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的GaAs -IR- Lumineszenzdiode
砷化镓红外发射器
芯片
位置
LD 261
2.4
2.1
1.9
1.7
0.5
0.4
2.7
2.5
0.25
0.15
0.7
0.6
0 ... 5
0.4 A
A
RADIANT敏感区
(0.4 x 0.4)
1.4
1.0
收集器( BPX 81 )
阴极( LD 261 )
2.1
1.5
2.54毫米间距
3.5
3.0
3.6
3.2
1 )使用工具拆卸区,闪不正确的大小。
约。重量0.03克
GEO06021
Maβe在毫米,德恩非职权安德斯angegeben /尺寸(mm) ,除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
砷化镓红外Lumineszenzdiode , hergestellt IM
Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich麻省理工学院BPX 81
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
砷化镓红外发光二极管,制造成
液相外延工艺
q
高可靠性
q
可在箱
q
同一个包BPX 81
应用
q
微型光断续器
q
穿孔带阅读器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
LD 261
LD 261-5
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q395
Q62703-Q67
Gehuse
Leiterbandgehuse , klares环氧Gieharz , linsenfr-
MIG IM 2.54 - mm的光栅(
1
/
10
''), Kathodenkennzeich-
农:核苷酸酶时Ltspie
引线框架,透明环氧树脂透镜,焊片
引线间距2.54毫米(
1
/
10
''),阴极标记:投影
化的焊料中的铅
半导体集团
1
1997-11-01
feo06021
LD 261
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ,
τ ≤
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 40 ... + 80
80
5
50
1.6
70
750
650
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJL
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 50毫安,
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 %冯
I
最大
光谱带宽在50%的
I
最大
I
F
= 50微米的,
t
p
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片表面到镜头前
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇,
价值
950
统一性
单位
nm
λ
55
nm
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3 ... 1.9
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
半导体集团
2
1997-11-01
LD 261
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Schaltzeiten ,
I
e
冯10 %奥夫90 % UND冯
90 %奥夫10 % ,贝
I
F
= 50毫安,
R
L
= 50
开关时间,
I
e
从10%到90%和
从90 %到10% ,
I
F
= 50毫安,
R
L
= 50
Kapazitt ,
V
R
= 0 V
电容
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 50毫安,
t
p
= 20
s
Sperrstrom ,
V
R
= 5 V
反向电流
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 50毫安,
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ
PEAK
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
λ
PEAK
,
I
F
= 50毫安
符号
符号
邂逅相遇,
价值
1
统一性
单位
s
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
I
R
Φ
e
1.25
(≤
1.4)
0.01
(≤
1)
9
V
A
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
毫伏/ K
纳米/ K
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 50毫安,
t
p
= 20毫秒
符号
LD 261
Werte
LD 261-5
统一性
单位
I
e
2 ... 6.3
3.2 ... 6.3
毫瓦/ SR
半导体集团
3
1997-11-01
LD 261
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
辐射强度
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
百毫安
OHR01039
单脉冲,
t
p
= 20
s
Ι
e
10
2
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
80
Ι
F
mA
70
60
OHR01124
Ι
REL
Ι
e
( 100 mA时)
80
10
60
1
50
40
40
R
thJL
= 650 K / W
10
0
30
R
thJA
= 750 K / W
20
20
10
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
,
T
L
正向电流
I
F
=
f
(V
F
),单脉冲
t
p
= 20
s
10
1
A
OHR01042
可允许脉冲处理能力
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
占空比
D
=参数
10
4
OHR02182
Ι
F
Ι
F
mA
D
=0
0,005
0,01
0,02
τ
D
=
τ
T
T
Ι
F
10
0
典型值。
马克斯。
10
3
0,05
0,1
0,2
10
-1
10
2
0,5
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
20
10
0
1.0
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
τ
OHR01878
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1997-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LD261-5
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:高小姐/李先生
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LD261-5
OSRAM
2025+
3715
DIP-2
全新原装、公司现货热卖
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
LD261-5
OSRAM/欧司朗
25+
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普通
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OSRAM/欧司朗
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