飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻器
提供出色的电流分配
并承受高VSWR
叉指结构提供
高效率的发射器
镀金实现非常
的特点，稳定性好
和优良的一生
多单元的几何形状提供了良好的
耗散功率的平衡，
低热阻
内部输入prematching确保可靠
良好的稳定性，并允许更容易
宽带电路的设计。
应用
用于在共发射极使用，
AB类功率放大器的CW
专业条件
应用程序在1.65 GHz的。
2
LLE16120X
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个共发射极AB类
扩增fi er 。
的模式
手术
AB类（ CW）
f
（千兆赫）
1.65
V
CE
(V)
24
I
CQ
(A)
0.1
P
L1
(W)
≥11
G
po
（ dB）的
≥8.7
Z
i
; Z
L
()
参见图8和9
钉扎 - SOT437A
针
1
2
3
集热器
BASE
发射极连接到佛罗里达州安格
描述
手册中， 4列
1
c
b
3
e
描述
NPN硅平面外延
在微波功率晶体管
SOT437A粘盖金属陶瓷
法兰封装，具有发射
连接到FL法兰。
顶视图
MAM112
Fig.1简化外形和符号。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年02月18
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
LLE16120X
手册，全页宽
30 mm
30 mm
3
40 mm
输入
1
3
1.2
9.3
0.635
2.5
5
1
5
0.5
7
12.5
2
4.5
0.5
12.5
1
3
40 mm
产量
0.635
10.2
0.5
5.8
2x
0.5
2
10
1.4
2x
0.5
2
MCD661
基材： Epsilam 10 。
厚度： 0.635毫米。
介电常数：
ε
r
= 10.
图4 Prematching测试电路板。
组件的列表（见偏置电路）
部件
TR1
D1
D2
R1
R2
R3
P1
C1
C5, C6
L1
L2
笔记
1.用TR1热接触。
2.在与D.U.T.热接触
描述
晶体管， BDT85 （或同等学历）
二极管， BY239800 （或同等学历） ;注1
二极管， BY239800 ;注意2
电阻器
电阻器
电阻器
电位器， 10转（ SFERNICE ）
电解电容
穿心旁路电容
5圈0.5毫米铜线与铁氧体磁珠
5圈0.5毫米铜线
100
3.3 k
56
4.7 k
10
F,
40 V
1500 pF的
伊利参考。 1250-003
价值
订购信息
1997年02月18
5
QQ：2881677436 复制
