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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第370页 > LMV651
LMV651 / LMV652 / LMV654 12MHz的低电压，低功耗放大器
2008年10月8日
LMV651/LMV652/LMV654
12兆赫，低电压，低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651 / LMV652 / LMV654是高性能，
以实现低功耗运算放大器IC
美国国家半导体的先进的VIP50工艺。这系列器件的操
Tures的12 MHz带宽，而只消耗116
μA
of
电流，这是一个特殊的带宽功率比在
这款运算放大器类。该LMV651 / LMV652 / LMV654是团结
获得稳定，为一般用途的最佳解决方案
在低电压，低功耗的应用带来放大。
这个系列的低电压，低功耗放大器提供苏
perior性能和经济能力方面和
空间使用情况。这些运算放大器具有最大输入失调
电压为1.5 mV时，轨到轨输出级和输入的COM
共模电压范围包括地面。该LMV651 /
LMV652 / LMV654为95分贝，为100 CMRR一个PSRR
dB和0.003％在1kHz的总谐波失真（THD）
频率和2 kΩ的负载。
在工作电源电压范围为这个家庭的部分是
从2.7V至5.5V 。这些运算放大器可以工作在宽
温度范围（-40 ° C至125°C ），使其非常适用于
汽车应用中，传感器应用和便携
设备的应用程序。该LMV651是提供在超
小巧的5引脚SC70和5引脚SOT- 23封装。该LMV652是
采用8引脚MSOP封装。该LMV654提供
采用14引脚TSSOP封装。
特点
（典型的5V电源，除非另有说明。 ）
■
保证3.0V和5.0V表现
■
低电源电流
—
LMV651
116 μA
—
LMV652
118 μA
每个放大器
LMV654
—
122 μA
每个放大器
高单位增益带宽
12兆赫
■
1.5毫伏
■
最大输入失调电压
百分贝
■
CMRR
95分贝
■
PSRR
17内华达州/
√
Hz
■
输入参考电压噪声
轨120 mV的
■
输出摆幅与2 kΩ的负载
总谐波失真
0.003 ％@ 1 kHz和2千欧
■
-40_C到125_C
■
温度范围
应用
■
■
■
■
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123861
20123806
高增益宽带宽放大器反相
开环增益和相位与频率的关系
2008美国国家半导体公司
201238
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度（ 10
秒）
235°C
260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压
（注1 ）
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
456°C/W
234°C/W
234°C/W
160°C/W
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压（V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温（注3 ）
焊接信息
2000V
100V
±0.3V
6V
+
+0.3V, V
0.3V
V
-65_C到150_C
150°C
封装热阻（ θ
JA
） （注3）
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
2.0 V
3.0
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5
2.7
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
75分贝
87
80
87
81
87
81
0
0
80
76
86
83
85
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
2.1
2.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
60分贝
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
A
V
= +1,
10 ％至90％ （注7）
93
80
45
95
60
17
25
115
118
122
3.0
12
95
120
50
60
110
125
65
75
mA
140
175
从毫伏
轨
μA
V / μs的
兆赫
www.national.com
2
LMV651/LMV652/LMV654
符号
e
n
i
n
THD
参数
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
17
17
0.1
0.15
0.003
最大
（注5 ）
单位
内华达州/
PA /
%
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
4.0 V
3V
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5V
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
80分贝
90
83
87
81
87
81
0
0
79
76
87
84
84
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
4.1
4.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
68分贝
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
94
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
120
75
110
70
18.5
25
116
118
122
3.0
12
140
185
90
120
130
150
80
95
mA
140
175
从毫伏
轨
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
SR
GBW
