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LM158QML
LM158QML低功耗双运算放大器
文献编号: SNOSAP3E
LM158QML低功耗双运算放大器
2009年1月13日
LM158QML
低功耗双运算放大器
概述
该LM158系列由两个独立的,高增益,在 -
ternally频率补偿的运算放大器,其中
被专门设计用于从单个电源操作
供应在很宽的电压范围。从分割操作
电源也是可能的并且在低电源
漏电流是独立的功率的大小的
电源电压。
应用领域包括传感器放大器, DC增益
块和所有的传统运算放大器电路现在可以
可在单电源系统更容易实现。
例如, LM158系列可直接操作关闭
这是用在标准的+ 5V的电源电压的
数字系统,并会容易地提供所需的界面
无需额外的± 15V电源支持电子
层数。
优势
两个内部补偿运算放大器
不再需要双电源供电
可以直接感知附近GND和V
O
此亦GND
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
特点
可用辐射担保
100拉德(SI )
高剂量率
100拉德(SI )
ELDRS免费
对内部单位增益频率补偿
大的直流电压增益:百分贝
宽的带宽(单位增益) : 1兆赫
(温度补偿)
宽电源电压范围:
单电源: 3V至32V
电源或双电源: ± 1.5V至± 16V
极低的电源电流消耗( 500
μA)
- 本质
与电源电压无关
低输入失调电压: 2 mV的
输入共模电压范围包括地面
差分输入电压范围等于电源
电压
大输出电压摆幅: 0V至V
+
1.5V
独特性
在所述线性模式下的输入共模电压范围
包括地面和输出电压也可以摆动到
地,即使只从单个电源操作
电源电压。
单位增益交叉频率温度
补偿。
输入偏置电流也被温度补偿。
订购信息
NS型号
LM158H/883
LM158J/883
LM158H-SMD
LM158AH/883
LM158AJ/883
LM158AWG/883
LM158AHRQMLV
高剂量率ONLY
(注11 )
LM158AJ-QMLV
LM158AJRQMLV
高剂量率ONLY
(注11 )
LM158AWGRQMLV
高剂量率ONLY
(注11 )
LM158A MDR
高剂量率只能等死
(注1 , 11 )
LM158AHRLQMLV
ELDRS仅限免费
(注12 )
LM158AJRLQMLV
ELDRS仅限免费
(注12 )
2009美国国家半导体公司
201502
SMD零件编号
5962–8771001PA
5962–8771001GA
5962–8771002GA
5962–8771002PA
5962–8771002QXA
5962R8771002VGA
100拉德(SI )
5962–8771002VPA
5962R8771002VPA
100拉德(SI )
5962R8771002VXA
100拉德(SI )
5962R8771002V9A
100拉德(SI )
5962R8771003VGA
100拉德(SI )
5962R8771003VPA
100拉德(SI )
NS包装数
H08C
J08A
H08C
H08C
J08A
WG10A
H08C
J08A
J08A
WG10A
包装说明
8引脚T0-99金属罐
8引脚DIP陶瓷
8引脚T0-99金属罐
8引脚T0-99金属罐
8引脚DIP陶瓷
10LD陶瓷SOIC
8引脚T0-99金属罐
8引脚DIP陶瓷
8引脚DIP陶瓷
10LD陶瓷SOIC
H08C
J08A
8引脚T0-99金属罐
8引脚DIP陶瓷
www.national.com
LM158QML
NS型号
LM158AWGRLQMLV
ELDRS仅限免费
(注12 )
LM158A MDE
ELDRS免费的只能等死
(注1 , 12 )
SMD零件编号
5962R8771003VXA
100拉德(SI )
5962R8771003V9A
100拉德(SI )
NS包装数
WG10A
包装说明
10LD陶瓷SOIC
注1 :欲了解更多DIE信息,请访问喜REL网站: www.national.com/analog/space/level_die
连接图
金属罐包装
20150201
顶视图
见NS包装数H08C
DIP封装
10LD陶瓷SOIC
20150202
20150204
顶视图
见NS包装数WG10A
顶视图
见NS包装数J08A
www.national.com
2
LM158QML
原理图
(每扩增fi er )
20150203
3
www.national.com
LM158QML
绝对最大额定值
(注2 )
电源电压,V
+
差分输入电压
输入电压
功率耗散(注3 )
输出短路到GND (注4 )
(一放大器)
V
+
15V
DC
和T
A
= 25°C
最高结温(T
JMAX
)
输入电流(V
I
< -0.3V ) (注5 )
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接, 10秒)
金属罐
陶瓷DIP
陶瓷SOIC
热阻
θ
JA
金属罐(静止空气中)
金属罐( 500LF /最小空气流量)
陶瓷DIP (静止空气中)
陶瓷DIP ( 500LF /最小空气流量)
陶瓷SOIC (静止空气中)
陶瓷SOIC ( 500LF /最小空气流量)
θ
JC
金属罐
陶瓷DIP
陶瓷SOIC
包装重量
金属罐
陶瓷DIP
陶瓷SOIC
ESD容差(注8)
32V
DC
32V
DC
0.3V
DC
至+ 32V
DC
830毫瓦
连续
150°C
50毫安
55°C
T
A
+125°C
65°C
T
A
+150°C
300°C
260°C
260°C
155°C/W
80°C/W
132°C/W
81°C/W
195°C/W
131°C/W
42°C/W
23°C/W
33°C/W
1,000mg
1,100mg
220mg
250V
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
www.national.com
4
LM158QML
www.ti.com
SNOSAP3F - 2005年7月 - 修订2013年3月
LM158QML低功耗双运算放大器
检查样品:
LM158QML
1
特点
可用辐射规范
- 高剂量率100拉德(SI )
- ELDRS免费100拉德(SI )
内部频率补偿的统一
收益
大的直流电压增益:百分贝
宽带(单位增益) : 1 MH
Z(温度补偿)
宽电源电压范围:
- 单电源: 3V至32V
