LMP91000
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SNAS506H - 2011年1月 - 修订2013年3月
LMP91000传感器模拟前端系统：可配置AFE恒电位为低功耗化学
传感应用
检查样品：
LMP91000
1
特点
典型值，T
A
= 25°C
电源电压2.7 V至5.25 V
电源电流（平均值时间） <10 μA
细胞调节电流高达10 mA的
参比电极偏置电流（ 85°C ）
900pA （最大值）
输出驱动电流750μA
完成恒电位电路接口到
大多数化学电池
可编程单元偏置电压
低偏置电压漂移
可编程增益TIA 2.75kΩ欧姆-350千欧姆
库和源能力
I
2
C兼容数字接口
工作环境温度-40 ° C到85°C
封装14引脚WSON
支持WEBENCH
传感器AFE
设计师
描述
该LMP91000是一个可编程的模拟前端
（ AFE ），为微功率电化学传感应用
应用程序。它提供了一个完整的信号路径
一个传感器和一个微控制器之间的解决方案
产生输出电压正比于细胞
电流。该LMP91000的可编程性使得它
支持多个电化学传感器，如
3导有毒气体传感器和2极原细胞
以相对于一个单设计的传感器
多个分立式解决方案。该LMP91000支持
气体灵敏度切换到9500的范围内的0.5 nA的/ ppm的
NA / PPM 。它也允许容易地转换
电流范围从5μA到750μA满量程。
该LMP91000的可调节细胞的偏见和
互
扩音器
（TIA）的
收益
是
2
可编程通过I 2 C接口。在我
2
C
接口也可用于传感器诊断。一
集成温度传感器可以通过读取
用户通过VOUT引脚和用于提供
在μC额外的信号修正或监测，
验证的温度条件下，在传感器。
该LMP91000是微功耗优化
应用程序，工作的电压范围内
2.7V至5.25V 。的总电流消耗可以
超过10μA以内。进一步降低功耗是可能的
通过关闭TIA放大器和做空
参比电极与工作电极
内部开关。
23
应用
化学物质鉴别
安培的应用
电化学法血糖仪
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
WEBENCH是德州仪器的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2011-2013 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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典型用途
VREF
VDD
SCL
I2C接口
和
控制
注册
LMP91000
3-Lead
电化学
CELL
SDA
调节器
CE
A1
+
-
变量
BIAS
VREF
分频器
MENB
CE
RE
RE
WE
温度
传感器
DGND
WE
+
-
R
负载
TIA
VOUT
R
TIA
C1
C2
AGND
图1. AFE气体检测仪
接线图
DGND 1
MENB
SCL
SDA
NC
VDD
AGND 7
8
14 CE
RE
WE
DAP
VREF
C1
C2
VOUT
图2. 14引脚WSON - 顶视图
引脚说明
名字
DGND
MENB
SCL
SDA
NC
VDD
AGND
VOUT
C2
C1
VREF
WE
RE
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
连接到接地
模块使能，低电平有效
时钟信号我
2
IC兼容接口
数据我
2
IC兼容接口
没有内部连接
电源电压
地
模拟输出
外部滤波器连接器（ C1和C2之间的滤波器）
外部滤波器连接器（ C1和C2之间的滤波器）
参考电压输入
工作电极。输出，以驱动化学传感器的工作电极
参比电极。输入以驱动化学传感器的对置电极
描述
2
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引脚说明（续）
名字
CE
DAP
针
14
连接到AGND
描述
对电极。输出，以驱动化学传感器的对置电极
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
ESD容差
(3)
人体模型
充电设备型号
机器型号
之间的任何两个引脚电压
电流通过VDD和VSS
目前沉没和采购通过CE引脚
当期开出的其他引脚
(4)
存储温度范围
结温
(5)
2kV
1kV
200V
6.0V
50mA
10mA
5mA
-65 ℃150 ℃的
150°C
焊接规格：
看产品文件夹在
www.national.com
和
www.national.com/ms/MS/MS-SOLDERING.pdf
(1)