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 ％至90％ （注7）
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
17
17
0.1
0.15
0.003
3
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC的）
感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下MAX
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注5 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注6 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 ：
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 ：
该部分是不是短路保护功能，不建议操作，低电阻性负载。典型的采购和下沉的输出电流曲线
提供典型性能特性和设计的重物前，应咨询。
连接图
5引脚SC70 / SOT -23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20123802
顶视图
20123803
顶视图
顶视图
20123804
订购信息
包
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
LMV651MF
LMV651MFX
LMV652MM
LMV652MMX
LMV654MT
LMV654MTX
包装标志
A93
AY2A
AB3A
LMV654MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MF05A
MUA08A
MTC14
www.national.com
4
LMV651/LMV652/LMV654
典型性能特性
V
CM
= V
S
/2
电源电流与电源电压（ LMV651 ）
除非另有规定，T
A
= 25 ° C，V
S
= 5V, V
+
= 5V, V
= 0V,
供电电流每通道与电源电压（ LMV652 ）
20123834
20123865
供电电流每通道与电源电压（ LMV654 ）
V
OS
与V
CM
20123864
20123825
V
OS
与V
CM
V
OS
- 电源电压
20123826
20123821
5
www.national.com
LMV651 / LMV652 / LMV654 12MHz的低电压，低功耗放大器
2007年3月
LMV651/LMV652/LMV654
12兆赫，低电压，低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651 / LMV652 / LMV654是高性能，
以实现低功耗运算放大器IC
美国国家半导体的先进的VIP50工艺。这系列器件的操
Tures的12 MHz带宽，而只消耗116
μA
of
电流，这是一个特殊的带宽功率比在
这款运算放大器类。该LMV651 / LMV652 / LMV654是团结
获得稳定，为一般用途的最佳解决方案
在低电压，低功耗的应用带来放大。
这个系列的低电压，低功耗放大器提供苏
perior性能和经济能力方面和
空间使用情况。这些运算放大器具有最大输入失调
电压为1.5 mV时，轨到轨输出级和输入的COM
共模电压范围包括地面。该LMV651 /
LMV652 / LMV654为95分贝，为100 CMRR一个PSRR
dB和0.003％在1kHz的总谐波失真（THD）
频率和2 kΩ的负载。
在工作电源电压范围为这个家庭的部分是
从2.7V至5.5V 。这些运算放大器可以工作在宽
温度范围（-40 ° C至+ 125°C ），使这些运算放大器
非常适用于汽车应用中，传感器应用和
便携式设备的应用程序。该LMV651是提供在
超小巧的5引脚SC70封装，也就是大约一半大小
的5引脚SOT23封装。该LMV652是提供8引脚MSOP
封装。该LMV654是在一个14引脚TSSOP封装。
特点
（典型的5V电源，除非另有说明）
■
保证3.0V和5.0V表现
■
低电源电流
—
LMV651
116 μA
—
LMV652
118 μA
每个放大器
LMV654
—
122 μA
每个放大器
高单位增益带宽
12兆赫
■
1.5毫伏
■
最大输入失调电压
百分贝
■
CMRR
95分贝
■
PSRR
17内华达州/
■
输入参考电压噪声
轨120 mV的
■
输出摆幅与2 kΩ的负载
总谐波失真
0.003 ％@ 1 kHz和2千欧
■
-40_C到125_C
■
温度范围
应用
■
■
■
■
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123861
20123806
高增益宽带宽放大器反相
开环增益和相位与频率的关系
2007美国国家半导体公司
201238
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度（ 10
秒）
235°C
260°C
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压（V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温（注3 ）
2000V
100V
±0.3V
6V
V
+
+0.3V, V
0.3V
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压
（注1 ）
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
456°C/W
160°C/W
封装热阻（ θ
JA
） （注3）
5引脚SC70
14引脚TSSOP
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
2.0 V
3.0
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5
2.7
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
75分贝
87
80
87
81
87
81
0
0
80
76
86
83
85
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