- 电源或双电源: ± 1.5V至± 16V
极低的电源电流消耗( 500
μA)
从本质上讲与电源电压无关
低输入失调电压: 2 mV的
输入共模电压范围包括
差分输入电压范围等于
电源电压
大输出电压摆幅: 0V至V
+
1.5V
优势
两个内部补偿运算放大器
不再需要双电源供电
可以直接感知附近GND和V
O
进入GND
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
2
描述
该LM158系列由两个独立的,高
增益,内部频率补偿运算
它是专门设计来操作放大器
从在宽范围的单电源
电压。从分裂电源的操作也
可能和低电源电流消耗是
独立的电源的大小的
电压。
应用领域包括传感器放大器, DC
增益模块和所有传统的运算放大器电路
现在可在单一的可更容易地实现
电源系统。例如, LM158
系列可以直接操作过的标准
这是用来在数字+ 5V的电源电压
系统,并会容易地提供所需的界面
而不需要额外的±15V的电子
电源供应器。
独特性
在平板模式的输入共模
电压范围包括地和输出
电压也可以摇摆到地面,即使
从只有单电源操作
电压。
单位增益交叉频率温度
补偿。
输入偏置电流也是温度
补偿。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2005-2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM158QML
SNOSAP3F - 2005年7月 - 修订2013年3月
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连接图
图1. TO- 99封装
见包装数LMC0008C
顶视图
顶视图
OUT A
-IN一
+ IN A
GND
N / C
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
N / C
图2. CDIP套餐
见包装数NAB0008A
图3. 10引脚封装CLGA
见包装数NAC0010A
原理图
(每扩增fi er )
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
2
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绝对最大额定值
(1)
电源电压,V
+
差分输入电压
输入电压
功耗
(2)
输出短路到GND
(一放大器)
V
+
15V
DC
和T
A
= 25°C
输入电流(V
I
& LT ;
0.3V)
(4)
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接, 10
秒)
TO-99
CDIP
CLGA
阻力
θ
JA
TO- 99 (静止空气中)
TO- 99 ( 500LF /最小空气流量)
CDIP (静止空气中)
CDIP ( 500LF /最小空气流量)
CLGA (静止空气中)
CLGA ( 500LF /最小空气流量)
θ
JC
TO-99
CDIP
CLGA
包装重量
TO-99
CDIP
CLGA
ESD容差
(1)
(5)
(3)
32V
DC
32V
DC
0.3V
DC
至+ 32V
DC
830毫瓦
连续
最高结温(T
JMAX
)
150°C
50毫安
55°C ≤
T
A
+125°C
65°C ≤
T
A
+150°C
300°C
260°C
260°C
155°C/W
80°C/W
132°C/W
81°C/W
195°C/W
131°C/W
42°C/W
23°C/W
33°C/W
1,000mg
1,100mg
220mg
250V
(2)
(3)
(4)
(5)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。为保证规范和测试条件,请参阅
电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(包结到环境的热阻)和T
A
(环境温度) 。在任何的最大允许功耗
温度为P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字,以较低者为准。
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地,
最大输出电流为V的量值的约40毫安独立
+
。在电源电压超过+ 15V值
连续短路可能超过功耗额定值,导致最终销毁。破坏性的功耗可能会导致
从所有放大器同时短裤。
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于集电极 - 基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置,从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作,有
在IC芯片上也侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压,以去
在V
+
电压电平(或对地大的过驱动),用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的,并
正常输出状态将重新建立时的输入电压,为负时,再次返回到一个值大于
0.3V
(在25℃ ) 。
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
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质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
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LM158电气特性
参数
I
CC
电源电流
SMD 5962-8771001 DC参数
所有电压参考器件接地。
笔记
最大
1.2
3.0
4.0
26
27
20
20
20
12
10
5.0
-20
-10
-60
-5.0
-7.0
-5.0
-7.0
-5.0
-7.0
70
SEE
(1)
SEE
(1)
以下条件适用,除非另有规定。
测试条件
+V
CC
= 5V ,R
L
= 100K,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V ,R
L
= 100K,
V
O
