LTC3413
3A , 2MHz的单片
同步调节器
DDR / QDR存储器终端
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外,LTC
3413是一种高英法fi效率单片同步的
理性的降压型DC / DC转换器利用恒定
频率,电流模式架构。它的工作
2.25V的输入电压范围为5.5V ,并提供一个
调节的输出电压等于(0.5 )V
REF
而采购
或吸收高达3A的输出电流。的内部电压
分减少了元件数量和省去
外部电阻通过将基准电压中
半数。与85mΩ内部同步电源开关
导通电阻的增加英法fi效率,并且无需
一个外部肖特基二极管。开关频率高达
至2MHz是由一个外部电阻器来设定。
强制连续操作中的LTC3413降低
噪声和RF干扰。提供故障保护
由过流比较器,限制输出电流
在这两种采购和下沉的操作。可调整的
补偿允许瞬态响应进行优化
在宽范围的负载和输出电容器。
, LT , LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
由美国专利包括5481178保护。
高英法fi效率:高达90 %
± 3A输出电流
对称的源库输出电流限制
低R
DS ( ON)
内部开关: 85mΩ
无需肖特基二极管
2.25V至5.5V的输入电压范围
V
OUT
= V
REF
/2
± 1 %的输出电压准确度
可编程开关频率:高达2MHz
电源良好输出电压监视器
过热保护
采用16引脚TSSOP裸露焊盘封装
应用
n
n
n
总线终端: DDR和QDR 记忆,
SSTL , HSTL , ...
笔记本电脑
分布式电源系统
典型用途
V
IN
2.5V
100
22μF
SV
IN
V
REF
4.7M
330pF
LTC3413
RUN / SS
5.11k
I
TH
2200pF
R
T
309k
V
FB
3413 F01A
90
80
V
OUT
1.25V
±3A
效率(%)
V
IN
= 2.5V
F = 1MHz的
PV
IN
PGOOD
SW
保护地
SGND
L1
0.47μH
C
OUT
100μF
2
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
负载电流(A )
10
3413 F01B
L1 : VISHAY DALE IHLP - 2525CZ -01 0.47
C
OUT
: TDK C4532X5R0J107M
图1a。高英法fi效率总线端接电源
图1b。 EF网络效率与负载电流
3413fc
1
LTC3413
绝对最大额定值
(注1 )
引脚配置
顶视图
SV
IN
PGOOD
I
TH
V
FB
R
T
V
REF
RUN / SS
SGND
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16 PV
IN
15 SW
14 SW
13 PGND
12 PGND
11 SW
10 SW
9
PV
IN
SV
IN
, PV
IN
电源电压......................... -0.3V至6V
I
TH
, RUN / SS ,V
FB
, PGOOD电压............ -0.3V到V
IN
V
REF
电压................................................ - 0.3V至V
IN
SW ...................................电压-0.3V到(V
IN
+ 0.3V)
工作环境温度范围
(注2 ) .............................................. ..... -40 ° C至85°C
结温(注5,8) ....................... 125°C
存储温度范围................. -65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................ 300℃
FE套餐
16引脚塑封TSSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 38 ° C / W ,
θ
JC
= 10℃ / W的
裸露焊盘(引脚17)必须焊接到PGND
订购信息
无铅完成
LTC3413EFE#PBF
LTC3413IFE#PBF
含铅涂层
LTC3413EFE
LTC3413IFE
磁带和卷轴
LTC3413EFE#TRPBF
LTC3413IFE#TRPBF
磁带和卷轴
LTC3413EFE#TR
LTC3413IFE#TR
最热
3413EFE
3413IFE
最热
3413EFE
3413IFE
包装说明
16引脚塑封TSSOP
16引脚塑封TSSOP
包装说明
16引脚塑封TSSOP
16引脚塑封TSSOP
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
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该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.3V,除非另有说明。
符号
V
IN
V
FB
I
FB
I
RUN
ΔV
FB
V
LOADREG
ΔV
PGOOD
R
PGOOD
I
Q
参数
输入电压范围
反馈电压准确度
电压反馈漏电流
RUN / SS漏电流
反馈电压线路调整
反馈电压负载调整
电源正常范围
电源良好下拉电阻
输入直流偏置电流
工作电流
关闭
(注4 )
V
FB
= 1.5V, V
第i个
= 1.4V, V
REF
= 2.5V
V
RUN
= 0V (注7 )
V
IN
= 2.7V至5.5V (注3 )
测量伺服回路,V
第i个
= 0.36V
测量伺服回路,V
第i个
= 0.84V
l
l
l
电气特性
条件
(注3)
l
民
2.25
典型值
最大
5.5
±1
0.4
1
单位
V
%
μA
μA
%/V
%
%
%
Ω
μA
μA
0.04
0.02
–0.02
±10
120
250
0.02
0.2
0.2
–0.2
±12
200
330
1
3413fc
2
LTC3413
电气特性
符号
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
极限
V
UVLO
I
LSW
V
RUN
参数
开关频率
开关频率范围
R
DS ( ON)
P沟道FET
R
DS ( ON)
n沟道FET
峰值电流限制
欠压锁定阈值
SW漏电流
RUN门槛
V
RUN
= 0V, V
IN
= 5.5V (注7 )
0.5
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.3V,除非另有说明。
条件
R
OSC
= 309k
(注6 )
I
SW
= 300毫安
I
SW
= 300毫安
3.8
1.75
民
0.88
0.30
典型值
1.00
85
65
5.4
2
0.1
0.65
2.25
1
0.8
最大
1.12
2.00
110
90
单位
兆赫
兆赫
mΩ
mΩ
A
V
μA
V
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
该LTC3413E保证,以满足特定的性能科幻阳离子
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计,表征和相关保障
统计过程控制。 LTC3413I保证满足特定网络版
从-40 ° C到85°C的性能。
注3 :
的LTC3413是在反馈回路中用于调节V测试
FB
to
实现一个特定的编辑错误扩增fi er输出电压(I
TH
).
