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L6910G
可调降压控制器
具有同步整流
1
特点
工作电源电压从5V
至12V巴士
UP TO 1.3A门极电流能力的
可调输出电压
N-二反相E / A输入可
0.9V ± 1.5 %参考电压
电压模式PWM控制
非常快速的负载瞬态响应
0%至100%占空比
电源良好输出
过压保护
打嗝过流保护
200KHz的内部振荡器
振荡器外部可调
在50kHz至1MHz
软启动和禁止
封装: SO- 16
图1.套餐
SO- 16 (窄)
表1.订购代码
产品型号
L6910G
L6910GTR
SO-16
SO- 16磁带&卷轴
2
应用
供应FOR MEMORIES和终
国家
电脑附加卡
低电压分布的DC-DC
MAG- AMP更换
3
描述
来自3.3V , 5V和12V总线的DC-DC转换。
输出电压是可调低至0.9V ;
较高的电压可与外部获得
分压器。
高的峰值电流栅极驱动器提供快速开关
荷兰国际集团到外部电源部,并且所述输出
电流可以超过20A的。
该装置可确保对保护负载过流
租金和过电压。
内部短路器也设置在接通
低侧MOSFET的,只要过电压是detect-
ED 。的情况下的过电流检测,在软起动的钙
pacitor排出和系统工作在
打嗝模式。
该装置是一个PWM控制器,用于高性能
图2.框图
V
in
5V至12V
VCC
OCSET
PGOOD
VREF
SS
MONITOR
保护
&放大器;参考文献
BOOT
UGATE
V
O
OSC
RT
OSC
PWM
-
+
E / A
EAREF
300K
+
-
LGATE
保护地
GND
VFB
COMP
D03IN1509
2005年5月
第1版
1/26
L6910G
表2.绝对最大额定值
符号
VCC
V
BOOT
-V
V
HGATE
-V
OCSET , LGATE ,相
SS , FB , PGOOD , VREF , EAREF , RT
COMP
T
j
T
英镑
P
合计
OCSET PIN
其它引脚
结温范围
存储温度范围
在环境温度Tamb最大功耗= 25°C
最大耐压范围
测试条件: CDF - AEC- Q100-002 “人体模型”
验收标准: “正常的表现”
VCC和GND , PGND
启动电压
参数
价值
15
15
15
-0.3 VCC + 0.3
7
6.5
-40至150
-40至150
1
±1000
±2000
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
W
V
V
表3.热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结到环境
价值
120
单位
° C / W
( * )设备焊接在1 S2P PC板
图3.引脚连接(顶视图)
VREF
OSC
OCSET
SS / INH
COMP
FB
GND
EAREF
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
D03IN1510
北卡罗来纳州
VCC
LGATE
保护地
BOOT
HGATE
PGOOD
2/26
L6910G
表4.引脚功能
1
名字
VREF
描述
内置0.9V ± 1.5 %基准可用于外部稳压器或内部误差放大器
(此引脚连接到EAREF ) ,如果外部参考不可用。
最小1nF的电容。
如果引脚被强制为电压低于70 %时,器件进入打嗝模式。
振荡器开关频率针。连接一个外部电阻(R
T
)从这个引脚GND时,
外部频率是根据该方程式增大:
4.94
10
-
f
OSC , RT
=
200KHz
+ ------------------------
R
T
(
K
)
6
2
OSC
连接一个电阻器(R
T
)从这个引脚电压( 12V ) ,开关频率是按照减少
公式:
4.306
10
-
f
OSC , RT
=
200KHz
– ----------------------------
R
T
(
K
)
如果该引脚没有连接时,开关频率为200KHz的。
在这个引脚上的电压固定在1.23V 。迫使50μA电流流入该引脚,内置振荡器
停止切换。
在过压条件下该引脚变为超过3V ,直到conditon被删除。
3
OCSET
从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流限制保护。
内部200μA电流产生下沉的恒定电流通过外部电阻器。该
过电流阈值,是由于以下公式:
I
OCSET
R
OCSET
I
P
= ---------------------------------------------
-
R
DSON
软启动时间进行编程连接从这个引脚与GND外部电容。该
内部电流产生的力量通过电容器10μA 。
该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下
该引脚被连接到误差放大器的输出,用于补偿的电压控制
反馈回路。
该引脚被连接到误差放大器的反相输入端,并用于补偿电压
控制反馈回路。
连接到输出端的电阻分压器,如果使用的话,也可以直接向Vout的,它也管理过电压
条件和PGOOD信号
所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。
误差放大器的非反相输入端。连接到这个引脚上的外部基准( 0.9V至3V )的
在PWM调节或短到VREF引脚使用内部参考。
如果该引脚变为650mV (典型值)下,该装置将关闭。
7
4
SS / INH
5
6
COMP
FB
7
8
GND
EAREF
9
10
11
12
PGOOD引脚这是一个集电极开路输出,它被拉低,如果输出电压不符合上述
指定的阈值。如果不使用它可以悬空。
HGATE
BOOT
该引脚被连接到上部场效应晶体管的源极和提供返回路径为高侧
驱动程序。该引脚用于监控上MOSFET的压降与OCSET电流限制在一起。
高侧栅极驱动器输出。
自举电容引脚。通过此引脚提供的高边驱动器和MOSFET上。
通过连接一个电容到相位引脚,并通过二极管工作电压(阴极与引导) 。
VBOOT限于VOCSET -10V (典型值)时,所有其他引脚连接到GND 。
电源接地引脚。该引脚必须紧密连接到低侧MOSFET的源极,以
降低噪声注入到器件
该引脚为低MOSFET栅极驱动器输出
器件的电源电压。该工作电源电压范围为5V至12V 。
请勿连接V
IN
为电压大于V
CC
.