2.1
2.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
60分贝
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
SR
GBW
e
n
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
F = 100千赫
F = 1千赫
www.national.com
2
93
80
45
95
60
17
25
115
118
122
3.0
12
17
17
95
120
50
60
110
125
65
75
mA
140
175
从毫伏
轨
μA
A
V
= +1,
10 ％至90％ （注7）
V / μs的
兆赫
内华达州/
LMV651/LMV652/LMV654
符号
i
n
THD
参数
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
0.15
0.003
最大
（注5 ）
单位
PA /
%
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
4.0 V
3V
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5V
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
80分贝
90
83
87
81
87
81
0
0
79
76
87
84
84
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
4.1
4.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
68分贝
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
94
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
120
75
110
70
18.5
25
116
118
122
3.0
12
140
185
90
120
130
150
80
95
mA
140
175
从毫伏
轨
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
SR
GBW
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 ％至90％ （注7）
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
17
17
0.1
0.15
0.003
3
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LMV651/LMV652/LMV654
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC的）
感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下MAX
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注5 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注6 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 ：
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 ：
该部分是不是短路保护功能，不建议操作，低电阻性负载。典型的采购和下沉的输出电流曲线
提供典型性能特性和设计的重物前，应咨询。
连接图
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20123802
顶视图
20123803
顶视图
20123804
顶视图
订购信息
包
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
LMV652MM
LMV652MMX
LMV654MT
LMV654MTX
包装标志
A93
AB3A
LMV654MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MUA08A
MTC14
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4
LMV651/LMV652/LMV654
典型性能特性
V
CM
= V
S
/2
电源电流与电源电压（ LMV651 ）
除非另有规定，T
A
= 25 ° C，V
S
= 5V, V
+
= 5V, V
= 0V,
供电电流每通道与电源电压（ LMV652 ）
20123834
20123865
供电电流每通道与电源电压（ LMV654 ）
V
OS
与V
CM
20123864
20123825
V
OS
与V
CM
V
OS
- 电源电压
20123826
20123821
5
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LMV651 12MHz的低电压，低功耗放大器
初步
2005年9月
LMV651
12兆赫，低电压，低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651是一款高性能，低功耗运算放大器
IC在美国国家半导体的先进的VIP50工艺实现。该
单位增益稳定LMV651配备12 MHz带宽的
同时仅消耗110 uA的电流，一个特殊的
带宽在这个运算放大器级的功率比，并保持
稳定的容性负载大到500 pF的。
该LMV651提供了卓越的性能和经济性
条款电源和空间使用情况。该LMV651拥有马克西
1 mV的妈妈的输入失调电压，轨至轨输出级
和一个输入共模电压范围，其中包括
地面上。该LMV651为95分贝，一个共模抑制比PSRR一
百分贝和0.003％的总谐波失真（THD）
1 kHz的频率和负载600Ω
该LMV651具有工作电压范围
2.7V至5.5V 。该LMV651可以在很宽温度
TURE范围（ -40°C至+ 125°C ），使得运算放大器非常适合
汽车应用中，传感器应用和便携
设备的应用程序。该LMV651是在超可用
微小SC70-5包，这是在大约一半的尺寸
SOT23-5.