= 1.4V
单位
mA
mA
mA
V
V
mV
mV
mV
A
mA
mA
mA
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
dB
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1, 2, 3
4
5, 6
V
OH
V
OL
输出电压高
输出电压低
+V
CC
= 30V ,R
L
= 2K
+V
CC
= 30V ,R
L
= 10K
+V
CC
= 30V ,R
L
= 10K
+V
CC
= 30V ,我
SINK
= 1A
+V
CC
= 5V ,R
L
= 10K
I
SINK
输出灌电流
+V
CC
= 15V, V
O
= 200mV的,
+V
I
= 0V, -V
I
= + 65mV
+V
CC
= 15V, V
O
= 2V,
+V
I
= 0V, -V
I
= + 65mV
I
来源
I
OS
V
IO
输出源电流
短路电流
输入失调电压
+V
CC
= 15V, V
O
= 2V,
+V
I
= 0V, -V
I
= -65mV
+V
CC
= 5V, V
O
= 0V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28.5V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
5.0
7.0
5.0
7.0
5.0
7.0
CMRR
±I
IB
I
IO
PSRR
V
CM
V
差异
A
VS
共模抑制比
输入偏置电流
输入失调电流
电源抑制比
共模电压范围
差分输入电压
大信号增益
+V
CC
= 30V ,R
S
= 50
V
I
= 0V至28.5V ,
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
+V
CC
= 5V至30V ,
V
CM
= 0V
+V
CC
= 30V
SEE
(2)
,
见,
+V
CC
= 15V ,R
L
= 2K,
V
O
= 1V至11V
(3)
(2) (3)
-150
-300
-30
-100
65
-1.0
-1.0
30
100
nA
nA
nA
nA
dB
28.5
28.0
32
50
25
V
V
V
V / MV
V / MV
SEE
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的,独立的
输出的状态,存在于输入线没有负载的变化。
任一输入信号电压的输入共模电压不应该被允许去负超过0.3V (在25℃ ) 。该
的共模电压范围的上端为V
+
1.5V
(在25℃ ),但其中一个或两个输入都可以去到+ 32V而不损坏,
独立Ⅴ的大小的
+
.
通过输入失调电压规定。
指定的参数没有进行测试。
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LM158QML低功耗双运算放大器
检查样品:
LM158QML
1
特点
可用辐射规范
- 高剂量率100拉德(SI )
- ELDRS免费100拉德(SI )
内部频率补偿的统一
收益
大的直流电压增益:百分贝
宽带(单位增益) : 1 MH
Z(温度补偿)
宽电源电压范围:
- 单电源: 3V至32V
- 电源或双电源: ± 1.5V至± 16V
极低的电源电流消耗( 500
μA)
从本质上讲与电源电压无关
低输入失调电压: 2 mV的
输入共模电压范围包括
差分输入电压范围等于
电源电压
大输出电压摆幅: 0V至V
+
1.5V
优势
两个内部补偿运算放大器
不再需要双电源供电
可以直接感知附近GND和V
O
进入GND
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
2
描述
该LM158系列由两个独立的,高
增益,内部频率补偿运算
它是专门设计来操作放大器
从在宽范围的单电源
电压。从分裂电源的操作也
可能和低电源电流消耗是
独立的电源的大小的
电压。
应用领域包括传感器放大器, DC
增益模块和所有传统的运算放大器电路
现在可在单一的可更容易地实现
电源系统。例如, LM158
系列可以直接操作过的标准
这是用来在数字+ 5V的电源电压
系统,并会容易地提供所需的界面
而不需要额外的±15V的电子
电源供应器。
独特性
在平板模式的输入共模
电压范围包括地和输出
电压也可以摇摆到地面,即使
从只有单电源操作
电压。
单位增益交叉频率温度
补偿。
输入偏置电流也是温度
补偿。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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连接图
图1. TO- 99封装
见包装数LMC0008C
顶视图
顶视图
OUT A
-IN一
+ IN A
GND
N / C
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
N / C
图2. CDIP套餐
见包装数NAB0008A
图3. 10引脚封装CLGA
见包装数NAC0010A
原理图
(每扩增fi er )
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
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绝对最大额定值
(1)
电源电压,V
+
差分输入电压
输入电压
功耗
(2)
输出短路到GND
(一放大器)
V
+
15V
DC
和T
A
= 25°C
输入电流(V
I
& LT ;
0.3V)
(4)
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接, 10
秒)
TO-99
CDIP
CLGA
阻力
θ
JA
TO- 99 (静止空气中)
TO- 99 ( 500LF /最小空气流量)
CDIP (静止空气中)
CDIP ( 500LF /最小空气流量)
CLGA (静止空气中)
CLGA ( 500LF /最小空气流量)
θ
JC
TO-99
CDIP
CLGA
包装重量
TO-99
CDIP
CLGA
ESD容差
(1)
(5)
(3)
32V
DC
32V
DC
0.3V
DC
至+ 32V
DC
830毫瓦
连续
最高结温(T
JMAX
)
150°C
50毫安
55°C ≤
T
A
+125°C
65°C ≤
T
A
+150°C
