添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第631页 > LMV832MME
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路3.3 MHz的低功耗CMOS ， EMI硬化
运算放大器
2008年10月6日
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路
3.3 MHz的低功耗CMOS ， EMI强化运行
放大器器
概述
美国国家半导体的LMV831 ， LMV832 ， LMV834和是CMOS输入，
低功耗运算放大器集成电路，提供低输入偏置电流，
-40 ° C至125°C和出色的宽温度范围内
性能使得它们强大的通用零件。 AD-
ditionally的LMV831 / LMV832 / LMV834是EMI硬化
所以他们是理想的EMI ，以尽量减少任何干扰敏感
略去应用。
单位增益稳定的LMV831 / LMV832 / LMV834功能
带宽，而功耗仅为0.24毫安电流3.3兆赫
租金每通道。这些器件还保持稳定的钙
pacitive载荷大到200 pF的。该LMV831 / LMV832 /
LMV834提供条件优越的性能和经济性
电源和空间使用情况。
这个家族的部分具有的最大输入偏置电压
1 mV时，轨到轨输出级和输入共模
电压范围内，其包括接地。以上的动作范围
2.7V至5.5V的LMV831 / LMV832 / LMV834提供
PSRR为93分贝， 91分贝的CMRR。该LMV831提供
在节省空间的5引脚SC70封装，在该LMV832
8引脚MSOP和LMV834提供的14引脚TSSOP
封装。
特点
除非另有说明，在T典型值
A
= 25°C,
V
+
= 3.3V
2.7V至5.5V
■
电源电压
240 A
■
电源电流（每通道）
1 mV的最大
■
输入失调电压
0.1帕
■
输入偏置电流
GBW
3.3兆赫
■
120分贝
■
EMIRR在1.8GHz
12内华达州/
√
Hz
■
在1 kHz输入噪声电压
2 V / μs的
■
压摆率
轨到轨
■
输出电压摆幅
30毫安
■
输出电流驱动
工作环境温度范围-40 ° C至125°C
■
应用
■
■
■
■
■
光电二极管前置放大器
压电式传感器
便携式/电池供电的电子设备
过滤器/缓冲器
掌上电脑/手机配件
典型用途
EMI硬化传感器中的应用
30024101
2008美国国家半导体公司
300241
www.national.com
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
充电设备型号
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
2千伏
1千伏
200V
电源电压
6V
+
+0.4V,
V
V
0.4V
（注4 ）
存储温度范围
结温（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
-65_C到150_C
150°C
260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
（注1 ）
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
302°C/W
217°C/W
135°C/W
封装热阻（ θ
JA
（注3） ）
5引脚SC -70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
3.3V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
参数
输入失调电压
（注9 ）
输入失调电压温度漂移
（注9 ，10）
输入偏置电流
（注10 ）
输入失调电流
共模抑制比
（注9 ）
电源抑制比
（注9 ）
EMI抑制比，IN +和IN
（注8）
除非另有说明，所有参数都保证在T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±0.25
LMV831,
LMV832
LMV834
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
±0.5
±0.5
0.1
1
0.2V
≤
V
CM
≤
V
+
- 1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 2400 MHz的
CMVR
A
VOL
输入共模电压范围CMRR
≥
65分贝
大信号电压增益
（注11 ）
LMV831,
R
L
= 2 k,
V
OUT
= 0.15V到1.65V ， LMV832
V
OUT
= 3.15V到1.65V LMV834
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至1.65V ，
V
OUT
= 3.2V至1.65V
LMV831,
LMV832
LMV834
0.1
102
102
102
102
104
104
104
103
121
121
126
123
dB
76
75
76
75
91
93
80
90
110
120
2.1
V
dB
最大
（注6 ）
±1.00
±1.23
±1.5
μV/°C
±1.7
10
500
pA
pA
dB
dB
单位
mV
www.national.com
2
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路
符号
V
OUT
参数
输出电压摆幅高
条件
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
29
31
6
7
25
5
最大
（注6 ）
36
43
38
44
8
9
9
10
34
43
8
10
单位
从毫伏
无论是铁路
输出电压摆幅低
R = 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
OUT
输出短路电流
采购，V
OUT
= V
CM
， LMV831 ，
LMV832
V
IN
= 100 mV的
LMV834
下沉，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= -100 mV的
27
22
24
19
27
21
28
28
32
0.24
0.46
0.90
2
3.3
65
12
10
0.005
500
15
20
0.27
0.30
0.51
0.58
1.00
1.16
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
PA /
pF
%
mA
mA
I
S
电源电流
LMV831
LMV832
LMV834
SR
GBW
Φ
m
e
n
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
压摆率（注7 ）
增益带宽积
相位裕度
A
V
= +1, V
OUT
= 1 V
PP
,
10 ％至90％
输入参考电压噪声密度F = 1千赫
F = 10千赫
输入参考电流噪声密度F = 1千赫
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
F = 1千赫，A
V
= 1 ，BW
≥
500千赫
（注4 ）
F = 2 MHz的
0.02
5V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
参数
输入失调电压
（注9 ）
输入失调电压温度漂移
（注9 ，10）
输入偏置电流
（注10 ）
输入失调电流
共模抑制比
