乐山无线电公司， LTD 。
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
LMBZ6V8ALT1G
系列
3
1
2
SOT–23
1.CATHODE
3.ANODE
2.CATHODE
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
A
阻燃等级UL 94V -O
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
规格特点：
记号
图
xxx
xxx
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
包
航运
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
3000 / 10000Tape &卷轴
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
LMBZ5V6ALT1G / T3G SOT -23
LMBZ6V2ALT1G/T3G
LMBZ6V8ALT1G/T3G
SOT–23
SOT–23
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
LMBZ9V1ALT1G / T3G SOT -23
LMBZ10VALT1G/T3G
LMBZ12VALT1G/T3G
LMBZ15VALT1G/T3G
LMBZ18VALT1G/T3G
LMBZ20VALT1G/T3G
LMBZ27VALT1G/T3G
LMBZ33VALT1G/T3G
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
LMBZ6V8ALT1G–1/7
M
乐山无线电公司， LTD 。
LMBZ6V8ALT1G系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ） LMBZ5V6ALT1G通LMBZ10VALT1G
@ T
L
≤
25°C
LMBZ12VALT1G通LMBZ33VALT1G
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
每图5. 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
*其他电压可根据要求提供
符号
P
pk
°P
D
°
R
θJA
°P
D
°
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
LMBZ6V8ALT1G–2/7
乐山无线电公司， LTD 。
LMBZ6V8ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
24 WATTS
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
击穿电压
V
BR
（注4 ）
(V)
民
5.32
5.89
喃
5.6
6.2
最大
5.88
6.51
@ I
T
mA
20
1.0
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
11
–
Z
ZK
@ I
ZK
1600
–
mA
0.25
–
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
8.0
8.7
I
PP
A
3.0
2.76
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
设备
LMBZ5V6ALT1G
LMBZ6V2ALT1G
设备
记号
5A6
6A2
V
RWM
伏
3.0
3.0
(V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200 mA）的
击穿电压
设备
记号
6A8
9A1
10A
V
RWM
伏
4.5
6.0
6.5
I
R
@ V
RWM
mA
0.5
0.3
0.3
V
BR
（注4 ）
(V)
民
6.46
8.65
9.50
喃
6.8
9.1
10
最大
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
9.6
14
14.2
I
PP
A
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
3.4
7.5
7.5
设备
LMBZ6V8ALT1G
LMBZ9V1ALT1G
LMBZ10VALT1G
(V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200 mA）的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@ V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
C
@ I
PP
（注6 ）
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
V
BR
（注4 ）
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
设备
LMBZ12VALT1G
LMBZ15VALT1G
LMBZ18VALT1G
LMBZ20VALT1G
LMBZ27VALT1G
LMBZ33VALT1G
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
按照图5和减免按照图6 6.浪涌电流波形。
LMBZ6V8ALT1G–3/7
QQ：2880707522 复制