特点
（典型的5V电源，除非另有说明）
n
保证3.0V和5.0V表现
n
高单位增益带宽
12兆赫
n
低电源电流
110 A
n
最大输入失调电压
1毫伏
n
容性负载驱动能力
500 pF的
n
CMRR
百分贝
n
PSRR
95分贝
n
输入参考电压噪声
17nV/
n
输出摆幅与2 kΩ的负载
轨50 mV的
n
总谐波失真
0.003%
@
1千赫， 600Ω
n
温度范围
-40_C到125_C
应用
n
n
n
n
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123806
20123805
开环增益和相位与频率的关系
THD + N与频率的关系
2005美国国家半导体公司
DS201238
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LMV651
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温（注3 ）
2千伏
200V
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度（ 10
秒）
235C
260C
工作额定值
（注1 ）
温度范围
电源电压
封装热阻（ θ
JA
） （注3）
5引脚SC70
456C/W
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
±
0.3V
6V
V
+
+0.3V, V
0.3V
-65 ° C至+ 150°C
+150C
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
V
O
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
大信号电压增益
输出摆幅高
输出摆幅低
I
SC
输出短路电流
0
≤
V
CM
≤
1.5V
3.0
≤
V
+
≤
5V,
V
O
= 1.5V, V
CM
= 0.5
CMRR
≥
50分贝
0.5
≤
V
O
≤
2.5, R
L
= 2 k
0.5
≤
V
O
≤
2.5, R
L
= 10 k
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V / 2
R
L
= 10 kΩ到V / 2
采购到V
+
/2
V
IN
差= 100 mV的（注8）
从V下沉
+
/2
V
IN
差= -100 mV的（注8）
I
S
SR
GBW
e
n
i
n
THD
每个放大器器电源电流
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 600
A
V
= +1,
10 ％至90％ （注7）
14
50
+
+
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
80
2.2
最大
（注5 ）
单位
mV
nA
nA
dB
dB
±
1
（注6 ）
90
85
0
100
95
2
83
93
50
30
50
30
17
53
110
2.8
12
17
17
0.15
0.1
0.003
125
V
dB
从毫伏
轨
mA
A
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
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2
LMV651
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
1 M.
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
V
O
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
比
电源抑制比
输入共模电压
范围
大信号电压增益
输出摆幅高
输出摆幅低
I
SC
输出短路电流
V
CM
步骤从0V到3.5V
V
+
= 3V至5V ，V
O
= 1.5V, V
CM
= 0.5V
CMRR
≥
50分贝
V
O
= 0.5V至4.5V ，R
L
= 2 k
V
O
= 0.5V至4.5V ，R
L
= 10 k
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V / 2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
采购到V / 2
V
IN
差= 100 mV的（注8）
从V下沉
+
/2
V
IN
差= -100 mV的（注8）
I
S
SR
GBW
e
n
i
n
THD
每个放大器器电源电流
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 600
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 ％至90％ （注7）
+
+
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
80
2.2
最大
（注5 ）
单位
mV
nA
nA
dB
dB
±
1
（注6 ）
90
85
0
100
95
4
83
93
50
30
50
30
V
dB
从毫伏
轨
15
50
18.5
52
110
2.8
12
17
17
0.1
0.15
0.003
125
mA
A
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性表。
注2 ：
人体模型： 1.5千欧串联100 pF的。机器型号： 0Ω串联200 pF的
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下MAX
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
典型值是最标准的参数表征的时间。
注5 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制的相关保障
（统计质量控制）方法。
注6 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 ：
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 ：
短路试验是一时的考验。
3
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LMV651
接线图
5引脚SC70 / SOT23
20123802
顶视图
订购信息
包
5引脚SC70
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
包装标志
A93
传输介质
K为单位编带和卷轴
3 K为单位编带和卷轴
NSC图纸
MA005A
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4
LMV651 12MHz的低电压，低功耗放大器
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
5引脚SC70
NS包装数MAA05A
国家不承担使用上述任何电路的任何责任，也不提供其专利许可和国家储备
在任何时候，恕不另行通知修改权利说和规格。
有关最新的产品信息，请访问我们的网站：www.national.com 。
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件
未经明确的书面许可，主席的总顾问美国国家半导体
株式会社。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，而其不履行时，
适当地使用按照使用说明
提供的标签，可合理预期会导致
在一个显着的伤害到用户。
禁用物质合规
美国国家半导体公司制造的产品和使用，以满足客户产品的规定，包装材料
管理规范（ CSP - 9-111C2 ）和禁用物质和利益规范（ CSP - 9-111S2 ）材料和含有
没有“在CSP- 9-111S2定义的”禁用物质“” 。
无铅产品符合RoHS指令。
美国国家半导体公司
美洲客户
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电话：1-800-272-9959
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美国国家半导体公司
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2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
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LTV817STA-V
LM7301IMX
LM29150RS-3.3
LP2203F180NZAC01
LA401DK
LRF07CM25
LD261-5
LV7745DEV-125.0M
LD1085CDT120
LM1086IT-3.3
LTL-307E-112A
L7818ACT
LT1215MJ8
LTL717R
LG5411NO
LB03-10B09
LY360Z
LA70QS125-4K
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