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订购数量： EN * 5129A

CMOS LSI

LE28C1001M ，T -90/ 12月15日

1MEG （ 131072字

8位）快闪记忆体

初步

概观

该LE28C1001M ， T系列IC是1 MEG闪存

即配备了131072字产品

8位组织

和5 V单电压电源的操作。 CMOS

外围电路部分主要采用高速，低功率

耗散，并且易于使用。一个128字节的页重写

功能可提供快速的数据重写。

包装尺寸

单位：mm

3205-SOP32

[LE28C1001M]

特点

高度可靠的2层多晶硅CMOS闪存

EEPROM工艺

读写采用5 V单电源操作

电源

快速存取时间： 90 ， 120 ，和150纳秒

低功耗

- 工作电流（读）：30 mA（最大值）

- 待机电流：

20 μA （最大值）

高度可靠的读取/写入

- 擦除/写周期：

/10

周期

- 数据保存：

10年

地址和数据锁存

快速页面重写操作

- 每页128字节

- 字节/页的重写时间： 5毫秒（典型值）

- 芯片重写时间：

5秒（典型值）

使用内部产生Vpp的自动重写

重写完成检测功能

- 触发位

- 数据查询

硬件和软件数据保护功能

所有输入和输出为TTL兼容。

引脚分配符合JEDEC字节宽

EEPROM的标准。

包

SOP 32脚（ 525万）塑料封装： LE28C1001M

TSOP 32针（8

20毫米）塑料封装： LE28C1001T

三洋： SOP32

单位：mm

3224-TSOP32

[LE28C1001T]