该引脚内部没有粘合。这可能是悬空或连接到GND 。
13
14
15
16
保护地
LGATE
VCC
北卡罗来纳州
3/26
L6910G
表5.电气特性
(V
cc
= 12V ,T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
参数
V
cc
电源电流
ICC
VCC电源电流
POWER- ON
开启Vcc的门槛
关断阈值的Vcc
瑞星V
OCSET
门槛
打开EAREF门槛
软启动和禁止
国际空间站
软启动电流
在INH条件S.S.电流
振荡器
初始精度
f
OSC
f
OSC , RT
总精度
测试条件
OSC =开; SS到GND
VOCSET = 4V
VOCSET = 4V
VOCSET = 4V
SS = 2V
SS = 0 0.4V
OSC = OPEN
OSC = OPEN ;牛逼
j
= 0 ° 125°
16 KΩ <
T
到GND < 200千欧
6
4
4.0
3.8
典型值
7
4.3
4.1
1.24
650
10
35
200
最大
9
4.6
4.4
1.4
750
14
60
220
230
15
1.9
V
OUT
= V
FB
; V
EAREF
= V
REF
C
REF
= 1nF的;我
REF
= 0 100μA
C
REF
= 1nF的;牛逼
J
= 0 125 ℃下
V
EAREF
= 3V
与GND
V
FB
= 0V至3V
0.8
0.5
70
COMP = 10pF的
V
BOOT
- V
= 12V
V
HGATE
- V
= 6V
V
BOOT
- V
= 12V
VCC = 12V ; V
LGATE
= 6V
VCC = 12V
相连接到GND
V
OCSET
= 4V
V
FB
升起
V
FB
> OVP旅行
V
FB
升起
V
FB
落下
上限和下限阈
I
PGOOD
= -4mA
V
PGOOD
= 6V
15
108
88
90
170
200
117
30
110
90
2
0.4
0.2
1
112
92
0.9
1
85
10
10
1.3
2
1.1
1.5
3
210
230
120
4
0.886
0.886
-2
10
300
0.01
0.5
3
4
0.900
0.900
0.913
0.913
+2
单位
mA
V
V
V
mV
A
A
千赫
千赫
%
V
V
V
%
A
k
A
V
V
dB
兆赫
V / μs的
A
A
ns
A
%
mA
%
%
%
V
A
180
170
-15
ΔVosc
斜坡幅度
参考
输出电压精度
V
OUT
V
REF
V
REF
参考电压
参考电压
误差放大器器
I
EAREF
N.I.偏置电流
I
FB
V
CM
V
COMP
G
V
EAREF输入电阻
I.I.偏置电流
共模电压
输出电压
开环电压增益
GBWP增益带宽积
SR
压摆率
栅极驱动器
I
HGATE
HIGH SIDE
源出电流
R
HGATE
I
LGATE
R
LGATE
HIGH SIDE
沉电阻
低压侧电流源
低侧漏电阻
输出驱动器死区时间
PROTECTIONS
I
OCSET
OCSET电流源
过电压跳闸(V
FB
/ V
EAREF
)
I
OSC
OSC拉电流
电源良好
上限阈值(V
FB
/ V
EAREF
)
较低的阈值(V
FB
/ V
EAREF
)
迟滞(V
FB
/ V
EAREF
)
V
PGOOD
I
PGOOD
PGOOD电压低
输出漏电流
4/26
L6910G
4
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。该控制器提供完整的CON-
控制逻辑和保护了高性能的降压型DC -DC转换器。它被设计用来驱动N
沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。转换器的输出电压可以是
精确地调节下,以900mV为± 1.5 %的最大公差时,内部基准电压是
使用(简单地连接在一起EAREF和VREF引脚) 。该装置允许同时使用一个外部
基准( 0.9V至3V)的规定。该装置提供的电压模式控制,具有快速瞬态
反应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器,可调范围为50kHz至1MHz的。在ER-
ROR放大器具有10MHz的增益带宽积和10V / μs压摆率,允许实现
高转换器带宽,实现快速的瞬态性能。 PWM占空比的范围可以从0%至
的100%。该装置可防止过电流条件下进入打嗝模式。该装置
监视当前通过使用R
DS ( ON)
上MOSFET ( s)表示,省去了一个电流的
租传感电阻。该设备是在SO16窄封装。
4.1振荡器
开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波
为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前
振荡器通常是50μA (六
sw
= 200KHz的) ,并且可以使用一个外部电阻器来改变(注册商标
T
),连接在
OSC引脚与GND或V
CC
。由于OSC引脚被保持在固定的电压(典型值1.235V ) ,频率为VAR-
比例灭蝇灯的电流沉没(强制)从(到)的管脚。
特别是连接
T
与GND之间的频率增加(电流从销沉没) ,根据本
下列关系式:
6
4.94
10
f
OSC , RT
=
200KHz
+ -------------------------
R
T
(
K
)
连接
T
到V
CC
= 12V或V
CC
= 5V时的频率被降低(电流被迫进入针),根据
下列关系式:
4.306
10
f
OSC , RT
=
200KHz
– ----------------------------
-
R
T
(
K
)
15
10
f
OSC , RT
=
200KHz
– ---------------------
R
T
(
K
)
6
7
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
开关频率的变化相对于RT重复图4 。
注意,迫使一个50μA电流流入该引脚,该装置停止开关,因为没有电流被输送到
振荡器。
图4中。
10000
1000
电阻[千欧]
100
10
RT与GND
RT至VCC = 12V
RT至VCC = 5V
10
频率[千赫]
100
1000
5/26
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