L6917B
5位可编程双相控制器
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
两相操作
SYNCRHONOUS整流器控制
超快速负载瞬态响应
集成高电流栅极
驱动程序：高达2A的栅极电流
TTL兼容5位可编程
与VRM 9.0输出柔顺
0.8 ％的内部基准精度
10 ％的有功电流共享
准确性
DIGITAL 2048 STEP软启动
过压保护
过电流保护REALIZED
使用较低MOSFET的
DSON
OR A
检测电阻器
300 kHz内部振荡器
振荡器外部可调
高达600kHz
电源良好输出，抑制
功能
远程感应BUFFER
封装： SO- 28
SO-28
订购号： L6917BD
L6917BDTR （带&卷）
应用
s
电源的服务器和
工作站
s
电源大电流
微处理器
s
分布式DC -DC转换器
框图
ROSC / INH
描述
该装置是电源控制器具体
旨在提供一种高性能的DC / DC转换
版本大电流的微处理器。
该设备实现了一种双相降压CON-
控制器与各相之间的180°相移。
精确的5位数字 - 模拟转换器（DAC ） AL-
低点从1.100V调节输出电压，以
1.850V以25mV为二进制的步骤。
高精度内部参考电压，保证了SE-
lected输出电压为± 0.8 ％。高
峰值电流栅极驱动器能提供有快速切换
到外部电源金属氧化物半导体提供低切换
损失。
该设备保证了快速的保护，防止负载
过电流和负载过/欠电压。内部
撬棍提供开启低边MOSFET的话
的过电压进行检测。的情况下的过电流，
系统工作在恒流模式。
SGND
VCCDR
BOOT1
逻辑PWM
自适应反
交叉传导
PGOOD
2阶段
振荡器
PWM1
UGATE1
HS
PHASE1
-
当前
更正
+
数字
软启动
CH 1 OVER
当前
LGATE1
LS
ISEN1
VCC
VCCDR
逻辑
和
PROTECTIONS
总
当前
+
＆ LT ;＆ GT ;
当前
阅读
PGNDS1
保护地
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
CH1 OVER
当前
AVG
当前
DAC
CH2 OVER
当前
当前
阅读
PGNDS2
ISEN2
逻辑PWM
自适应反
交叉传导
CH 2 OVER
当前
LGATE2
LS
10k
10k
10k
远程
卜FF器
+
IFB
FBG
FBR
当前
更正
-
错误
扩音器
PHASE2
PWM2
UGATE2
HS
10k
VCC
BOOT2
VSEN
FB
COMP
VCC
2002年9月
1/33
L6917B
绝对最大额定值
符号
VCC ，V
CCDR
V
BOOT
-V
相
V
UGATE1
-V
PHASE1
V
UGATE2
-V
PHASE2
LGATE1 ， PHASE1 ， LGATE2 ， PHASE2到PGND
所有其他引脚PGND
V
相
可持续峰值电压吨<为20ns @ 600kHz的
到PGND
启动电压
参数
价值
15
15
15
单位
V
V
V
-0.3 VCC + 0.3
-0.3 7
26
V
V
V
热数据
符号
R
日J- AMB
T
最大
T
存储
T
j
P
最大
参数
热阻结到环境
最高结温
存储温度范围
结温范围
最大功率耗散在T
AMB
= 25°C
价值
60
150
-40至150
-25至125
2
单位
° C / W
°C
°C
°C
W
引脚连接
LGATE1
VCCDR
PHASE1
UGATE1
BOOT1
VCC
GND
COMP
FB
VSEN
FBR
FBG
ISEN1
PGNDS1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SO28
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
保护地
LGATE2
PHASE2
UGATE2
BOOT2
PGOOD
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
OSC / INH / FAULT
ISEN2
PGNDS2
2/33
L6917B
电气特性
V
CC
= 12V ± 10％ ，T
J
= 0 70 ° C除非另有规定编
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
