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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第687页 > LT1158IS
LT1158
半桥式N沟道
功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
描述
在LT1158单个输入引脚同步控制
两个N沟道功率MOSFET的图腾柱CON连接gura-
化。独特的自适应保护，防止贯通
电流消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在LT1158可以调节的连续电流限制环路
短路电流在顶部功率MOSFET。更高
启动电流被允许，只要MOSFET的V
DS
不超过1.2V 。通过故障输出返回到
使能输入端时， LT1158将自动关闭
故障和事件重试时的内部上拉
电流充电使能电容。
一个片上电荷泵切换时，需要在
打开顶端的N沟道MOSFET连续。特
电路确保顶侧栅极驱动器是安全的
保持在PWM和DC之间的过渡操作
化。栅极 - 源极电压在内部限定于
14.5V时，在更高的电源电压工作。
驱动器前侧MOSFET高于V之门
+
工作在电源电压为5V至30V
为150ns转换时间驱动3000pF的
在500mA峰值驱动电流
自适应非重叠栅极驱动器
连续电流限制保护
自动关机和重试功能
内部电荷泵，用于直流操作
内置栅极电压保护
兼容电流检测的MOSFET
TTL / CMOS输入电平
故障指示输出
应用
s
s
s
s
s
s
高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
三相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
电池供电的逻辑电平MOSFET
典型用途
24V
1N4148
BOOST DR
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
牛逼源
0.1F
IRFZ34
+
10F
V
+
V
+
+
500F
低
ESR
PWM
0Hz所需
100kHz
输入
LT1158
SENSE
+
+
R
SENSE
0.015
负载
+
1F
启用
故障
BIAS
SENSE
–
B GATE DR
B门FB
GND
–
IRFZ34
0.01F
LT1158 TA01
U
U
U
顶部和底部的波形门
V
IN
= 24V
R
L
= 12
1158 TA02
1
LT1158
绝对
最大
评级
电源电压（引脚2,10 ） .................................... 36V
升压电压（引脚16 ） ............................................ 56V
连续输出电流（引脚1 ， 9 ， 15 ） ....... 100毫安
检测电压（引脚11 ， 12 ） ................... -5V到V
+
+5V
顶源极电压（引脚13 ） ..................... -5V到V
+
+5V
升压至源极电压（ V16 - V13 ） ....... -0.3V至20V
工作温度范围
LT1158C ................................................ 0 ° C至70℃
LT1158I ............................................ -40 ° C至85°C
结温（注1 ）
LT1158C ................................................. ......... 125°C
LT1158I ................................................. .......... 150℃
存储温度范围................ -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................ 300℃
封装/订购信息
顶视图
BOOST DR
V
+
BIAS
启用
故障
输入
GND
B门FB
1
2
3
4
5
6
7
8
16 BOOST
T第15 GATE DR
14吨门FB
13吨源
12感
+
11感
–
10 V
+
9
B GATE DR
订购部件
数
LT1158CN
LT1158IN
N包装
16引脚塑料DIP
θ
JA
= 70 ° C / W
顶视图
BOOST DR 1
V
+
2
BIAS 3
ENABLE 4
常见故障五
输入6
7 GND
B门FB 8
16 BOOST
T第15 GATE DR
14吨门FB
13吨源
12感
+
11感
–
10 V
+
9
的一揽子
16引脚塑料溶胶
B GATE DR
LT1158CS
LT1158IS
θ
JA
= 110 ° C / W
咨询工厂的军工级配件。
电气特性
符号参数
I
2
+ I
10
直流电源电流（注2 ）
条件
测试电路，T
A
= 25
°
C，V
+
= V16 = 12V ， V11 = V12 = V13 = 0V ，引脚1和4
开，门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有规定。
LT1158I
最小典型最大
4.5
8
q
LT1158C
最小典型最大
4.5
8
0.8
0.85
1.2
15
9
40
12
12
2.2
7
13
3
1.4
5
1.15
1.5
25
11
43
14.5
14.5
3
10
18
4.5
2
15
1.4
1.8
35
47
17
17
单位
mA
mA
mA
mA
V
A
V
V
A
V
V
V
V
V = 30V, V16 = 15V, V4 = 0.5V
V
+
= 30V, V16 = 15V, V6 = 0.8V
V
+
= 30V, V16 = 15V, V6 = 2V
V
+
= V13 = 30V, V16 = 45V, V6 = 0.8V
+
2.2
7
13
3
1.4
5
1.15
1.5
25
11
43
14.5
14.5
3
10
18
4.5
2
15
1.4
1.7
35
47
17
17
I
16
V6
I
6
V4
V4
I
4