（注9 ）
除非另有说明，所有参数都保证在T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±0.25
LMV831,
LMV832
LMV834
I
B
I
OS
CMRR
±0.5
±0.5
0.1
1
0V
≤
V
CM
≤
V
+
1.2V
77
77
93
最大
（注6 ）
±1.00
±1.23
±1.5
μV/°C
±1.7
10
500
pA
pA
dB
单位
mV
3
www.national.com
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路
符号
PSRR
EMIRR
参数
电源抑制比
（注9 ）
EMI抑制比，IN +和IN
（注8）
条件
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 2400 MHz的
民
（注6 ）
76
75
典型值
（注5 ）
93
80
90
110
120
最大
（注6 ）
单位
dB
dB
CMVR
A
VOL
输入共模电压范围CMRR
≥
65分贝
大信号电压增益
（注11 ）
R
L
= 2 k,
V
OUT
= 0.15V至2.5V ，
V
OUT
= 4.85V到2.5V
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至2.5V ，
V
OUT
= 4.9V至2.5V
LMV831,
LMV832
LMV834
LMV831,
LMV832
LMV834
LMV831,
LMV832
LMV834
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
输出电压摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
–0.1
107
106
104
104
107
107
105
104
127
127
130
127
32
35
6
7
27
6
LMV831,
LMV832
LMV834
59
49
57
45
50
41
53
41
66
63
64
63
0.25
0.47
0.92
2
3.3
65
3.8
V
dB
V
OUT
输出电压摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
42
49
45
52
9
10
10
11
43
52
10
12
从毫伏
无论是铁路
I
OUT
输出短路电流
采购V
OUT
= V
CM
V
IN
= 100 mV的
下沉V
OUT
= V
CM
V
IN
= -100 mV的
LMV831,
LMV832
LMV834
mA
I
S
电源电流
LMV831
LMV832
LMV834
0.27
0.31
0.52
0.60
1.02
1.18
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
mA
SR
GBW
Φ
m
e
n
压摆率（注7 ）
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
A
V
= +1, V
OUT
= 2V
PP
,
10 ％至90％
F = 1千赫
F = 10千赫
12
10
www.national.com
4
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路
符号
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
参数
输入参考噪声电流
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
F = 1千赫
F = 2 MHz的
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
0.005
500
14
20
最大
（注6 ）
单位
PA /
pF
%
F = 1千赫，A
V
= 1 ，BW
≥
500千赫
0.02
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC ）的现场
感应电荷，设备型号，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备，例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热，其中的条件下，
T
J
＆ GT ;吨
A
.
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注6 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注7 ：
指定的数字的正负转换速率越慢。
注8 ：
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log （V
RF_PEAK
/ΔV
OS
).
注9 ：
典型的值是通过将绝对值变换到分配，然后取所得到的分布的统计平均值来计算。
注10 ：
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
注11 ：
在指定的范围表示的测量值的下为每个输出范围的条件。
连接图
5引脚SC -70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
30024102
顶视图
顶视图
30024103
30024104
顶视图
订购信息
包
5引脚SC -70
产品型号
LMV831MG
LMV831MGE
LMV831MGX
LMV832MM
8引脚MSOP
LMV832MME
LMV832MMX
14引脚TSSOP
LMV834MT
LMV834MTX
LMV834MT
AU5A
AFA
包装标志
传输介质
K为单位编带和卷轴
250台磁带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
250台磁带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
MTC14
MUA08A
MAA05A
NSC图纸
5
www.national.com
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
www.ti.com
SNOSAZ6B - 2008年8月 - 修订2013年3月
LMV831单/双LMV832 / LMV834四路3.3 MHz的低功耗CMOS ， EMI硬化
运算放大器
检查样品：
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
1
特点
除非另有说明，在T典型值
A
=
25 ° C，V
+
= 3.3V
电源电压2.7V到5.5V
电源电流（每通道） 240 μA
输入失调电压为1mV最大值
输入偏置电流0.1帕
GBW 3.3兆赫
EMIRR在1.8GHz 120分贝
输入噪声电压在1 kHz 12纳伏/ √Hz的
转换速率2 V / μs的
输出电压摆幅轨至轨
输出电流驱动30毫安
工作环境温度范围
40°C
至125℃
描述
TI公司的LMV831 ， LMV832 ， LMV834和是CMOS输入，
低功耗运算放大器集成电路，提供低输入偏置
的电流，在宽的温度范围
40°C
至125℃
和优异的性能使其健壮
一般
用途
件。
另外，
该
LMV831 / LMV832 / LMV834是EMI硬化
尽量减少任何干扰，所以他们是理想的EMI
敏感的应用。
单位增益稳定的LMV831 / LMV832 / LMV834