VCC电源电流
I
CC
I
CCDR
I
BootX的
VCC电源电流
V
CCDR
电源电流
开机电源电流
HGATEx和LGATEx开放
V
CCDR
=V
BOOT
=12V
LGATEx打开; V
CCDR
=12V
HGATEx打开; PHASEx到PGND
V
CC
=V
BOOT
=12V
7.5
2
0.5
10
3
1
12.5
4
1.5
mA
mA
mA
POWER- ON
开启V
CC
门槛
关断V
CC
门槛
开启V
CCDR
门槛
关断V
CCDR
门槛
振荡器/禁止/ FAULT
f
OSC
初始精度
OSC = OPEN
OSC = OPEN ; TJ = 0 ° C至125°C
R
T
到GND = 74kΩ
I
SINK
=5mA
OSC = OPEN
278
270
450
0.8
70
1.8
OVP或UVP活动
4.75
300
500
0.85
75
2
5.0
2.2
5.25
322
330
550
0.9
千赫
千赫
千赫
V
%
V
V
V
CC
瑞星; V
CCDR
=5V
V
CC
掉落; V
CCDR
=5V
V
CCDR
升起
V
CC
=12V
V
CCDR
落下
V
CC
=12V
7.8
6.5
4.2
9
7.5
4.4
10.2
8.5
4.6
V
V
V
4.0
4.2
4.4
V
f
OSC ， ROSC
总精度
INH
d
最大
ΔVosc
故障
抑制阈值
最大占空比
斜坡幅度
电压引脚OSC
参考和DAC
输出电压
准确性
I
DAC
VID上拉电流
VID上拉电压
误差放大器器
DC增益
SR
压摆率
COMP=10pF
80
15
dB
V / μs的
VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ， VID4
参照表;
FBR = V
OUT
; FBG = GND
VIDx = GND
VIDx = OPEN
-0.8
-
0.8
%
4
3.1
5
-
6
3.4
A
V
差分放大器（远程缓冲区）
DC增益
CMRR
共模抑制比
1
40
V/V
dB
3/33
L6917B
电气特性
（续）
V
CC
= 12V ± 10％ ，T
J
= 0 70 ° C除非另有规定编
符号
参数
输入失调
SR
压摆率
测试条件
FBR = 1.100V to1.850V ;
FBG = GND
VSEN=10pF
民
-12
15
典型值
最大
12
单位
mV
V / μs的
差分电流检测
I
ISEN1
,
I
ISEN2
I
PGNDSx
I
ISEN1
,
I
ISEN2
I
FB
偏置电流
Iload=0
45
50
55
A
A
A
A
A
偏置电流
偏置电流
过电流阈值
主动降速电流
Iload<0%
Iload=100%
45
80
50
85
55
90
47.5
0
50
1
52.5
栅极驱动器
t
上升
HGATE
HIGH SIDE
上升时间
HIGH SIDE
源出电流
HIGH SIDE
沉电阻
LOW SIDE
上升时间
LOW SIDE
源出电流
LOW SIDE
沉电阻
V
BootX的
-V
PHASEx
=10V;
C
HGATEx
到PHASEx =为3.3nF
V
BootX的
-V
PHASEx
=10V
V
BootX的
-V
PHASEx
=12V;
V
CCDR
=10V;
C
LGATEx
以PGNDx = 5.6nF
V
CCDR
=10V
V
CCDR
=12V
0.7
1.5
15
30
ns
I
HGATEx
R
HGATEx
t
上升
LGATE
I
LGATEx
R
LGATEx
2
2
30
2.5
55
A
ns
1.8
1.1
1.5
A
P好， OVP / UVP PROTECTIONS
PGOOD
PGOOD
OVP
UVP
V
PGOOD
阈值上限
(V
SEN
/ DACOUT ）
阈值下限
(V
SEN
/ DACOUT ）
过电压阈值
(V
SEN
)
欠压脱扣
(V
SEN
/ DACOUT ）
PGOOD电压低
V
SEN
升起
V
SEN
落下
V
SEN
升起
V
SEN
落下
I
PGOOD
= -4mA
108
84
2.0
56
0.3
60
0.4
112
88
116
92
2.25
64
0.5
%
%
V
%
V
4/33
QQ：2880707522 复制
