条件OC-
小人(监视电压低于复位门限减
一个小的滞后) ,复位变低。当V
CC
回报
上面的复位门限,RESET保持低电平的时间PE-
RIOD牛逼
RP
临睡前逻辑高电平。
上拉电阻的选择
该LP3470的复位输出结构是一个简单的开漏
N沟道MOSFET开关。一个上拉电阻(R
1
)应
连接到V
CC
.
R
1
应该足够大,以限制电流流过
输出MOSFET (Q
1
)低于10毫安。更多的电阻值
超过680Ω保证这一点。
1
还应该足够小
以保证逻辑高而供给所有的漏电流
通过复位引脚。对更小的电阻值比和68kΩ卫星 -
isfies这个条件。 20 kΩ的一个典型的上拉电阻值
是足够的,在大多数应用中。
负向V
CC
瞬变
该LP3470是相对免疫持续时间较短
负向V
CC
瞬变(毛刺) 。典型的能操作
阿婷特征显示最大瞬态持续时间
与负瞬变幅度(图名为瞬时重
jection ),其不产生复位脉冲。此图
示出了最大脉冲宽度负向V
CC
转录
过性通常可具有不引起复位脉冲是
发行。作为瞬时振幅增大(即进入远
疗法低于复位阈值) ,最大允许
脉冲宽度减小。一个0.1 μF旁路电容装
接近V
CC
提供额外的瞬态抑制能力。
5
www.national.com
LP3470微小的上电复位电路
2000年9月
LP3470
微小的上电复位电路
概述
该LP3470是一款微CMOS电压监控
电路设计用来监控电源,微处理器
( μP)和其它数字系统。它提供了最大的调整
能力上电复位( POR)和监督职能。它
在以下六个标准复位阈值可
电压(V
RTH
)选项: 2.63V , 2.93V , 3.08V , 3.65V , 4.00V ,
4.38V , 4.63V和。如果2.4V之间的电压等选项
5.0V期望,请联系您的国家Semiconduc-
器的代表。
该LP3470断言复位信号每当在V
CC
供应
电压低于复位阈值。复位超时
期间是可调节的使用外部电容器。重新复位
主电源置为一个间隔(由外部编程
电容)V后
CC
已升至高于阈值电压。
该设备是在微小的SOT23-5封装。
n
自复位阈值电压:其它电压
2.4V和你的国家5.0V之间的联系
安森美半导体的代表
n
极低的静态电流( μA 16典型值)
n
保证复位有效低至V
CC
=0.5V
特点
n
微小的SOT23-5封装
n
漏极开路复位输出
n
可编程复位超时周期使用外部
电容
n
免疫短V
CC
瞬变
应用
n
n
n
n
关键μP和μC功率监测
智能仪表
电脑
便携式/电池供电设备
关键的特定连接的阳离子
n
±
1 %的复位门限准确度温度
n
标准的复位阈值电压: 2.63V , 2.93V ,
3.08V , 3.65V , 4.00V , 4.38V , 4.63V和
引脚配置和基本的工作电路
引脚配置
基本的工作电路
10001602
顶视图
见NS包装数
MF05A
10001601
2004美国国家半导体公司
DS100016
www.national.com
LP3470
订购信息
操作
温度
范围
订单
LP3470M5-2.63
LP3470M5X-2.63
LP3470M5-2.93
LP3470M5X-2.93
LP3470M5-3.08
LP3470M5X-3.08
-20℃至
+85C
LP3470M5-3.65
LP3470M5X-3.65
LP3470M5-4.00
LP3470M5X-4.00
LP3470M5-4.38
LP3470M5X-4.38
LP3470M5-4.63
LP3470M5X-4.63
LP3470IM5-2.63
LP3470IM5X-2.63
LP3470IM5-2.93
LP3470IM5X-2.93
LP3470IM5-3.08
LP3470IM5X-3.08
-40 ° C至
+85C
LP3470IM5-3.65
LP3470IM5X-3.65
LP3470IM5-4.00
LP3470IM5X-4.00
LP3470IM5-4.38
LP3470IM5X-4.38
LP3470IM5-4.63
LP3470IM5X-4.63
公称
V
RTH
(V)
2.63
2.63
2.93
2.93
3.08
3.08
3.65
3.65
4.00
4.00
4.38
4.38
4.63
4.63
2.63
2.63
2.93
2.93
3.08
3.08
3.65
3.65
4.00
4.00
4.38
4.38
4.63
4.63
记号
D25B
D25B
D26B
D26B
D28B
D28B
D37B
D37B
D29B
D29B
D30B
D30B
D31B
D31B
D25C
D25C
D26C
D26C
D28C
D28C
D37C
D37C
D29C
D29C
D30C
D30C
D31C
D31C
TYPE
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
SOT23-5
供货方式
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
www.national.com
2
LP3470
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
