LP2998
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SNVS521I - 2007年12月 - 修订2013年4月
LP2998 DDR -I和DDR- II终止稳压器
检查样品：
LP2998
1
特点
源和吸收电流
低输出电压偏移
无需外部电阻器
线性拓扑
挂起到内存（ STR ）功能
低外部元件数量
热关断
采用SOIC - 8 ， SO将PowerPAD -8封装
描述
该LP2998线性稳压器的设计满足
JEDEC SSTL - 2和JEDEC SSTL- 18规格
终止DDR1 -SDRAM和DDR -II的
内存。该器件包含一个高速
运算放大器，以提供出色的响应
负载瞬变。输出级可以防止拍摄
通过同时提供1.5A连续电流为
需要在DDR1 - SDRAM的终止，和0.5A
按要求DDR- II终止连续电流。
该LP2998还采用了V
SENSE
引脚提供
出色的负载调节和V
REF
作为一个输出
参考芯片组和DIMM 。
在LP2998发现一个附加特征是一个
低电平有效关断（ SD ）引脚，提供了暂停
到内存（STR ）的功能。当SD被拉低，
在V
TT
输出三态提供了高
阻抗输出，而V
REF
保持活动状态。一
省电的优点都可以在此得到
通过低静态电流模式。
2
应用
DDR -I ， DDR- II和DDR - III终止电压
SSTL- 18终止
SSTL -2， SSTL- 3终止
HSTL终止
典型应用电路
LP2998
SD
AV
IN
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
SD
AV
IN
V
DDQ
PV
IN
C
IN
+
GND
V
SENSE
V
TT
+
C
OUT
V
TT
= 0.9V
V
REF
+
C
REF
V
REF
= 0.9V
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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连接图
顶视图
GND
SD
VSENSE
VREF
1
2
8
7
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
GND
3
4
6
5
图1. SO PowerPAD的- 8封装
见包装数DDA0008A
顶视图
GND
SD
VSENSE
VREF
1
2
3
4
8
7
6
5
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
图2中。
SOIC -8封装
见包装数D0008A
引脚说明
SOIC - 8引脚SO或使用PowerPad - 8引脚
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
GND
SD
VSENSE
VREF
VDDQ
AVIN
PVIN
VTT
EP
地面上。
关机。
反馈引脚用于调节V
TT
.
V的缓冲内部参考电压
DDQ
/2.
输入内部基准等于V
DDQ
/2.
模拟输入引脚。
电源输入引脚。
输出电压，用于连接终端电阻。
裸露焊盘热连接。连接到接地端（ SO PowerPAD的- 8只） 。
功能
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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(1) (2)
绝对最大额定值
AVIN至GND
PVIN至GND
VDDQ
(3)
0.3V
为+ 6V
-0.3V至AVIN
0.3V
为+ 6V
65°C
至+ 150°C
150°C
260°C
151°C/W
43°C/W
1kV
储存温度。范围
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
SOIC - 8热阻（ θ
JA
)
使用PowerPad SO -8热阻（ θ
JA
)
最低ESD额定值
(1)
(4)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该条件
该装置旨在是功能性的，但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试条件
见电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
VDDQ电压必须小于2× （ AVIN - 1）或6V，较小的一个。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
工作范围
结温。范围
AVIN至GND
(1)
(1)
-40°C至+ 125°C
2.2V至5.5V
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SOIC -8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151.2 ° C / W结到环境没有散热片。
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
(1)
。除非另有说明，VIN = AVIN = PVIN = 2.5V 。
参数
V
REF
电压（ DDR I ）
测试条件
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
V
REF
电压（ DDR II ）
V
REF
V
REF
电压（ DDR III ）
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
PVIN = VDDQ = 1.35V
PVIN = VDDQ = 1.5V
PVIN = VDDQ = 1.6V
Z
VREF
V
REF
输出阻抗
I
REF
= -30至30微安
民
1.135
1.235
1.335
0.837
0.887
0.936
0.669
0.743
0.793
典型值
1.158
1.258
1.358
0.860
0.910
0.959
0.684
0.758
0.808
2.5
最大
1.185
1.285
1.385
0.887
0.937
0.986
0.699
0.773
0.823
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
(1)
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定
统计质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
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电气特性（续）
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
(1)
。除非另有说明，VIN = AVIN = PVIN = 2.5V 。
参数
测试条件
I
OUT
= 0A
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
V
TT
输出电压（ DDR I ）
(2)
民
1.120
1.210
1.320
1.125
1.225
1.325
0.822
0.874
0.923
0.820
0.870
0.920
0.656
0.731
0.781
0.667
0.641
0.740
0.731
0.790
0.781
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
典型值
1.159
1.259
1.359
1.159
1.259
1.359
0.856
0.908
0.957
0.856
0.908
0.957
0.677
0.752
0.802
0.688
0.673
0.763
0.752
0.813
0.802
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
320
100
115
最大
1.190
1.290
1.390
1.190
1.290
1.390
0.887
0.939
0.988
0.890
0.940
0.990
0.698
0.773
0.823
0.710
0.694
0.786
0.773
0.836
0.823
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
500
150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
k
A
VIN = VDDQ = 2.7V
I
OUT
= +/- 1.5A
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
I
OUT
= 0A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
OUT
= +/- 0.5A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
OUT
= 0A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.35V
PVIN = VDDQ = 1.5V
PVIN = VDDQ = 1.6V
I
OUT
= + 0.2A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.35V
V
TT
输出电压（ DDR II ）
(2)
V
TT
V
TT
输出电压（ DDR III ）
(2)
I
OUT
= -0.2A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.35V
I
OUT
= + 0.4A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.5V
I
OUT
= -0.4A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.5V
I
OUT
= + 0.5A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.6V
I
OUT
= -0.5A ， AVIN = 2.5V
PVIN = VDDQ = 1.6V
V
TT
输出电压偏移量（V
REF
– V
TT
）的DDR I
(3)
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.5A
I
OUT
= +1.5A
V
TT
输出电压偏移量（V
REF
– V
TT
）的DDR II
VOS
VTT
V
TT
输出电压偏移量（V
REF
– V
TT
）的DDR III
(3)
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -0.5A
I
OUT
= +0.5A
(3)
I
OUT
= 0A
I
OUT
= ±0.2A
I
OUT
= ±0.4A
I
OUT
= ±0.5A
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
(2)
(3)
(4)
4
静态电流
(4)
I
OUT
= 0A
(4)
VDDQ输入阻抗
在关断静态电流
SD = 0V
V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
.
V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
.
静态电流定义为电流流进AVIN 。
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电气特性（续）
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
(1)
。除非另有说明，VIN = AVIN = PVIN = 2.5V 。
参数
I
Q_SD
V
IH
V
IL
Iv
I
SENSE
T
SD
关断电流
最小关断高层
最大关机低电平
V
TT
在关断漏电流
V
SENSE
输入电流
热关断
(5)
测试条件
SD = 0V
民
1.9
典型值
2
最大
5
0.8
单位
A
V
V
A
nA
°C
°C
SD = 0V
V
TT
= 1.25V
1
13
165
10
10
T
SD_HYS
热关断迟滞
(5)
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J（下最大）
，结到环境的热
性，
θ
JA
和环境温度，T
A
。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度调节器将进入热关断。
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