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制，包括不可操作性和退化
设备的可靠性和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值的功能操作或
超越那些在工作额定值表明其他条件是不是暗示。工作额定值表明条件使
设备的功能和该设备不应该超出这样的条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。的JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。
JEDEC ）现场感应电荷，设备型号，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
该设备的所有非电源引脚被折返的设备提供ESD保护。电压在这样的引脚将上升超过absmax如果
电流被强制进入针。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功率
耗散在任何环境温度下为P
DMAX
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
(2)
(3)
(4)
(5)
工作额定值
(1)
电源电压V
S
= （ VDD - AGND ）
温度范围
(2)
(2)
2.7V至5.25V
-40 ° C至85°C
44 ° C / W
封装热阻
14引脚WSON （ θ
JA
)
(1)
(2)
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制，包括不可操作性和退化
设备的可靠性和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值的功能操作或
超越那些在工作额定值表明其他条件是不是暗示。工作额定值表明条件使
设备的功能和该设备不应该超出这样的条件下操作。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功率
耗散在任何环境温度下为P
DMAX
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
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3
LMP91000
SNAS506H - 2011年1月 - 修订2013年3月
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(1)
电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
电源规格
I
S
电源电流
3导安培电池模式
MODECN = 0×03
待机模式
MODECN = 0×02
温度测量模式TIA关闭
MODECN = 0×06
温度测量模式TIA ON
MODECN = 0×07
2导地线称为原电池模式
VREF=1.5V
MODECN = 0×01
深度休眠模式
MODECN = 0×00
恒电位仪
Bias_RW
偏向编程范围
（ RE之间的电压差
引脚和WE引脚）
偏向编程分辨率
电压的百分比称为VREF或VDD
±24
前两个最小步长
所有其它的步骤
VDD=2.7V;
内部零50 ％ VDD
VDD=5.25V;
内部零50 ％ VDD
SINK
来源
SINK
来源
AOL_A1
en_RW
控制开环电压增益
循环运算放大器（ A1 ）
低频噪声综合
RE引脚与WE引脚之间
300mV≤VCE≤Vs-300mV;
-750A≤ICE≤750A
为0.1Hz至10Hz ，零偏置
(5)
测试条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
10
6.5
11.4
14.9
6.2
0.6
15
13.5
10
8
15
13.5
20
18
9
8
1
0.85
A
%
±1
±2
-90
-800
-90
-900
750
750
10
10
104
120
3.4
90
800
90
900
%
I
RE
输入偏置电流RE引脚
pA
I
CE
最小工作电流
能力
最小的充电能力
(4)
A
mA
dB
为0.1Hz至10Hz ，与偏置
(5) (6)
μVpp
5.1
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
4
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的参数性能无法保证指示下，电表
内部自热式中T的条件
J
＆ GT ;吨
A
