LP55271微型LED驱动器，用于相机闪光灯和4个LED与我
2
可编程性，连接性
测试和音频同步
2006年9月
LP55271
微小的LED驱动器，用于相机闪光灯和4个LED与我
2
C
可编程性，连通性测试和音频
同步
概述
该LP55271是手持式的照明管理单元
与我的设备
2
IC兼容控制接口。该LP55271
具有升压DC / DC转换器的高电流输出和
它驱动显示器和键盘背光和权力的摄像机
时代LED闪光灯。此外， DC / DC变换器具有
输出电流功率例如音频放大器Si-所示
multaneously 。该芯片有4个8位可编程高
效率恒流LED驱动器和闪光LED
驱动程序。内置音频同步功能允许用户
同步指示灯，音频输入之一。
该LP55271有一个集成的370毫安闪光灯驱动器
安全停止功能和46毫安手电筒模式。外部
使能引脚设置为同步闪光灯的
摄像头的动作。外部软件独立测试接口
脸提供了一种快速的方式找到一个破碎的路径或短的
LED电路。很小的microSMD封装与
外部元件的最小数量是一个最佳拟合
手持设备。
特点
n
高电流升压型DC-DC转换器（高达1A输出
电流）
n
可编程升压输出电压
n
370毫安闪光LED恒流驱动器，具有低
耐受性和安全电路
n
同步引脚的闪光时间
n
两个单端音频输入增益控制
n
四恒15 mA电流LED驱动器， 8位
可编程亮度控制
n
音频同步功能
n
I
2
IC兼容控制接口
n
内置的LED连接测试，以最大限度地提高生产
产量
n
小的microSMD - 30封装（2.5毫米× 3.0毫米×0.6
mm)
应用
n
相机闪光灯， funlight和背光驱动电池
供电设备
典型用途
20202401
2006美国国家半导体公司
DS202024
www.national.com
LP55271
连接图以及包装标志信息
连接图
的microSMD - 30封装， 2.466 X 2.974 X 0.60毫米的机身尺寸，0.5毫米间距NS包装数TLA3011A
20202402
顶视图
20202403
底部视图
包装标志
20202404
顶视图
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
D55B - 产品标识
订购信息
订单号
LP55271TL
LP55271TLX
包装标志
D55B
D55B
供货方式
TNR 250
TNR 3000
规格/流
NOPB
NOPB
www.national.com
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LP55271
连接图以及包装标志信息
引脚说明
针
D3
A1
F5
E5
D5
B5
A5
B4
A4
F2
F3
D2
C1
B1
F4
E4
C5
F1
A2
D1
C3
E1
A3
B3
E2
E3
D4
C4
C2
B2
名字
VDD1
VDD2
SW1
SW2
FB
LED1
LED2
LED3
LED4
FL灰
GNDC
RT
VREF
VDDA
GND_SW1
GND_SW2
GND_LED
GND_FLASH
IFLASH
GNDA
GND
VDD_IO
NRST
SCL
SDA
FLASH_SYNC
T2
T1
ASE1
ASE2
TYPE
P
P
A
A
A
O
O
O
O
O
G
A
A
P
G
G
G
G
A
G
G
P
DI
DI
OD
DI
DO
DI
AI
AI
电源电压
电源电压
升压转换器开关
升压转换器开关
升压转换器的反馈
LED1驱动器输出
LED2驱动器输出
LED3驱动器输出
LED4驱动器输出
闪光灯LED驱动器输出
地上的核心电路
振荡器频率设定
参考电压
内部LDO
升压转换器的地
升压转换器的地
LED灯1 4驱动器接地连接
闪存驱动器接地连接
电阻器为Flash当前设置
模拟地连接
地
电源电压数字接口
低电平有效复位
I
2
C兼容接口的时钟信号
I
2
C兼容接口的数据信号
闪光LED控制
测试引脚（结果）
测试引脚（时钟）
音频输入
音频输入
（续）
描述
答：模拟引脚D：数字引脚G：接地引脚P：电源引脚
I：输入引脚I / O ：输入/输出引脚○：输出引脚OD ：开漏引脚
3
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LP55271
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
在电源引脚的电压（V
DD1,2
)
在模拟引脚电压
在输入/输出引脚电压
V（所有其它引脚） ：电压GND
I（ V
REF
)
我（ FLASH ）
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（回流焊接， 3次）
（注4 ）
o
ESD额定值（注5 ）
人体模型
2千伏
工作额定值
（注1 ）
,
（注2 ）
在电源引脚的电压（V
DD1,2
)
在ASE1 ， ASE2电压
V
DD_IO
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注6 ）
3.0至5.5V
0V至1.6V
1.65V至V
DD1
-30
o
C至+ 125
o
C
-30
o
C至+ 85
o
C
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V到V
DD1,2
+0.3V
与6.0V最大
-0.3V到V
DD1,2
+0.3V
与6.0V最大
-0.3V至6.0V
10 A
500毫安
内部限制
125 C
-65℃ + 150
o
C
260
o
C
o
热性能
结到环境的热
电阻（ θ
JA
),
TLA3011A套餐（注7 ）
60 - 100
o
C / W
电气特性
（注2,8 ）
在标准字体限为T
J
= 25
o
C.限制在黑体字应用在工作环境温度范围
(-30
o
C
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
+85
o
C） 。除非另有说明，规范适用于LP55271框图为： V
IN
= 3.6V ，C
IN
=
10 μF ，C
OUT1
= 10 μF ，C
OUT2
= 10 μF ，C
VDD_IO
= 100 nF的，C
VREF
= 100 nF的，C
VDDA
= 4.7 μF ，C
VDD1
= 100 nF的，C
VDD2
= 100
nF的，L
1
= 4.7 μH 。 （注9 ）
符号
I
关闭
参数
目前的V
DD1
+ V
DD2
销+
泄漏电流SW1，SW2的，
LED1 4和FLASH
主动模式下电源电流
(V
DD1
+ V
DD2
电流）
无负载电源电流
(V
DD1
+ V
DD2
电流）
V
DD_IO
待机电源电流
条件
在V电压
DD_IO
= 0V ， NRST = L时，
NSTBY （位） = L
NRST = H， NSTBY （位） = H ，空载，
EN_BOOST （位）= L ， SCL，SDA = H
NSTBY （位） = H， EN_BOOST （位） = H，
SCL，SDA ， NRST = H，
AUTOLOAD_EN （位） = L
NSTBY （位） = L
I
VDDA
= 1毫安
-4%
2,8V
民
典型值
1
最大
5
单位
A
I
DD
I
DD
350
850
A
A
I
VDDIO
V
DDA
1
+4%
A
V
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 160
o
C（典型值），并脱离在T
J
=
140
o
C（典型值） 。
注4 ：
有关详细的焊接规范和信息，请参考美国国家半导体应用笔记AN1112 ：微型SMD晶圆级芯片尺寸
封装。
注5 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 MIL - STD-883标准3015.7
注6 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125
o
C）所示，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注7 ：
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中，高最大功耗存在，
必须特别注意支付给电路板设计的散热问题。
注8 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注9 ：
在设置电气特性采用低ESR的表面贴装陶瓷电容器（MLCC ） 。
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