拥有带宽为3.3 MHz的同时，只消耗
0.24毫安电流每通道的。这些部件也
保持稳定的容性负载大至200
pF的。该LMV831 / LMV832 / LMV834提供卓越
在电力方面的性能和经济性，并
空间使用情况。
该系列器件具有最大输入失调
为1 mV ，轨到轨输出级和电压
其包括的输入共模电压范围
地面上。在工作范围从2.7V到5.5V
该LMV831 / LMV832 / LMV834提供93 PSRR
分贝和91 dB的共模抑制比。该LMV831是提供在
节省空间的5引脚SC70封装， LMV832
在8引脚VSSOP和LMV834提供在
14引脚TSSOP封装。
2
应用
光电二极管前置放大器
压电式传感器
便携式/电池供电的电子
设备
过滤器/缓冲器
掌上电脑/手机配件
典型用途
R1
V
+
NO RF相关
骚乱
压力
传感器
-
+
-
+
R2
-
ADC
+
EMI淬硬
EMI淬硬
干扰
射频源
图1. EMI硬化传感器中的应用
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2008-2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
SNOSAZ6B - 2008年8月 - 修订2013年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
人体模型
ESD容差
(3)
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
S
= V – V )
电压输入/输出引脚
存储温度范围
结温
焊接信息
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
+
2千伏
1千伏
200V
电源电压
6V
V
+
+0.4V,
V
0.4V
65°C
至150℃
150°C
充电设备型号
机器型号
红外线或对流（ 20秒）
260°C
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
环境，请参阅电气特性表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。的JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。
JEDEC ）感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
工作额定值
(1)
温度范围
(2)
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
5引脚SC70
封装热阻（ θ
JA （2）
)
8针VSSOP
14引脚TSSOP
(1)
(2)
40°C
至125℃
2.7V至5.5V
302°C/W
217°C/W
135°C/W
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
环境，请参阅电气特性表。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
3.3V电气特性
(1)
除非另有说明，所有参数均在T指定
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
参数
输入失调电压
(4)
输入失调电压温度
漂移
(4) (5)
LMV831,
LMV832
LMV834
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
mV
±0.25
±0.5
±0.5
±1.00
±1.23
±1.5
μV/°C
±1.7
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
2
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有说明表示在电气表
内部自热式中T的条件
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
典型的值是通过将绝对值变换到分配，然后取由此而来的统计平均值来计算
分布。
此参数由设计和/或特性指定的，而不是在生产测试。
提交文档反馈
版权所有 2008-2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
LMV831 LMV832 LMV834
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
www.ti.com
SNOSAZ6B - 2008年8月 - 修订2013年3月
3.3V电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数均在T指定
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
参数
输入偏置电流
(5)
输入失调电流
共模抑制比
(4)
电源抑制比
(4)
EMI抑制比，IN +和IN
(6)
0.2V
≤
V
CM
≤
V
+
- 1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 2400 MHz的
CMVR
A
VOL
输入共模电压范围
大信号电压增益
(7)
CMRR
≥
65分贝
R
L
= 2 k,
LMV831,
V
OUT
= 0.15V到1.65V ， LMV832
V
OUT
= 3.15V到1.65V
LMV834
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至1.65V ，
V
OUT
= 3.2V至1.65V
V
OUT
输出电压摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
LMV831,
LMV832
LMV834
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
输出电压摆幅低
R = 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
OUT
输出短路电流
采购，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= 100 mV的
LMV831,
LMV832
LMV834
下沉，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
=
100
mV
I
S
电源电流
LMV831
LMV832
LMV834
SR
压摆率
(8)
A
V
= +1, V
OUT
= 1 V
PP
,
10 ％至90％
27
22
24
19
27
21
0.1
102
102
102
102
104
104
104
103
121
121
126
123
29
31
6
7
25
5
28
28
32
0.24
0.46
0.90
2
0.27
0.30
0.51
0.58
1.00
1.16
V / μs的
mA
mA
36
43
38
44
8
9
9
10
34
43
8
10
从毫伏
无论是铁路
dB
76
75
76
75
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
pA
pA
dB
dB
0.1
1
91
93
80
90
110
120
10
500
dB
2.1
V
(6)
(7)
(8)
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log （V
RF_PEAK
/ΔV
OS
).