。最大极限值是指结温范围，超过这个
设备可以被永久地降解，机械或电。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关性保证
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在
运生产材料。
在这样的电流的输出电压的不准确性可以预期的。
该参数包括A1和TIA的噪声贡献。
的情况下连接的外部参考，参考的噪声已被添加。
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电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
测试条件
0 ％ VREF
内部零= 20 ％ VREF
0 ％ VREF
内部零= 50 ％ VREF
0 ％ VREF
内部零= 67 ％ VREF
±1％的VREF
±2％的VREF
± 4 ％ VREF
V
OS_RW
WE电压偏置简称RE
偏置极性
(7)
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
-550
550
-575
-610
-750
-840
-930
-1090
-1235
-1430
-1510
-1575
-1650
-1700
-1750
575
610
750
840
930
1090
1235
1430
1510
1575
1650
1700
1750
V
±6％的VREF
±8％的VREF
±10％的VREF
± 12 ％ VREF
± 14 ％ VREF
± 16 ％ VREF
± 18 ％ VREF
±20％的VREF
± 22 ％ VREF
± 24 ％ VREF
0 ％ VREF
内部零= 20 ％ VREF
0 ％ VREF
内部零= 50 ％ VREF
0 ％ VREF
内部零= 67 ％ VREF
±1％的VREF
±2％的VREF
± 4 ％ VREF
-4
4
-4
-4
-5
-5
-5
-6
-6
-7
-7
-8
-8
-8
-8
4
4
5
5
5
6
6
7
7
8
8
8
8
μV/°C
TCV
OS_RW
WE电压失调漂移简称
从-40°C到RE至85°C
(8)
偏置极性
(7)
±6％的VREF
±8％的VREF
±10％的VREF
± 12 ％ VREF
± 14 ％ VREF
± 16 ％ VREF
± 18 ％ VREF
±20％的VREF
± 22 ％ VREF
± 24 ％ VREF
(7)
(8)
为负偏压极性的内部零设定为67％的VREF 。
偏移电压的温度漂移是由总的温度除以VOS的变化在极端温度下测定
改变。从测得的电压在温度T1偏移处开始（Ⅴ
OS_RW
（T1） ） ，该电压在温度T2的偏移（Ⅴ
OS_RW
（T2） ）是
计算按照下列公式计算： V
OS_RW
(T2)=V
OS_RW
（ T 1） + ABS （ T2-T1） * TCV
OS_RW
.
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5
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LMP91000传感器模拟前端系统：可配置AFE恒电位为低功耗化学传感
应用
2012年2月6日
LMP91000
传感器模拟前端系统：可配置AFE的恒电位
低功耗化学传感应用
概述
该LMP91000是一个可编程的模拟前端（ AFE ）
在微功耗电化学传感应用。
它提供了一个传感器之间的完整信号路径溶液
和一个微控制器，其产生的输出电压亲
portional到电池的电流。该LMP91000的可编程性
使它能够支持多种电化学传感器等
作为3导有毒气体传感器和2极原电池传感器
以相对于所述多个离散的所谓单一设计
决方案。该LMP91000支持气敏特性研究过
范围为0.5 nA的/ ppm至9500 nA的/ ppm的。它也允许对
轻松转换电流范围从5μA到750μA满
的规模。
该LMP91000的可调节细胞的偏见和阻
放大器（ TIA ）增益均通过了我
2
IN-
terface 。在我
2
C接口也可用于传感器diag-
维护功能。一个集成的温度传感器可以通过读取
用户通过VOUT引脚和用于提供额外
在μC信号修正或监控，以验证温度
在传感器的条件。
该LMP91000是微功率应用进行了优化，并
工作在2.7V至5.25V的电压范围。总电流
租消耗可以小于10μA 。而且功率储蓄
英格斯是可能通过切断的TIA放大器和
短路参比电极与工作电极
内部开关。
特点
典型值，T
A
= 25°C
2.7 V至5.25 V
■
电源电压
<10 μA
■
电源电流（平均值随着时间的推移）
10毫安
■