电压
复位电压
输出电流( RESET )
工作温度范围
LP3470
-20 ° C至+ 85°C
-0.3V至+ 6V
-0.3V至+ 6V
10毫安
LP3470I
结温(T
JMAX
)
功率耗散(T
A
= 25℃) (注
2)
θ
JA
(注2 )
储存温度。范围
铅温度。 (焊接, 5秒)
ESD额定值(注3 )
-40 ° C至+ 85°C
125C
300毫瓦
280C/W
-65 ° C至+ 150°C
260C
2千伏
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ,而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内,非
少另有规定。 V
CC
= + 2.4V至+ 5.0V ,除非另有说明。
符号
V
CC
I
CC
V
RTH
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
复位门限电压(注6 )
V
CC
= 4.5V
LP3470
16
V
RTH
0.99
V
RTH
0.99
V
RTH
0.99
V
RTH
0.985
V
RTH
15
1.0
条件
典型值
(注
4)
(注
5)
0.5
最大
(注
5)
5.5
30
1.01
V
RTH
1.01
V
RTH
1.01
V
RTH
1.015
V
RTH
65
300
3.5
0.1
0.1
0.4
20
0.15
0.68
68
1
6
k
A
V
单位
V
A
LP3470I
V
RTH
V
V
HYST
t
PD
t
RP
V
OL
滞后电压(注7 )
V
CC
到复位延迟
复位超时周期(注8 )
RESET输出电压低
V
CC
坠落在1毫伏/ μs的
C
1
= 1 nF的
V
CC
= 0.5V ;我
OL
= 30 A
V
CC
= 1.0V ;我
OL
= 100 A
V
CC
=V
RTH
100mV的;我
OL
= 4毫安
35
100
2
mV
s
ms
R
1
I
泄漏
外部上拉电阻
RESET输出漏电流
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其操作条件。
注2 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(路口
环境的热阻) ,以及T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
T
A
)/
θ
JA
在绝对最大额定值,以较低者为准定数。
注3 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
注4 :
典型值是在25℃,代表最可能的参数指标。
注5 :
分钟。和Max 。在标准字体限制是100 %的产品在25℃的测试。分钟。和Max 。黑体字限额是通过使用关联担保
统计质量控制( SQC)方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平( AOQL ) 。
注6 :
工厂校准复位阈值从2.4V 50 mV递增至5.0V可用。请联系您的美国国家半导体的代表。
注7 :
V
HYST
影响V之间的关系
CC
和时序图中复位,如图所示。
注8 :
t
RP
是可编程的,通过改变外部电容器的值(℃
1
)连接到引脚SRT 。该方程为:t
RP
= 2000乘C
1
(C
1
在μF和T
RP
在毫秒)。
3
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LP3470
典型工作特性
T
A
= + 25 ℃,除非另有规定。
I
CC
与温度
I
CC
VS V
CC
10001610
10001611
V
CC
到复位延迟VS温度
归一吨
RP
VS温度。
10001613
10001612
归V
RTH
VS温度。
瞬态抑制
10001608
10001606
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4
LP3470
典型工作特性
T
A
= + 25 ℃,除非另有规定。
V
HYST
VS V
RTH
(续)
V
HYST
与温度
10001614
10001609
引脚说明
1
名字
SRT
功能
设置复位超时输入。连接一个电容器这个输入端与地之间进行选择的复位
超时周期(T
RP
). t
RP
= 2000乘C
1
(C
1
在μF和T
RP
在毫秒)。如果没有连接电容器,
将该引脚悬空。
接地引脚。
始终连接到引脚V
CC
( 4针) 。
电源电压和复位阈值监控输入。
漏极开路,低电平有效复位输出。连接到外部上拉电阻。从复位状态的变化
前高后低,只要监视电压(V
CC
)低于复位门限电压(V
RTH
).
一旦V
CC
超过V
RTH
,RESET保持低电平复位超时周期(T
RP
),然后变为高。
2
3
4
5
GND
V
CC1
V
CC
RESET
功能框图
10001603
5
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