在指定的范围表示的测量值的下为每个输出范围的条件。
指定的数字的正负转换速率越慢。
提交文档反馈
3
版权所有 2008-2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
LMV831 LMV832 LMV834
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
SNOSAZ6B - 2008年8月 - 修订2013年3月
www.ti.com
3.3V电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数均在T指定
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
GBW
Φ
m
e
n
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
参数
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声密度
输入参考电流噪声密度
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
F = 1千赫，A
V
= 1 ，BW
≥
500千赫
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
F = 2 MHz的
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
兆赫
度
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
pF
%
3.3
65
12
10
0.005
500
15
20
0.02
5V电气特性
(1)
除非另有说明，所有参数均在T指定
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
参数
输入失调电压
(4)
输入失调电压温度
漂移
(4) (5)
输入偏置电流
(5)
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
mV
±0.25
LMV831,
LMV832
LMV834
±0.5
±0.5
0.1
1
0V
≤
V
CM
≤
V
+
1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
100mV的
P
（ -20分贝
P
),
F = 2400 MHz的
77
77
76
75
93
93
80
90
110
120
–0.1
±1.00
±1.23
±1.5
μV/°C
±1.7
10
500
pA
pA
dB
dB
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
输入失调电流
共模抑制比
(4)
电源抑制比
(4)
EMI抑制比，IN +和IN
(6)
dB
CMVR
输入共模电压范围
CMRR
≥
65分贝
3.8
V
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
4
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有说明表示在电气表
内部自热式中T的条件
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
典型的值是通过将绝对值变换到分配，然后取由此而来的统计平均值来计算
分布。
此参数由设计和/或特性指定的，而不是在生产测试。
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log （V
RF_PEAK
/ΔV
OS
).
提交文档反馈
版权所有 2008-2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
LMV831 LMV832 LMV834
LMV831 ， LMV832 ， LMV834
www.ti.com
SNOSAZ6B - 2008年8月 - 修订2013年3月
5V电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数均在T指定
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
A
VOL
参数
大信号电压增益
(7)
条件
R
L
= 2 k,
V
OUT
= 0.15V至2.5V ，
V
OUT
= 4.85V到2.5V
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至2.5V ，
V
OUT
= 4.9V至2.5V
V
OUT
输出电压摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
LMV831,
LMV832
LMV834
LMV831,
LMV832
LMV834
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
LMV831,
LMV832
LMV834
输出电压摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
OUT
输出短路电流
采购V
OUT
= V
CM
V
IN
= 100 mV的
LMV831,
LMV832
LMV834
下沉V
OUT
= V
CM
V
IN
=
100
mV
LMV831,
LMV832
LMV834
I
S
电源电流
LMV831
LMV832
LMV834
SR
GBW
Φ
m
e
n
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
(7)
(8)
压摆率
(8)
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
输入参考噪声电流
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
F = 1千赫，A
V
= 1 ，BW
≥
500千赫
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
F = 2 MHz的
A
V
= +1, V
OUT
= 2V
PP
,
10 ％至90％
59
49
57
45
50
41
53
41
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
107
106
104
104
107
107
105
104
127
127
130
127
32
35
6
7
27
6
66
63
64
63
0.25
0.47
0.92
2
3.3
65
12
10
0.005
500
14
20
0.02
0.27
0.31
0.52
0.60
1.02
1.18
V / μs的
兆赫
度
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
pF
%
mA
mA
42
49
45
52
9
10
10
11
43
52
10
12
从毫伏
无论是铁路
dB
在指定的范围表示的测量值的下为每个输出范围的条件。
指定的数字的正负转换速率越慢。
版权所有 2008-2013年，德州仪器
提交文档反馈
5
产品文件夹链接：
LMV831 LMV832 LMV834
查看更多LMV832MMEPDF信息
推荐型号
LRC15D
LTE-5238AC
LTE5238AC
LP298IM-1.8
L6230PDTR
LNK563D
LUY11D14V
L7809C-V
L7809CV
LV51135T
LM3674MFX-2.8/NOPB
LM217KC
LTC5509
LSGM3333-PF
LT1620IS8
LM2674M-ADJ/NOPB
LA5779
LD1117D33TR
L7CL185DM35
L7C185IME25
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LMV832MME
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
LMV832MME
TI
24+
6400
MSOP-8
100%原装正品，只做原装正品
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
LMV832MME
NS国半
21+
3134
MSOP8
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市合一方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：960030175 复制

电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
LMV832MME
TI/德州仪器
23+
23000
8TSSOP
全新原装现货 优势库存
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
LMV832MME
TINS
1925+
9852
VSSOP8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
LMV832MME
NS国半
24+
4000
MSOP-8
授权分销 现货热卖
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LMV832MME
TINS
24+
10000
VSSOP8
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LMV832MME
TI
24+
10000
MSOP-8
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
LMV832MME
NS/国半
2443+
23000
VSSOP-8
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
LMV832MME
TI(德州仪器)
24+
30000
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
LMV832MME
TINS
21+22+
12600
VSSOP8
原装正品
查询更多LMV832MME供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！