细胞调节电流可达
900pA （最大值）
■
参比电极偏置电流（ 85°C ）
输出驱动电流
750A
■
■
完整的恒电位仪电路接口到大多数化学
细胞
■
可编程单元偏置电压
■
低偏置电压漂移
2.75kΩ欧姆-350千欧姆
■
可编程增益TIA
■
库和源能力
■
I
2
C兼容数字接口
-40 ° C至85°C
■
工作环境温度
14引脚的LLP
■
包
■
支持WEBENCH传感器模拟前端电路设计
应用
■
化学物质鉴别
■
安培的应用
■
电化学法血糖仪
典型用途
30132505
AFE气体检测仪
2012德州仪器
301325 SNAS506G
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LMP91000
绝对最大额定值
（注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请联系销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注
2)
人体模型
充电设备型号
机器型号
之间的任何两个引脚电压
电流通过VDD和VSS
目前沉没和采购通过CE引脚
当期开出的其他引脚（注
3)
存储温度范围
结温（注
4)
2kV
1kV
200V
6.0V
50mA
10mA
5mA
-65 ℃150 ℃的
150°C
（注
5)
焊接规格：
看产品文件夹在www.national.com和
www.national.com/ms/MS/MS-SOLDERING.pdf
工作额定值
（注
1)
2.7V至5.25V
-40 ° C至85°C
44 ° C / W
电源电压V
S
= （ VDD - AGND ）
温度范围（注
4)
封装热阻（注
4)
14引脚LLP （ θ
JA
)
电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
参数
条件
民
典型值
最大
（注
7)
（注
6)
（注
7)
15
13.5
10
8
15
13.5
20
18
9
8
1
0.85
A
单位
电源规格
I
S
电源电流
3导安培电池模式
MODECN = 0×03
待机模式
MODECN = 0×02
温度测量模式TIA关闭
MODECN = 0×06
温度测量模式TIA ON
MODECN = 0×07
2导地线称为原电池模式
VREF=1.5V
MODECN = 0×01
深度休眠模式
MODECN = 0×00
恒电位仪
Bias_RW
偏向编程范围
电压的百分比称为VREF或VDD
（ RE之间的电压差
引脚和WE引脚）
偏向编程分辨率
前两个最小步长
所有其它的步骤
VDD=2.7V;
内部零50 ％ VDD
VDD=5.25V;
内部零50 ％ VDD
SINK
来源
SINK
来源
300mV
≤
VCE
≤
Vs-300mV;
-750A
≤
ICE
≤
750A
104
-90
-800
-90
-900
750
750
10
10
120
3.4
μVpp
5.1
±24
±1
±2
90
800
90
900
%
10
6.5
11.4
14.9
6.2
0.6
%
I
RE
输入偏置电流RE引脚
pA
I
CE
最小工作电流
能力
最小的充电能力
（注
9)
A
mA
dB
AOL_A1
en_RW
开环电压增益
控制回路运算放大器（ A1 ）
低频噪音的综合0.1Hz至10Hz的，零偏置
RE引脚与WE引脚之间
（注
10)
为0.1Hz至10Hz ，与偏置
（注
10 ，注11 ）
3
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LMP91000
符号
TIA_ZV
参数
内部零电压
条件
VREF 3个可编程的百分比
民
典型值
最大
（注
7)
（注
6)
（注
7)
20
50
67
20
50
67
±0.04
10
33
50
100
5
单位
VDD的3个可编程的百分比
%
内部零电压精度
RL
可编程负载
4个可编程电阻负载
%
%
dB
负荷精度
PSRR
电源抑制比在
RE针
2.7
≤
VDD
≤
5.25V
内部零20 ％ VREF
内部零50 ％ VREF
内部零67 ％ VREF
TA = -40 ° C至85°C
TA = -40 ° C至85°C
-3
80
110
温度传感器规格
（参照
温度传感器转移表
在对细节的功能说明部分）
温度误差
灵敏度
开机时间
外部参考规范
VREF
外部参考电压
范围
输入阻抗
1.5
10
VDD
V
M
3
-8.2
1.9
°C
毫伏/°C的
ms
I
2
C接口
符号
V
IH
V
IL
V
OL
C
IN
（注
5)
