LPV521纳安级功耗, 1.8V , RRIO , CMOS输入运算放大器
2009年8月24日
LPV521
纳安级功耗, 1.8V , RRIO , CMOS输入,操作
扩音器
概述
该LPV521是一个毫微功率552纳瓦DE-放大器
签署超长寿命电池应用。操作
再加上通常351 nA的的1.6V至5.5V电压范围
电源电流使其非常适合于RFID阅读器和再
微尘传感器纳安级的应用。该装置具有输入
共模电压超过0.1V导轨,保证
TCV
OS
和电压摆动到轨输出性能。该
LPV521拥有一个精心设计的CMOS输入级,输出
执行与一般40 fA的我的竞争对手
BIAS
电流。这
低输入电流显著降低了我
BIAS
我
OS
错误在 -
troduced在兆欧电阻,高阻抗光电二极管,
和电荷感的情况。该LPV521是的一个部件
的PowerWise
家族,并具有出色的功率 - perfor-
曼斯比例。
宽输入共模电压范围,保证1
毫伏V
OS
和3.5 μV/°C TCV
OS
能够准确和稳定
测量,为高侧和低侧电流检测。
EMI保护被设计成装置,以减少森
敏度到不想要的RF信号从蜂窝电话或其它RFID
读者。
该LPV521是在5引脚SC- 70封装。
特点
(对于V
S
= 5V ,典型的,除非另有说明)
400 nA的(最大)
■
电源电流在V
CM
= 0.3V
1.6V至5.5V
■
工作电压范围
3.5 μV / ° C(最大值)
■
低TCV
OS
V
OS
1毫伏(最大)
■
40 fA的
■
输入偏置电流
109分贝
■
PSRR
102分贝
■
CMRR
132分贝
■
开环增益
增益带宽积
6.2千赫
■
2.4 V / ms的
■
压摆率
255内华达州/
√
Hz
■
在f = 100 Hz输入电压噪声
-40_C到125_C
■
温度范围
应用
■
■
■
■
■
■
■
■
无线远程传感器
电力线监控
功率计
电池供电的工业传感器
微氧传感器和气体传感器
主动式RFID读取器
基于ZigBee的传感器用于HVAC控制
通过能量采集传感器网络供电
典型用途
30054578
30054577
2009美国国家半导体公司
300545
www.national.com
LPV521
符号
I
O
参数
输出电流
(注7 )
条件
采购,V
O
到V
V
IN
(差异) = 100 mV的
下沉,V
O
到V
+
V
IN
(差异) = -100 mV的
民
(注6 )
15
8
15
8
典型值
(注5 )
23
22
351
475
最大
(注6 )
单位
mA
I
S
电源电流
V
CM
= 0.3V
V
CM
= 4.7V
400
620
600
870
nA
5V AC电气特性
符号
GBW
SR
参数
增益带宽积
压摆率
(注4 )
除非另有说明,所有参数保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
O
= V
+
/ 2,和R
L
> 1MΩ 。
粗体
范围
适用于极端温度。
条件
C
L
= 20 pF的,R
L
= 100 k
A
V
= +1,
V
IN
= 0V至5V
下降沿
上升沿
θ
m
G
m
e
n
i
n
EMIRR
相位裕度
增益裕度
C
L
= 20 pF的,R
L
= 100 k
C
L
= 20 pF的,R
L
= 100 k
0.1赫兹到10赫兹
F = 100赫兹
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
( -20分贝
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
( -20分贝
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
( -20分贝
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
( -20分贝
P
),
F = 2400 MHz的
1.1
1.2
1.1
1.2
民
(注6 )
典型值
(注5 )
6.2
2.7
2.4
73
20
255
22
100
121
121
124
142
dB
V / ms的
最大
(注6 )
单位
千赫
度
dB
内华达州/
μV
PP
FA /
输入参考电压噪声密度F = 100赫兹
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
EMI抑制比,IN +和IN
(注8)
注1 :
最大极限值是指超出了可能发生的损害限制。工作额定值表明该设备旨在条件
是功能性的,但具体的性能无法得到保证。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模型,适用的性病。 MIL -STD- 883 ,方法3015.7 。机器型号,适用的性病。 JESD22 - A115 -A ( ESD MM性病。 JEDEC的)
感生电荷设备模型,适用的性病。 JESD22 - C101 -C ( JEDEC的ESD FICDM STD )。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
, θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
– T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
。最大极限值是指结温范围超出该设备可能是永久降级,无论是机械或电气。
注5 :
典型值是最标准的参数表征的时间。实际的典型值可以随时间变化,也取决于
上的应用和配置。典型的值不测试,不保证在运生产材料。
注6 :
所有参数均通过测试,统计分析和设计的保证。
注7 :
短路试验是一时开环测试。
注8 :
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log (V
RF_PEAK
/ΔV
OS
).
注9 :
偏移电压平均漂移是通过将在V中的变化来确定
OS
在极端温度下的总的温度变化。
5
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