LP5524并联LED驱动器，带有PWM亮度控制的micro SMD封装
2007年7月
LP5524
并联LED驱动器，带有PWM亮度控制的微
SMD封装
概述
该LP5524是一款高度集成的双区LED驱动器
可以驱动多达四个LED并联，总输出电流
100mA的。调控高压侧的内部电流源DE-
肝优良的电流和亮度匹配的所有LED 。
LED驱动器的电流源被分成两个独立
控制银行的驾驶辅助显示器，键盘和
LED指示灯。亮度控制是通过将实现
的PWM信号到每个使能引脚。默认情况下LED电流是外交事务委员会
保守党可编程和一个可选的外部电阻可
用于设置LED电流到用户可编程的值。
LP5524可在美国国家半导体的微型9焊球的薄型micro SMD封装
封装。
特点
■
高压侧LED驱动器
■
驱动4个LED具有高达25mA的LED每
■
超小的解决方案尺寸：
■
■
■
■
—
无需外部元件
—
微型SMD - 9封装0.4毫米间距：
1.215毫米X 1.215毫米X 0.6毫米（长宽高）
0.4 ％的典型电流匹配
PWM亮度控制
过电流保护
宽输入电压范围： 2.7V至5.5V
应用
■
副显示器背光
■
键盘LED背光
■
LED指示灯
典型用途
30007601
2007美国国家半导体公司
300076
www.national.com
LP5524
连接图以及包装标志信息
连接图
微型SMD - 9封装， 1.215 X 1.215 X 0.60毫米的机身尺寸，0.4毫米间距NS包装数TMD09AAA
30007602
30007603
顶视图
底部视图
包装标志
30007604
订购信息
订单号
LP5524TM-5
LP5524TMX-5
默认的LED电流
（注1 ）
5毫安
5毫安
包装标志
V2
V2
供货方式
TNR 250
TNR 3000
规格/流
NOPB
NOPB
注1 ：
其他流动选项可根据要求提供，请向美国国家半导体销售办事处。
引脚说明
针
A1
A2
A3
B1
B2
B3
C1
C2
C3
名字
ISET
ENB
ENA
D1B
VIN
D1A
D2B
GND
D2A
TYPE
AI
DI
DI
AO
P
AO
AO
G
AO
当前设置输入
让银行B
启用A银行
电流源输出， B银行LED1
电源引脚
电流源输出， A银行LED1
电流源输出， B银行LED2
地
电流源输出， A银行LED2
描述
答：模拟引脚D：数字引脚G：接地引脚P：电源引脚
I：输入引脚○：输出引脚
www.national.com
2
LP5524
绝对最大额定值
（注2,3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V（ VIN ， DX ， ISET ）
在逻辑引脚电压（ ENA ， ENB ）
连续功率耗散
（注4 ）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（回流焊接， 3次）
ESD额定值（注6 ）
人体模型
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V至+ 6.0V
内部限制
125°C
-65 ° C至+ 150°C
（注5 ）
工作额定值
（注2,3）
2.7V至5.5V
-40°C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
电源引脚上的电压（ VIN ）
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注7 ）
热性能
结到环境的热
电阻（ θ
JA
),
TMD09套餐（注8 ）
80 - 125°C / W
2千伏
（注3,9）
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于工作环境温度范围（ -40°C
＆ LT ;吨
A
< + 85°C ） 。除非另有说明，规范适用于LP5524框图为： V
IN
= 3.6V ，R
ISET
= 32.4 kΩ的，C
IN
= 100 nF的。
符号
I
VIN
I
DX
I
OUT
参数
关断电源电流
主动模式下电源电流
推荐LED电流
LED输出电流精度
LED输出电流精度
I
MATCH
ΔI
DX
%/ΔV
IN
ΔI
DX
%/ΔV
DX
V
HR
I
镜
V
ISET
I
ISET
t
PWM MIN
V
IL
V
IH
I
IN
t
SD
LED电流匹配（注10 ）
线路调整
负载调整率
最小净空电压
(V
IN
- V
DX
） （注11 ）
外部R
ISET
以LED
电流镜像比例
ISET参考电压
ISET引脚电流范围
推荐最低
准时PWM信号
逻辑输入低电平
逻辑输入高电平
CTRL输入电流
关断延迟时间
ENA / ENB = 1.2V
延迟从ENA和ENB =低
I
DX
= 0.1 ×1
DX
喃
1.2
1.2
20
1.9
25
2.5
33
0.4
V
DX
＆ LT ; V
IN
- 0.2V
I
DX
设为5毫安
I
DX
设为15毫安
I
DX
= 5毫安，V
DX
= V
IN
- 0.2V
ISET =打开
I
DX
= 15.9毫安，V
DX
= V
IN
- 0.2V
I
DX
= 15.9毫安
条件
ENA = ENB = 0V
ENA = ENB = H ， ISET =开
3
0.5
0.5
0.4
1
0.4
10
30
1:416
1.237
62.5
V
A
μs
V
V
A
s
75
民
典型值
0.2
170
最大
1
210
25
5
4
2.5
单位
A
A
mA
%
%
%
%/V
%/V
mV
mV
电气特性
注2 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注3 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注4 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 160 ° C（典型值），并在脱离
T
J
= 140 ° C（典型值） 。
注5 ：
有关详细的焊接规范和信息，请参考美国国家半导体应用笔记AN1112 ：微型SMD晶圆级芯片
级封装。
注6 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 MIL - STD-883标准3015.7
注7 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
).
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LP5524
注8 ：
.Junction到环境的热阻是高度应用和电路板布局有关。在应用中，高最大功耗存在，
必须特别注意支付给电路板设计的散热问题。
注9 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注10 ：
匹配距离的平均值的最大差值。
注11 ：
电流源是内部连接V之间
IN
一个V
DX
。横跨电流源的电压， （Ⅴ
IN
- V
DX
） ，是指一个净空电压
(V
HR
） 。最小净空电压被定义为在V
HR
电压时， LED电流从在V测定的值下降了20 ％
DX
= V
IN
- 1V.
LP5524框图
30007636
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LP5524
LED驱动器典型性能特性
T
J
= 25°C 。除非另有说明，典型性能特性适用于LP5524框图具有： V
IN
= 3.6V,
R
ISET
= 32.4 kΩ的，C
IN
= 100 nF的。
输出电流与
ISET
（扩展范围）
输出电流与
ISET
30007622
30007623
输出电流与输入电压
（ ISET连接到VDD ）
输出电流与电压裕量
30007625
30007624
PWM性反应（两个通道）
PWM响应（单通道）
30007629
30007627
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