V15
V9
V1
升压电流
输入阈值
输入电流
实现低阈值
启用滞后
启用上拉电流
电荷泵电压
底栅“ON ”电压
升压驱动电压
0.8
0.9
1.3
15
9
40
12
12
V6 = 5V
V6 = 0.8V ，监视器V9
V6 = 0.8V ，监视器V9
V4 = 0V
V
+
= 5V ， V6 = 2V ，引脚16开， V13
→
5V
V
+
= 30V ， V6 = 2V ，引脚16开， V13
→
30V
V
+
= V16 = 18V, V6 = 0.8V
V
+
= V16 = 18V ， V6 = 0.8V ， 100毫安脉冲负载
q
q
q
q
q
q
q
q
2
U
W
U
U
W W
W
LT1158
电气特性
符号
V8
I
5
V5
参数
底关断阈值
故障输出泄漏
故障输出饱和
条件
测试电路，T
A
= 25
°
C，V
+
= V16 = 12V ， V11 = V12 = V13 = 0V ，引脚1和4
开，门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有规定。
LT1158I
最小典型最大
1
1
q
LT1158C
最小典型最大
1
1
1.75
1.5
0.1
0.5
85
120
120
1.1
110
150
1.25
130
350
120
130
200
100
2.5
2
1
1
135
180
180
1.4
250
550
250
250
400
200
单位
V
V
A
V
mV
mV
mV
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V14 - V13前关断阈值
V
+
= V16 = 5V, V6 = 0.8V
V
+
= V16 = 5V, V6 = 2V
V
+
= 30V, V16 = 15V, V6 = 2V
V
+
= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ， I5 = 10毫安
V
+
= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ， I5 = 100μA
V
+
= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ，闭环
q
1.75
1.5
0.1
0.5
2.5
2
1
1
130
170
180
1.4
250
550
250
250
400
200
V12 - V11故障导听阈
V12 - V11电流限制门限
V12 - V11电流限制禁止
V
DS
门槛
t
R
t
D
t
F
t
R
t
D
t
F
顶栅上升时间
顶栅关断延迟
顶栅下降时间
底栅上升时间
底栅关断延迟
底栅下降时间
90
130
120
1.1
q
q
q
q
q
q
110
150
1.25
130
350
120
130
200
100
V
+
= V12 = 12V ， V6 = 2V ，减少V11
直到V15变为低电平
引脚6 （ + ）过渡：测量。 V15 - V13 （注3 ）
引脚6 （ - ）过渡：测量。 V15 - V13 （注3 ）
引脚6 （ - ）过渡：测量。 V15 - V13 （注3 ）
引脚6 （ - ）过渡：测量。 V9 （注3）
引脚6 （ + ）过渡：测量。 V9 （注3）
引脚6 （ + ）过渡：测量。 V9 （注3）
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围内。
注1 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下式：
LT1158IN ， LT1158CN ：T已
J
= T
A
+ (P
D
×
70°C/W)
LT1158IS ， LT1158CS ：T已
J
= T
A
+ (P
D
×
110°C/W)
注2 ：
动态电源电流较高，由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。见典型性能
特点及应用信息。
注3 ：
门的上升时间是从测量2V至10V ，延时时间为
从输入过渡测到当栅极电压已降低
至10V ，时间和下降时间是从10V测量到2V 。
典型性能特性
直流电源电流
14
I
2
+ I
10
+ I
16
12
输入高
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
V13 = 0V
12
V13 = V
+
10
8
10
输入低
8
6
4
2
0
0
5
10
15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
启用低
电源电流（mA ）
ü W
LT1158 G01
直流电源电流
14
I
2
+ I
10
+ I
16
V
+
= 12V
输入高
30
25
20
15
10
5
0
动态电源电流（V
+
)
占空比为50％
C
门
= 3000pF的
V
+
= 24V
V
+
= 12V
V
+
= 6V
输入低
6
4
2
0
–50 –25
启用低
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
1
10
输入频率（千赫）
100
LT1158 G03
LT1158
G02
3
LT1158
典型性能特性
动态电源电流
40
35
占空比为50％
V
+
= 12V
TOP栅极电压（ V）
输入门限电压（ V）
电源电流（mA ）
30
25
20
15
10
5
0
1
10
输入频率（千赫）
100
LT1158 G04
C
门
= 10000pF
C
门
= 3000pF的
C
门
= 1000pF的
启用阈值
3.5
故障导听阈（MV ）
启用阈值电压（V ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
V（ HIGH ）
–40°C
+25°C
+85°C
140
130
120
110
100
90
80
70
60
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
+85°C
+25°C
–40°C
电流限制阈值（MV ）
–40°C
+25°C
V（ LOW ）
+85°C
15 20 25 30
电源电压（ V）
电流限制禁止V
DS