除非另有说明，所有参数保证在T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ， 2.7V <V
S
< 5.25V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V 。
粗体
限制适用于在极端温度
参数
输入高电压
输入低电压
输出低电压
迟滞（注
14)
所有数字引脚输入电容
（注
5)
I
OUT
=3mA
0.1*VDD
0.5
条件
民
（注
7)
0.7*VDD
0.3*VDD
0.4
典型值
（注
6)
最大
（注
7)
单位
V
V
V
V
pF
时序特性
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
HD ; STA
t
SU ; STA
t
HD ; DAT
t
SU ; DAT
t
f
t
SU ; STO
参数
时钟频率
时钟低电平时间
时钟高电平时间
数据有效
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ， VREF =
2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。请参考时序图
图1 。
条件
民
10
4.7
4.0
在此期间后，第一时钟
产生的脉冲
4.0
4.7
0
250
IL
≤
3mA;
CL
≤
400pF
4.0
5
典型值
最大
100
单位
千赫
s
s
s
s
ns
ns
建立时间重复起始条件
数据保持时间（注
13)
数据建立时间
SDA下降时间（注
14)
建立时间为停止条件
250
ns
s
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LMP91000传感器模拟前端系统：可配置AFE恒电位为低功耗化学传感
应用
2011年9月12日
LMP91000
传感器模拟前端系统：可配置AFE的恒电位
低功耗化学传感应用
概述
该LMP91000是一个可编程的模拟前端（ AFE ）
在微功耗电化学传感应用。
它提供了一个传感器之间的完整信号路径溶液
和一个微控制器，其产生的输出电压亲
portional到电池的电流。该LMP91000的可编程性
使它能够支持多种电化学传感器等
作为3导有毒气体传感器和2极原电池传感器
以相对于所述多个离散的所谓单一设计
决方案。该LMP91000支持气敏特性研究过
范围为0.5 nA的/ ppm至9500 nA的/ ppm的。它也允许对
轻松转换电流范围从5μA到750μA满
的规模。
该LMP91000的可调节细胞的偏见和阻
放大器（ TIA ）增益均通过了我
2
IN-
terface 。在我
2
C接口也可用于传感器diag-
维护功能。一个集成的温度传感器可以通过读取
用户通过VOUT引脚和用于提供额外
在μC信号修正或监控，以验证温度
在传感器的条件。
该LMP91000是微功率应用进行了优化，并
工作在2.7V至5.25V的电压范围。总电流
租消耗可以小于10μA 。而且功率储蓄
英格斯是可能通过切断的TIA放大器和
短路参比电极与工作电极
内部开关。
特点
典型值，T
A
= 25°C
2.7 V至5.25 V
■
电源电压
<10 μA
■
电源电流（平均值随着时间的推移）
10毫安
■
细胞调节电流可达
参比电极偏置电流（ 85°C ）
900pA （最大值）
■
750A
■
输出驱动电流
■
完整的恒电位仪电路接口到大多数化学
细胞
■
可编程单元偏置电压
■
低偏置电压漂移
2.75kΩ欧姆-350千欧姆
■
可编程增益TIA
库和源能力
■
■
I
2
C兼容数字接口
-40 ° C至85°C
■
工作环境温度
14引脚的LLP
■
包
■
支持WEBENCH传感器模拟前端电路设计
应用
■
化学物质鉴别
■
安培的应用
■
电化学法血糖仪
典型用途
30132505
AFE气体检测仪
2011美国国家半导体公司
301325
www.national.com
LMP91000
绝对最大额定值
（注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注
2)
人体模型
充电设备型号
机器型号
之间的任何两个引脚电压
电流通过VDD和VSS
目前沉没和采购通过CE引脚
当期开出的其他引脚（注
3)
存储温度范围
结温（注
4)
2kV
1kV
200V
6.0V
50mA
10mA
5mA
-65 ℃150 ℃的
150°C
（注
5)
焊接规格：
看产品文件夹在www.national.com和
www.national.com/ms/MS/MS-SOLDERING.pdf
工作额定值
（注
1)
2.7V至5.25V
-40 ° C至85°C
44 ° C / W
电源电压V
S