注4 :
动态电源电流较高,由于内部栅极电荷
被输送的开关频率。
注5 :
T
J
从环境温度TA和功率计算
耗散P
D
如下: LTC3413E :T已
J
= T
A
+ (P
D
38 ° C / W)
注6 :
2MHz的操作是通过设计,而不是生产测试保证。
注7 :
关断电流和SW漏电流过程中只测试
晶圆排序。
注8 :
该IC具有过热保护,旨在
在瞬间过载条件下,以保护设备。连接点
温度超过125°C时,过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
典型性能特性
EF网络效率与负载电流
100
V
OUT
= 1.25V
90 T
A
= 25°C
80
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
负载电流(A )
10
3413 G01
EF网络效率与输入电压
100
V
OUT
= 1.25V
90 T
A
= 25°C
80
0
负载= 1A
–0.05
LOAD = 3A
ΔV
OUT
/V
OUT
(%)
–0.10
–0.15
–0.20
–0.25
–0.30
5.0
5.5
3413 G02
负载调整率
T
A
= 25°C
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.3V
效率(%)
70
负载= 100毫安
60
50
40
30
20
2.5
3.0
4.5
4.0
输入电压( V)
3.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流(A )
2.5
3.0
3413 G03
3413fc
3
LTC3413
典型性能特性
开关导通电阻
与温度
120
100
导通电阻( MΩ)
80
60
40
20
0
–40 –20
NFET
导通电阻
V
IN
= 3.3V
PFET
导通电阻
120
100
80
60
NFET导通电阻
40
20
0
100 120
3413 G04
开关导通电阻
与输入电压
T
A
= 25°C
PFET导通电阻
2.5
漏电开关与输入电压
T
A
= 25°C
漏电流( NA)
2.0
导通电阻( MΩ)
1.5
PFET
1.0
NFET
0.5
0
20 40 60 80
温度(℃)
0
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压( V)
5
3413 G05
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压( V)
5
5.5
3413 G06
频率与
OSC
4500
4000
3500
频率(kHz )
频率(kHz )
3000
2500
2000
1500
1000
1000
500
0
54 154 254 354 454 554 654 754 854 954
R
OSC
(kΩ)
3413 G07
频率与输入电压
1050
1040
1030
1020
1010
频率(kHz )
T
A
= 25°C
1010
1008
1006
1004
1002
1000
998
996
994
992
990
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压( V)
5
5.5
3213 G08
频率与温度
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 3.3V
T
A
= 25°C
990
–40 –20
0
20 40 60 80
温度(℃)
100 120
3413 G09
静态电流与输入电压
350
300
静态电流( μA )
250
200
150
100
50
0
2.0
感应器
当前
1A/DIV
T
A
= 25°C
产量
电压
100mV/DIV
负载阶跃瞬态
V
IN
= 2.5V
20μs/DIV
V
OUT
= 1.25V
负载阶跃= 0A到3A
2.5
4.5
3.0 3.5 4.0
输入电压( V)
5.0
5.5
3413 G11
3413 G10
3413fc
4
LTC3413
典型性能特性
负载阶跃瞬态
产量
电压
100mV/DIV
产量
电压
500mV/DIV
感应器
当前
1A/DIV
感应器
当前
1A/DIV
启动
V
IN
= 2.5V
20μs/DIV
V
OUT
= 1.25V
负载阶跃= 0A到-3A
3413 G12
V
IN
= 2.5V
V
OUT
= 1.25V
LOAD = 0.4Ω
1ms/DIV
3413 G13
引脚功能
SV
IN
(引脚1 ) :
信号输入电源。去耦将此引脚
SGND与电容器。 SV
IN
必须大于或等于
PV
IN
然而, SV之间的差
IN
和PV
IN
必须
低于0.5V 。
PGOOD (引脚2 ) :
电源良好输出。开漏逻辑
该被拉输出到地的输出电压时
不是内的调节点±10%。
I
TH
(引脚3 ) :
误差放大器呃补偿点。该
电流比较器的阈值增加了与此对照
电压。额定电压范围是该引脚为0.2V
1.4V至0.6V与对应的零检测电压
(零电流)。
V
FB
(引脚4 ) :
反馈引脚。接收反馈电压
从输出。
R
T
(引脚5 ) :
振荡电阻输入。连接一个电阻
从这个引脚到地设置开关频率。
V
REF
(引脚6 ) :
参考电压输入。的正输入端
扩增fi er内部错误的检测的二分之一的电压的
年龄在这个引脚通过一个电阻分压器。
RUN / SS (引脚7 ) :
运行控制和软启动输入。强制
这个引脚低于0.5V关断LTC3413 。在关断模式
所有的功能都被禁用绘图< 1μA的电源电流。
一个电容到地,从这个引脚设置斜坡时间
全部的输出电流。
SGND (引脚8 ) :
信号地。所有小信号组件
和补偿元件应连接到这
地面上,从而连接到PGND在一个点上。
PV
IN
(引脚9 , 16 ) :
电源输入电源。去耦该引脚
至PGND一个电容。
SW(引脚10,11 ,14,15 ) :
开关节点连接到
电感器。该引脚连接到内部的排水渠
主同步功率MOSFET开关。
PGND (引脚12 ,13) :
电源地。连接该引脚
紧密的( - )C端
IN
和C
OUT
.
裸露焊盘(引脚17 ) :
应连接到印刷电路板
地面上。
3413fc
5