门槛
1.50
电流限制阈值INHIBIT （V ）
1.45
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0
V2 – V11
350
350
底栅下降时间（ NS ）
底栅上升时间（ NS ）
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
4
ü W
35
40
LT1158 G07
电荷泵输出电压
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
10μA LOAD
空载
输入阈值
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V（ LOW ）
1.0
0.8
0
5
V（ HIGH ）
–40°C
+25°C
+85°C
–40°C
+25°C
+85°C
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
LT1158 G05
LT1158 G06
故障导听阈
160
150
V11 = 0V
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
电流限制阈值
闭环
+85°C
+25°C
–40°C
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
LT1158 G08
LT1158 G09
底栅上升时间
400
400
底栅下降时间
300
250
200
150
100
50
C
门
= 1000pF的
C
门
= 3000pF的
C
门
= 10000pF
300
250
200
150
100
50
0
C
门
= 10000pF
–40°C
+25°C
+85°C
C
门
= 3000pF的
C
门
= 1000pF的
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
35
40
0
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
LT1158 G10
LT1158 G11
LT1158 G12
LT1158
典型性能特性
顶栅上升时间
400
350
400
350
顶栅上升时间（ NS ）
顶栅下降时间（ NS ）
C
门
= 10000pF
转换时间（纳秒）
300
250
200
150
100
50
0
0
5
C
门
= 10000pF
C
门
= 3000pF的
C
门
= 1000pF的
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
PI FU CTIO S
引脚1 （升压驱动器） ：
充电和夹紧引导
电容14.5V通过外部二极管比13针高。
引脚2 （V
+
):
主电源引脚;必须严格分离，以
接地引脚7 。
引脚3 （ BIAS） ：
分离点为内部2.6V偏压
发电机。
3脚不能有任何外部直流负载。
引脚4 （启用） ：
开路时，该工作LT1158
正常。拉销4低拥有两个MOSFET关闭
无论输入状态。
引脚5 （故障） ：
集电极开路NPN输出，接通
当V12 - V11超过故障阈值传导。
引脚6 （输入） ：
以6脚高开启高端MOSFET
和底部MOSFET关断; 6脚低逆转这些国家。
一个输入锁存器捕捉每一个低的状态，忽视了ensu-
荷兰国际集团的高，直到13引脚已经低于2.6V 。
引脚8 （底栅反馈） ：
必须直接连接到
底部功率MOSFET的栅极。高端MOSFET的导通
被禁止，直到8引脚放电至1.5V 。的保持上
电流源，也可通过引脚8助长了底栅。
9脚（底栅驱动器） ：
高电流驱动点
对于下面的MOSFET 。当栅极电阻的情况下，它是
销9和MOSFET的栅极之间插入。
引脚10 （V
+
):
底侧驱动器电源;必须CON组
连接至同一个电源引脚2 。
引脚11（检测负极） ：
为浮动参考
电流限制比较。连接到一个偏低
电流分流器或开尔文引线的电流检测的MOSFET 。
当引脚11是在第五1.2V
+
，电流限制被禁止。
引脚12 （检测正极） ：
连接到的偏高
电流分流器或电流检测MOSFET意识领先。
结合销11与12之间的内置的偏移
有R
SENSE
设置高端MOSFET的短路电流。
引脚13 （最大来源） ：
顶侧驱动的回报;连接
MOSFET的源极和自举电容偏低。
引脚14 （顶栅反馈） ：
必须直接连接到
最高功率MOSFET的栅极。底部MOSFET的导通为
抑制，直至V14 - V13已经排到1.75V 。一个片
芯片电荷泵还通过销14馈送的顶栅。
引脚15 （前栅极驱动） ：
对于高电流驱动点
高端MOSFET 。当栅极电阻的情况下，它被插入
间销15和MOSFET的栅极。
引脚16 （升压） ：
顶边驱动器电源;连接到
自举电容二极管和高边两种
从电源（V
+
< 10V ）或引脚1 （V
+
> 10V ） 。
ü W
35
40
LT1158 G13
顶栅下降时间
800
700
600
500
400
转型时代VS
门
V
+
= 12V
C
门
= 3000pF的
300
250
200
150
100
上升时间
下降时间
C
门
= 3000pF的
300
200
100
C
门
= 1000pF的
50
0
0
5
10 15 20 25 30
电源电压（ V）
35
40
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
栅极电阻（ Ω ）
LT1158 G15
LT1158 G14
U
U
U
5
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推荐型号
LT3582EUDTRPBF
LP5524TMX-5
LM1882CN
LGN2G221MELA35
LPT100A
LH521002CK-25
LXT360PE
LT3060HTS8-1.8
LM2852XMXA-0.8
LM393AFK
LM2940IMPX-8.0
LTC4215-1
LM29150-5.0
LTWC455D
LW231
LTC3823EGNPBF
LQ2144
LR771
LA5616
L4957AD3.3
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