= （ VDD - AGND ）
温度范围（注
4)
封装热阻（注
4)
14引脚LLP （ θ
JA
)
电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
参数
条件
民
典型值
最大
（注
7)
（注
6)
（注
7)
15
13.5
10
8
15
13.5
20
18
9
8
1
0.85
A
单位
电源规格
I
S
电源电流
3导安培电池模式
MODECN = 0×03
待机模式
MODECN = 0×02
温度测量模式TIA关闭
MODECN = 0×06
温度测量模式TIA ON
MODECN = 0×07
2导地线称为原电池模式
VREF=1.5V
MODECN = 0×01
深度休眠模式
MODECN = 0×00
恒电位仪
Bias_RW
偏向编程范围
电压的百分比称为VREF或VDD
（ RE之间的电压差
引脚和WE引脚）
偏向编程分辨率
前两个最小步长
所有其它的步骤
VDD=2.7V;
内部零50 ％ VDD
VDD=5.25V;
内部零50 ％ VDD
SINK
来源
SINK
来源
300mV
≤
VCE
≤
Vs-300mV;
-750A
≤
ICE
≤
750A
104
-90
-800
-90
-900
750
750
10
10
120
3.4
μVpp
5.1
±24
±1
±2
90
800
90
900
%
10
6.5
11.4
14.9
6.2
0.6
%
I
RE
输入偏置电流RE引脚
pA
I
CE
最小工作电流
能力
最小的充电能力
（注
9)
A
mA
dB
AOL_A1
en_RW
开环电压增益
控制回路运算放大器（ A1 ）
低频噪音的综合0.1Hz至10Hz的，零偏置
RE引脚与WE引脚之间
（注
10)
为0.1Hz至10Hz ，与偏置
（注
10 ，注11 ）
3
www.national.com
LMP91000
符号
TIA_ZV
参数
内部零电压
条件
VREF 3个可编程的百分比
民
典型值
最大
（注
7)
（注
6)
（注
7)
20
50
67
20
50
67
±0.04
10
33
50
100
5
单位
VDD的3个可编程的百分比
%
内部零电压精度
RL
可编程负载
4个可编程电阻负载
%
%
dB
负荷精度
PSRR
电源抑制比在
RE针
2.7
≤
VDD
≤
5.25V
内部零20 ％ VREF
内部零50 ％ VREF
内部零67 ％ VREF
TA = -40 ° C至85°C
TA = -40 ° C至85°C
-3
80
110
温度传感器规格
（参照
温度传感器转移表
在对细节的功能说明部分）
温度误差
灵敏度
开机时间
外部参考规范
VREF
外部参考电压
范围
输入阻抗
1.5
10
VDD
V
M
3
-8.2
1.9
°C
毫伏/°C的
ms
I
2
C接口
符号
V
IH
V
IL
V
OL
C
IN
（注
5)
除非另有说明，所有参数保证在T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ， 2.7V <V
S
< 5.25V和AGND = DGND = 0V ，
VREF = 2.5V 。
粗体
限制适用于在极端温度
参数
输入高电压
输入低电压
输出低电压
迟滞（注
14)
所有数字引脚输入电容
（注
5)
I
OUT
=3mA
0.1*VDD
0.5
条件
民
（注
7)
0.7*VDD
0.3*VDD
0.4
典型值
（注
6)
最大
（注
7)
单位
V
V
V
V
pF
时序特性
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
HD ; STA
t
SU ; STA
t
HD ; DAT
t
SU ; DAT
t
f
t
SU ; STO
参数
时钟频率
时钟低电平时间
时钟高电平时间
数据有效
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= 25 ° C，V
S
= （ VDD - AGND ） ，V
S
= 3.3V和AGND = DGND = 0V ， VREF =
2.5V ，内部零= 20 ％ VREF 。
粗体
限制适用于极端温度。请参考时序图
图1 。
条件
民
10
4.7
4.0
在此期间后，第一时钟
产生的脉冲
4.0
4.7
0
250
IL
≤
3mA;
CL
≤
400pF
4.0
5
典型值
最大
100
单位
千赫
s
s
s
s
ns
ns
建立时间重复起始条件
数据保持时间（注
13)
数据建立时间
SDA下降时间（注
14)
建立时间为停止条件
250
ns
s
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