300°C
260°C
260°C
155°C/W
80°C/W
132°C/W
81°C/W
195°C/W
131°C/W
42°C/W
23°C/W
33°C/W
1,000mg
1,100mg
220mg
250V
(2)
(3)
(4)
(5)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。为保证规范和测试条件,请参阅
电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(包结到环境的热阻)和T
A
(环境温度) 。在任何的最大允许功耗
温度为P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字,以较低者为准。
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地,
最大输出电流为V的量值的约40毫安独立
+
。在电源电压超过+ 15V值
连续短路可能超过功耗额定值,导致最终销毁。破坏性的功耗可能会导致
从所有放大器同时短裤。
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于集电极 - 基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置,从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作,有
在IC芯片上也侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压,以去
在V
+
电压电平(或对地大的过驱动),用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的,并
正常输出状态将重新建立时的输入电压,为负时,再次返回到一个值大于
0.3V
(在25℃ ) 。
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
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LM158QML
3
LM158QML
SNOSAP3F - 2005年7月 - 修订2013年3月
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质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
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LM158QML
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SNOSAP3F - 2005年7月 - 修订2013年3月
LM158电气特性
参数
I
CC
电源电流
SMD 5962-8771001 DC参数
所有电压参考器件接地。
笔记
最大
1.2
3.0
4.0
26
27
20
20
20
12
10
5.0
-20
-10
-60
-5.0
-7.0
-5.0
-7.0
-5.0
-7.0
70
SEE
(1)
SEE
(1)
以下条件适用,除非另有规定。
测试条件
+V
CC
= 5V ,R
L
= 100K,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V ,R
L
= 100K,
V
O
= 1.4V
单位
mA
mA
mA
V
V
mV
mV
mV
A
mA
mA
mA
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
dB
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1
2, 3
1
1
2, 3
1, 2, 3
4
5, 6
V
OH
V
OL
输出电压高
输出电压低
+V
CC
= 30V ,R
L
= 2K
+V
CC
= 30V ,R
L
= 10K
+V
CC
= 30V ,R
L
= 10K
+V
CC
= 30V ,我
SINK
= 1A
+V
CC
= 5V ,R
L
= 10K
I
SINK
输出灌电流
+V
CC
= 15V, V
O
= 200mV的,
+V
I
= 0V, -V
I
= + 65mV
+V
CC
= 15V, V
O
= 2V,
+V
I
= 0V, -V
I
= + 65mV
I
来源
I
OS
V
IO
输出源电流
短路电流
输入失调电压
+V
CC
= 15V, V
O
= 2V,
+V
I
= 0V, -V
I
= -65mV
+V
CC
= 5V, V
O
= 0V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28.5V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
5.0
7.0
5.0
7.0
5.0
7.0
CMRR
±I
IB
I
IO
PSRR
V
CM
V
差异
A
VS
共模抑制比
输入偏置电流
输入失调电流
电源抑制比
共模电压范围
差分输入电压
大信号增益
+V
CC
= 30V ,R
S
= 50
V
I
= 0V至28.5V ,
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
+V
CC
= 5V至30V ,
V
CM
= 0V
+V
CC
= 30V
SEE
(2)
,
见,
+V
CC
= 15V ,R
L
= 2K,
V
O
= 1V至11V
(3)
(2) (3)
-150
-300
-30
-100
65
-1.0
-1.0
30
100
nA
nA
nA
nA
dB
28.5
28.0
32
50
25
V
V
V
V / MV
V / MV
SEE
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的,独立的
输出的状态,存在于输入线没有负载的变化。
任一输入信号电压的输入共模电压不应该被允许去负超过0.3V (在25℃ ) 。该
的共模电压范围的上端为V
+
1.5V
(在25℃ ),但其中一个或两个输入都可以去到+ 32V而不损坏,
独立Ⅴ的大小的
+
.
通过输入失调电压规定。
指定的参数没有进行测试。
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