三洋： TSOP32 （ I型）

这些闪存产品结合的技术许可了Silicon Storage Technology ， Inc.的

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110

D3096HA （ OT ） / N3095HA （ OT ）第5129-1 / 14

LE28C1001M ，T -90/ 12月15日

框图

引脚分配

A05759

A05760

引脚功能

符号

A16到A0

地址输入

针

功能

提供的内存地址为这些引脚。

该地址在写周期内部锁存。

期间在写周期期间一读周期和输入数据，这些引脚输出数据。

数据在写周期期间内部锁存。

输出进入高阻抗状态时，无论OE或CE为高电平。

该装置是有源当CE为低。

当CE为高时，该器件变成未被选择，并进入待机状态。

使数据输出缓冲器活性。

OE是低电平有效的输入。

使写入操作有效。

我们是一个低电平有效的输入。

适用于5 V （ ± 10 ％）到该引脚。

DQ7到DQ0

数据输入和输出

北卡罗来纳州

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

这些引脚必须悬空。

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功能逻辑

模式

读

写

待机

写禁止

软件芯片擦除（ 5 V ，单电压）

A16至A10 = V

， A8为A1 = V

A9 = 12 V ， A0 = V

A16至A10 = V

， A8为A1 = V

A9 = 12 V ， A0 = V

A16到A0

OUT

高-Z

高-Z / D

OUT

高-Z / D

OUT

制造商代码（ BF ）

DQ7到DQ0

产品标识

设备代码（ 07 ）

软件数据保护指令

字节序

写0

写1

写2

写3

写4

写5

注：地址格式A14到A0 （十六进制）。

设置保护

地址

5555

2AAA

5555

数据

复位保护

地址

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

数据

软件芯片擦除命令（ 5 V单电压供电）

字节序

写0

写1

写2

写3

写4

写5

地址

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

数据

注：地址格式A14到A0 （十六进制）。

软件产品ID进入命令和退出命令代码

字节序

写0

写1

写2

写3

写4

写5

保护ID进入

地址

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

数据

保护ID退出

地址

5555

2AAA

5555

数据

软件产品ID命令代码注释：

1.命令代码地址格式： A14到A0 （十六进制）。

2. A14至A1 = V

制造商代码读取与A0 = V

要BFH

LE28C1001M ， T系列器件代码读取A0 = V

是07H

3.该设备不停留在软件产品ID模式，如果断电。

4， A16和A15是V

或V

IL 。

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设备操作

这三洋1 MEG闪存允许使用5 V单电压供电的电气重写。该LE28C1001M ，

T系列产品的引脚和功能与这类产品的行业标准兼容。

读

该LE28C1001M ， T系列的读操作均通过CE和OE控制。主机必须设置两个引脚为低电平，以

获得的输出数据。 CE是用于芯片选择。当CE为高电平时，该芯片将在未选

状态只绘制的待机电流。 OE用于输出控制。输出管脚进入高阻抗状态

当CE或OE为高电平。请参见时序波形（图1）了解详细信息。

页写操作

在写操作开始时两个CE和WE是在低电平，并且此外OE为高电平。写

操作是在两个阶段中执行。第一级是一个字节的负载循环，其中所述主机写入到LE28C1001M ，T

一系列的内部页面缓冲区。第二个阶段是一个内部编程周期中，在页缓冲器中的数据是

写入到非易失性存储器单元阵列。在该字节的负载周期中，地址被锁存的下降沿任

CE或WE，以后到为准。输入数据被锁存CE或WE的上升沿，以先到为准

第一。内部编程周期的开始，如果不是我们或CE保持高电平为200微秒（T

BLCO

）。一旦这种编程

循环开始时，操作继续进行，直到在编程操作被完全实现。此操作中执行

5毫秒（典型值）。图2和图3示出在WE和CE控制写周期的时序图，以及图10示出了

流程图进行此操作。

在该页面的写操作时， 128个字节的数据可以被写入到LE28C1001M ， T系列的内部页缓冲区之前

内部编程周期。所有的页缓冲器中的数据，在5毫秒写入到存储器单元阵列

（典型值）的内部编程周期。因此LE28C1001M ， T系列页写入功能可以重写所有的记忆

细胞在5秒（典型值）。主机可以执行所需的任何其他活动，如在其它位置移动数据

在系统内，并在此期间制备所需的下一个页面的写数据时，在完成的前

内部编程周期。在一个给定的页写入操作中，所有的数据字节加载到页缓冲器必须是

通过地址线所指定的同一个页面地址，通过A16 A7 。这是不明确装入页中的所有数据

缓冲区设置为FFH 。

图2示出了页面的写周期时序图。如果主机加载第二个数据字节到内部的页缓冲器

100 μs的字节负载循环时间（t

BLC

）的第一个字节负载循环LE28C1001M ， T系列停在页面加载循环后

从而使数据能够连续地加载。另外，如果数据没有加载到页面加载周期结束

在200微秒内页缓冲器（T

BLCO

）前面的字节装入周期后，如在的情况下我们不切换

WE的上升沿从高分到低分在最后。在页缓冲器中的数据可被重写中的下一个字节的负载周期。

页面加载时间可无限期继续下去，只要主机继续加载数据到设备的100微秒内

字节负载循环。加载的页面是由装入的最后一个字节的页地址来确定。

检测写操作状态

该LE28C1001M ， T系列产品提供了两个函数，用于检测写周期完成的。这些

函数用于优化系统写周期时间。这些功能是基于检测的数据的状态

轮询位（ DQ7 ）和翻转位（ DQ6 ）。

数据查询（ DQ7 ）

该LE28C1001M ， T系列产品输出到DQ7页面和字节加载过程中加载的最后一个数据的逆

当内部编程周期正在进行中循环。最后加载的数据可以从DQ7 ，当内部读

编程周期完成。图4示出了数据的轮询周期的时序图和图11示出的流程图中

进行此操作。

翻转位（ DQ6 ）

0和1的数据值被输出交替地为DQ6 ，即DQ6拨动0和1之间，在内部

编程周期。当内部编程周期完成这种切换停止，该设备成为

准备执行下一个操作。图5示出了触发位时序图和图11示出了流程图

此操作。

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LE28C1001M ，T -90/ 12月15日

数据保护

硬件数据保护

噪音和干扰保护： LE28C1001M ， T系列没有为WE或OE脉冲， 15执行写入操作

纳秒或更短。

电源（V

）上，并切断检测：在编程操作被禁止时， V

为2.5V或更低。

写保护模式：写作是禁用的，当OE是低，要么CE为高电平或WE高。使用此功能，防止

从当电源被接通或关断发生的写操作。

软件数据保护

该LE28C1001M ， T系列实现由JEDEC认可的可选软件的数据保护功能。这

函数需要一个写操作的数据负载之前必须执行一个3字节的加载操作。 3字节装入序列

启动页面加载循环而不激活任何写操作。因此，这是意外的最佳保护方案

写通过用打开或关闭所述芯片供电相关的噪声触发的周期。需要注意的是LE28C1001M ，T系列

出厂时已禁用该软件的数据保护功能。

该软件数据保护电路是通过执行一个3字节的字节装入周期中提前的数据序列的激活

页面加载周期。（参见图6 ），这将导致设备自动输入数据保护模式。在此之后，写

操作需要3个字节的字节装载周期提前执行。一个6字节写操作需要切换

设备出了这种保护模式。图7示出了时序图。如果一个写操作试图在软件

保护模式下，所有的设备功能是200微秒禁用。图12示出了此操作的流程图。

芯片擦除

该LE28C1001M ， T系列提供了一个芯片擦除模式将删除所有存储单元阵列，并设置每个位到1

状态。该模式可以是有效的时，有必要迅速地清除所有的数据。

5 V单电压供电的软件芯片擦除

通过执行一个特别定义的6个字节的字节序列负载启动该软件芯片擦除操作模式，类似于

在软件保护页模式操作。执行负载周期后，设备进入内部

编程周期类似于写周期。图8示出的时序图和图14示出的流程图中

此操作。

产品标识

该装置识别码，用于识别该设备，其制造商。此模式可用于通过

硬件和软件。硬件操作模式用于识别匹配设备，当一个算法

外部编程设备被使用。此外，用户系统可以通过软件产品识别产品编号

识别模式。图13示出了此操作的流程图。的制造商，设备码相同

在这两种模式。

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